АО «НИИТМ»

МАГНА ТМ 5

  • Автоматическая установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для группового нанесения многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления.
  • Подложки: пластины ø76 мм, ø100 мм, ø150 мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
  • Загрузка: ø76 мм – 15 шт., ø100 мм – 9 шт., ø150 мм – 3шт.
  • Система переноса подложек из шлюзовой камеры в три рабочие позиции транспортной каруселью
  • Предварительный нагрев подложек и их очистка с помощью источника ионов
  • Мультикатодное МРУ с тремя мишенями ø100 мм
  • Производительность при толщине пленки алюминия 1мкм: ø76 мм – ≥80 пл/ч, ø100 мм – ≥60 пл/ч, ø150 мм – ≥30 пл/ч
  • Частота вращения 2-х степенного планетарного механизма: 30 об/мин
  • Число устройств магнетронного распыления: два    
  • Неравномерность плёнки по толщине: ±(3÷5)%
  • Вакуумная система: криогенный/турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Предельное остаточное давление в рабочей камере: 6,7×10–5Па
  • Микропроцессорная система управления;
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50 Гц, ≤25 кВт
  • Габаритные размеры: 2950×2610×2025 мм
  • Занимаемая площадь: ~6м2
  • Масса: ≤2350 кг

ЭЛИМ ТМ 5

  • Автоматическая установка вакуумного напыления (магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения) для серийного производства
  • Назначение: для группового нанесения металлических, диэлектрических или резистивных тонких пленок на подложки (пластины)
  • Подложки: пластины ø76 мм, ø100 мм, ø150 мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
  • Загрузка: ø76 мм – 15 шт., ø100 мм – 9 шт., ø150 мм – 3 шт.
  • Система переноса подложек из шлюзовой камеры в две рабочие позиции транспортной каруселью
  • Предварительный нагрев подложек и их очистка с помощью источника ионов
  • Мультикатодное МРУ с тремя мишенями ø100 мм
  • Система магнетронного распыления: одна
  • Четырехтигельный электронно-лучевой испаритель: один
  • Вакуумная система: криогенный/турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления;
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50 Гц, ≤20 кВт
  • Занимаемая площадь: ~6м2

МАГНА ТМ 22

  • Автоматическая установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для индивидуального или группового нанесения многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины)
  • Подложки: 60×48 мм; пластины ø76 мм, ø100 мм, ø150 мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
  • Планетарный двухстепенной подложкодержатель
  • Предварительный нагрев подложек и их очистка с помощью источника ионов в шлюзовой камере
  • Мультикатодное МРУ с четырьмя мишенями ø76 мм
  • Нанесение пленок в рабочей камере одним, двумя, тремя, четырьмя магнетронами
  • Вакуумная система: криогенный/турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50 Гц, ≤20 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

МАГНА ТМ 29

  • Автоматическая установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для группового нанесения многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины)
  • Подложки: пластины ø76 мм, ø100 мм, ø150 мм
  • Шлюзовые камеры для загрузки-выгрузки подложек из кассеты в кассету: 2 шт.
  • Конвейерная система непрерывного транспортирования подложек
  • Предварительный нагрев подложек ламповым нагревателем и их очистка источником ионов
  • Вакуумная система: криогенный/турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50 Гц, ≤30 кВт
  • Занимаемая площадь: ~10м2

МАГНА ТМ 200-01

  • Автоматическая установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для индивидуального и группового нанесения многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины)
  • Подложки: 60×48 мм, 156×156 мм; пластины ø76 мм, ø100 мм, ø150 мм, ø200 мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
  • Прогреваемая (охлаждаемая) загрузочная камера
  • Загрузка: 60×48 мм – 7 шт., 156×156 мм – 1 шт.; ø76 мм – 4 шт., ø100 мм – 2 шт., ø150 мм – 1шт., ø200 мм – 1шт.
  • Варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер
  • Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора
  • ВЧ рабочий стол с вертикальным перемещением, поддержкой температуры до +450°, с подачей аргона под пластину и прижимом
  • Размещение источника ионной очистки подложек вместо третьего магнетрона
  • МРУ с одной мишенью ø300 мм или Мультикатодное МРУ с тремя мишенями ø125 мм
  • Скоростное нанесение из трех магнетронов одной пленки или последовательное нанесение двух-, трехслойных пленок с использованием заслонки
  • Скорость нанесения: металлических пленок – до 0,5 мкм/мин; диэлектрических пленок – до 0,2 мкм/мин
  • Неравномерность плёнки по толщине: ±3%
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Предельное остаточное давление в камере шлюзования: 5,0×10–1Па
  • Предельное остаточное давление в загрузочной камере: 1,1×10–5Па
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Может входить в кластерный комплекс
  • Система водяного нагрева и охлаждения
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50 Гц, ≤16 кВт
  • Занимаемая площадь: ~5м2

