Автоматическая кластерная установка физического осаждения из газовой фазы
Назначение: производство силовых приборов (front side and backside), нанесение подстолбиковой металлизации, нанесение барьерной металлизации (UBM), изготовление приборов на поверхностных акустических волнах, обработка пластин нестандартной формы
Пластины: ø75мм ÷ ø200мм
Процессные камеры: до 4-х (камеры напыления, камеры травления)
Автоматическая кластерная установка физического осаждения из газовой фазы для крупносерийного производства приборов на поверхностных акустических волнах, МЭМС, и т.д.
Автоматическая кластерная установка физического осаждения из газовой фазы для серийного производства приборов на поверхностных акустических волнах, МЭМС, и т.д.
Автоматическая установка группового осаждения металлов и оксидов на подложки методом высоковакуумного испарения для НИОКР и мелкосерийного производства
Назначение: осаждение слоев металлов и оксидов; пленок оксидов индия и олова (ITO) для солнечных элементов, интегральных схем, МЭМС, светодиодов, силовых приборов, биполярных транзисторов с изолированным затвором и других электронных устройств
Подложки: круглые и прямоугольные от 2” до 6” (до 8” в отдельных случаях) из кремния, многокомпонентных соединений (GaAs, GaN и прочих), стекла, сапфира и керамики
Держатели подложек: планетарные, спутниковые и прочие
Автоматическая установка физического осаждения из газовой фазы (напыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
Назначение: осаждение пьезоэлектрических слоев, например: платина-цирконий-титан; пленок оксидов индия и олова (ITO), в том числе легированных, для солнечных элементов; металлов (Ni, Au, Pt, Ru); углерода и других
Автоматическая многокамерная установка физического осаждения из газовой фазы (напыления) для производства магниторезистивных ОЗУ (MRAM), резистивных ОЗУ (ReRAM), ОЗУ на основе фазового перехода (PCRAM), сегнетоэлектрических ОЗУ (FeRAM) в серийном производстве.
Базируется на нескольких платформах: ENTRONTM-EX S-type(Single core type); ENTRONTM-EX T-type(Tandem type)
Назначение: напыление Al и Cu электропроводящих дорожек, напыление барьерного слоя TI/TiN, напыление толстых слоев силицида AL и Co/Ni, напыление Ta2O5/TaOx и прочее
Автоматическая многокамерная установка физического осаждения из газовой фазы (напыления) для производства динамических ОЗУ (DRAM), флеш-памяти, магниторезистивных ОЗУ (MRAM), резистивных ОЗУ (ReRAM), ОЗУ на основе фазового перехода (PCRAM), сегнетоэлектрических ОЗУ (FeRAM), современных логических схем, КМОП светочувствительных матриц в серийном производстве.
Базируется на нескольких платформах: ENTRONTM-EX2 S-type(Single core type); ENTRONTM-EX2 T-type(Tandem type)
Назначение: напыление Al и Cu электропроводящих (в том числе – наноразмерных) дорожек, напыление барьерного слоя TI/TiN, напыление толстых слоев силицида AL и Co/Ni и прочее
Компактная установка физического осаждения из газовой фазы (напыления) для НИОКР
Назначение: осаждение легированных алюминием тонких пленок ZnO (AZO), легированных галлием тонких пленок ZnO (GZO) для солнечных элементов и оптоэлектронных устройств; пленок оксидов и металлов для МЭМС и других применений
Подложки: ø150мм (опционно – ø200мм) – кремниевые, кварцевые и т.д.
