AMEC

Prismo D-BLUE

  • Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для массового производства
  • Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур GaN, AlN, InGaN и AlGaN в производстве светодиодов и силовых устройств
  • Подложки: пластины ø2’’, ø4’’ (опционно – ø6’’, ø8’’)
  • Количество реакторов: до 4-х
  • Независимое управление каждым реактором
  • Встроенный механизм подъема крышки
  • Максимальная загрузка: ø2’’ – 232 шт., ø4’’ – 56 шт.
  • Высокоскоростной вращающийся механизм подложкодержателя
  • Подложкодержатель: ø480 мм
  • Применяемые жидкие реагенты: триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl)
  • Применяемые газы: аммиака (NH3), азот (N2) и водород (H2)
  • Вертикальная душевая газовая головка в камере реактора
  • Зазор между насадкой душа и подложкодержателем: ~60 мм
  • Система управления установкой и мониторинга в реальном времени: точный контроль параметров процесса; автоматизированные и программируемые процедуры обслуживания

Prismo A7

  • Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для массового производства
  • Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур GaN, InGaN и AlGaN в производстве светоизлучающих диодов (LED) на основе нитрида галлия (GaN) для полупроводниковых осветительных приборов и других применений
  • Подложки: сапфировые пластины ø4’’, ø6’’ (опционно – ø8’’)
  • Количество реакторов: до 4-х
  • Независимое управление каждым реактором
  • Встроенный механизм подъема крышки
  • Максимальная загрузка: ø4’’ – 136 шт., ø6’’ – 56 шт.
  • Подложкодержатель: ø716 мм
  • Многозонная система нагрева
  • Возможность автоматизированного и программируемого открытия/закрытия реактора
  • Применяемые жидкие реагенты: триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl)
  • Применяемые газы: аммиака (NH3), азот (N2) и водород (H2)
  • Система многозонной подачи газов
  • Специально разработанная газораспределительная головка в камере реактора
  • Специальная система очистки для удаления частиц с газораспределительной головки
  • Специально разработанная вакуумная линия для смены металлоорганических барботеров – не требуется очистка и обслуживания между подключениями барботеров
  • Система управления установкой и мониторинга в реальном времени: точный контроль параметров процесса; автоматизированные и программируемые процедуры обслуживания

Prismo HiT3

  • Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для массового производства
  • Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур высокотемпературных светодиодов AIN и соединений с высоким содержанием алюминия в производстве светодиодов глубокого УФ-излучения (UVC)
  • Полностью автоматический процесс с удобным интерфейсом
  • Подложки: сапфировые пластины ø2’’ (опционно – ø4’’)
  • Встроенный механизм подъема крышки
  • Максимальная загрузка: ø2’’ – 18 шт.
  • Максимальная температура в камере реактора: 1400 °С
  • Автоматическая система вакуумной транспортировки для предотвращения образование частиц и снижения количества дефектов
  • Применяемые жидкие реагенты: триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl)
  • Применяемые газы: аммиака (NH3), азот (N2) и водород (H2)
  • Система управления установкой и мониторинга в реальном времени

Prismo UniMax

  • Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для крупносерийного производства
  • Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур в производстве синих/зеленых мини-светодиодов на основе GaN
  • Подложки: пластины ø4’’, ø6’’ (опционно – ø8’’)
  • Количество реакторов: до 4-х
  • Независимое управление каждым реактором
  • Максимальная загрузка: ø4’’ – 108 шт., ø6’’ – 40 шт. (опционно: ø4’’ – 164 шт., ø6’’ – 72 шт. за счет изменения конфигурации подложкодержателя)
  • Подложкодержатель: ø785 мм
  • Многозонная система нагрева системе нагрева с локальной регулировкой температуры
  • Система управления установкой и мониторинга в реальном времени: точный контроль параметров процесса; автоматизированные и программируемые процедуры обслуживания