МАГНА ТМ 200-04

  • Установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для нанесения магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu) слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др.
  • Подложки: 60×48 мм; пластины ø76 мм, ø100 мм, ø150 мм, ø200 мм
  • Загрузка: 60×48 мм – 7 шт., ø76 мм – 4 шт., ø100 мм – 1шт., ø150 мм – 1шт., ø200 мм – 1шт.
  • Варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер
  • Шлюзовая камера для загрузки-выгрузки пластин в кассете
  • Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора
  • Варианты обработки: индивидуальная обработка пластин на рабочем столе ø76 мм, ø100 мм, ø150 мм, ø200 мм; групповая обработка подложек 60×48 мм и пластин ø76 мм на носителе
  • ВЧ рабочий стол с вертикальным перемещением, поддержкой температуры в диапазоне -20…+450 °C, подачей аргона под пластину и прижимом
  • Магнетронное распылительное устройство с вращающимся магнитным блоком
  • Предусмотрен режим нанесения пленок из мишени ø300 мм в импульсном режиме при мощности (10÷15) кВт для заполнения глубоких канавок и щелей в изделиях
  • Механическая заслонка для защиты рабочей поверхности пластины
  • Система прогрева стенок рабочей камеры до +120 °С
  • Сменные экраны для предотвращения запыления рабочей камеры
  • Скорость нанесения: пленок Сu – ≥ 5 нм/с; пленок TiN – ≥ 2 нм/с
  • Применяемые газы: Ar, сжатый воздух и др.
  • Вакуумная система
  • Рабочее давление в камере: 0,4 Па
  • Уровень предварительного вакуума в камере: 3,1×10–5Па
  • Микропроцессорная система управления
  • Может входить в кластерный комплекс
  • Системы нагрева и охлаждения

МАГНА ТМ 300

  • Установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для нанесения многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60×48 мм; пластины ø76 мм, ø100 мм, ø150 мм, ø200 мм, ø300 мм
  • Шлюзовая камера для загрузки-выгрузки подложек на носителе из кассеты в кассету
  • Транспортная система переноса пластин на носителе из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора
  • Обработка пластин в одном технологическом цикле: 60×48 мм – 19 шт., ø76 мм – 13 шт., ø100 мм – 7 шт., ø150 мм – 3 шт., ø200 мм – 1 шт., ø300 мм – 1 шт.
  • Нагреваемый ВЧ столик
  • Мультикатодное МРУ с тремя мишенями ø150 мм
  • Нанесение из трех магнетронов одной пленки или последовательное нанесение двух-, трехслойных пленок с использованием заслонки
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Система нагрева
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50 Гц, ≤16 кВт

МВУ ТМ МАГНА 04

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения пленок металлов и резистивных материалов на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60×48 мм; пластины ø100 мм, ø150 мм
  • Групповая обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке ø100 мм – 4 шт., ø150 мм – 2 шт.; при двусторонней обработке 60×48мм – 6 шт.
  • Ионная очистка в плазме разряда
  • Магнетронное распылительное устройство (МРУ) постоянного тока: 2 шт.
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Ламповый нагрев
  • Электроэнергия: 50 Гц, ≤4,5 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

МВУ ТМ МАГНА 06

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения пленок металлов и резистивных материалов на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60×48 мм; пластины ø100 мм, ø150 мм
  • Групповая обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке ø100 мм – 4 шт., ø150 мм – 2 шт.; при двусторонней обработке 60×48 мм – 6 шт.
  • Периодический поворот подложкодержателя на 90°
  • Ионная очистка в плазме разряда
  • Тип и количество МРУ в установке: 1 шт. постоянного тока или 1 шт. ВЧ
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Ламповый нагрев
  • Электроэнергия: 50 Гц, ≤4,5 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

МВУ ТМ МАГНА 07, 08

  • НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения пленок металлов и резистивных материалов на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60×48 мм; пластины ø100 мм, ø150 мм
  • Групповая обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке ø100 мм – 4 шт., ø150 мм – 2 шт.; при двусторонней обработке 60×48 мм – 6 шт.
  • Ионная очистка в плазме разряда
  • Тип и количество МРУ в установке: постоянного тока – 3 шт. (Магна 07);  постоянного тока – 2 шт., ВЧ – 1 шт. (Магна 08)
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Ламповый нагрев
  • Электроэнергия: 50 Гц, ≤4,5 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

