• Компактная установка  термического атомно-слоевого осаждения тонких пленок для НИОКР и пилотного производства
• Назначение: осаждение AlO_x и SiO₂ — оксидных пленок затвора в полевых транзисторах GaN MOSFET, GaN MOS-HFET, 4H-SiC MOSFET и пассивирующих пленок для силовых устройств; формирование пленок на трехмерных структурах (МЭМС); нанесение пленок на поверхность лазера и пассивирующих пленок углеродных нанотрубок
• Загрузка: прямая, открытая, ø4″ – 3шт., ø8″ – 1шт.
• Температура подложкодержателя: до 500°C 

далее

• Установка  плазмо-активированного атомно-слоевого осаждения тонких пленок для НИОКР и производства
• Назначение: осаждение нитридов AlN, SiN, низкотемпературное осаждение оксидов AlO_x и SiO₂; осаждение подзатворных диэлектриков; осаждение пассивирующих слоев для полупроводников, органических электролюминесцентных материалов; создание отражающей поверхности полупроводниковых лазеров; формирование пленок на трехмерных структурах (МЭМС); нанесение пленок на графен; нанесение пассивирующих пленок углеродных нанотрубок
• Загрузочная шлюзовая камера
• Система емкостно-связанной плазмы (CCP)

далее