МВУ ТМ МАГНА 09

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для многослойного нанесения пленок металлов и резистивных материалов на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60×48 мм; пластины ø100 мм, ø150 мм, ø200 мм
  • Загрузка: шлюзовая камера для загрузки/выгрузки подложек
  • Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе механизмов горизонтального перемещения
  • Индивидуальная односторонняя обработка подложек: ø100 мм – 1 шт., ø150 мм – 1 шт., ø200 мм – 1 шт.; 60×48 мм – 5 шт.
  • Стол вращения подложкодержателя с ВЧ очисткой
  • Предварительный нагрев подложек и их очистка в плазме ВЧ разряда перед нанесением
  • МРУ с тремя дисковыми мишенями ø100 мм
  • Нанесение диэлектрических слоев в ВЧ режиме
  • Нанесение металлических слоев в режиме постоянного тока
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50 Гц, ≤14 кВт
  • Занимаемая площадь: ~4,5м2

МВУ ТМ МАГНА 10

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для двустороннего нанесения многокомпонентных и многослойных тонких плёнок металлов и диэлектриков на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60×48 мм; пластины ø100 мм, ø150 мм, ø200 мм
  • Загрузка: шлюзовая камера для загрузки/выгрузки подложек
  • Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе механизмов горизонтального перемещения
  • Индивидуальная односторонняя обработка подложек ø100 мм – 1 шт., ø150 мм – 1 шт., ø200 мм – 1 шт. или двухсторонняя 60×48 мм – 5 шт.
  • Вращающийся подложкодержатель
  • Предварительный нагрев подложек и их очистка с помощью источника ионов
  • Мультикатодные МРУ с четырьмя дисковыми мишенями ø100 мм: 2 шт.
  • Нанесение диэлектрических слоев в ВЧ режиме
  • Нанесение металлических слоев в режиме постоянного тока
  • Применяемые газы: Ar, O2, сжатый воздух и др.
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50 Гц, ≤14 кВт
  • Занимаемая площадь: ~4,5м2

МВУ ТМ МАГНА 11, 12

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения металлов, резистивных материалов и диэлектриков на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60х48мм; пластины ø100 мм, ø150 мм
  • Обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке  ø100 мм – 4 шт., ø150 мм – 2 шт. (на другом держателе) или при двухсторонней обработке 60×48 мм – 6 шт.
  • Периодический поворот подложкодержателя на 90°
  • Ламповый нагрев
  • Тип и количество МРУ в установке: постоянного тока – 2 шт. (Магна 11);  постоянного тока – 1шт., ВЧ – 1 шт. (Магна 12)
  • Количество ионных источников – 1 шт.
  • Применяемые газы: Ar, O2, сжатый воздух и др.
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Электроэнергия: 50 Гц, ≤4,5 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

МВУ ТМ МАГНА ТИС 02

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (методами магнетронного распыления и термического испарения) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения пленок металлов, резистивных материалов и диэлектриков на подложки (пластины) методом магнетронного напыления и термического испарения
  • Подложки: 60×48 мм; пластины ø100 мм, ø150 мм
  • Обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке  ø100 мм – 4 шт., ø150 мм – 2 шт. (на другом держателе) или при двухсторонней обработке 60×48 мм – 6 шт.
  • Периодический поворот подложкодержателя на 90°
  • Планетарный механизм вращения подложек
  • Ионно – плазменная очистка и нагрев подложек перед нанесением покрытия
  • Тип и количество МРУ в установке: постоянного тока или ВЧ – 2 шт.
  • Термический испаритель мощностью не более 900 Вт: 1шт.
  • Применяемые газы: Ar, O2, сжатый воздух и др.
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Электроэнергия: 50 Гц, ≤4,5 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

МВУ ТМ ТИС 02

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (методом термического испарения) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения пленок на подложки (пластины) методом термического испарения
  • Подложки: 60×48 мм; пластины ø100 мм, ø150 мм
  • Обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке  ø100 мм – 4 шт., ø150 мм – 2 шт. (на другом держателе) или при двухсторонней обработке 60×48 мм – 6 шт.
  • Периодический поворот подложкодержателя на 90°
  • Планетарный механизм вращения подложек
  • Ионно – плазменная очистка и нагрев подложек перед нанесением покрытия
  • Термический испаритель мощностью не более 900Вт: 1шт.
  • Применяемые газы: Ar, O2, сжатый воздух и др.
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Предельное остаточное давление в рабочей камере: 2,6·10-3 Па
  • Микропроцессорная система управления
  • Электроэнергия: 220В, 50 Гц, ≤4,5 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2