Centrotherm thermal solutions

Centrotherm Single Tube

  • Термическая НИОКР установка (диффузия, легирование, отжиг, оксидирование)  Загрузка — до 50 пластин Ø150мм, до 25 пластин Ø200мм
  • Температура процесса — от 200 до 1300°C
  • Три 300-мм зоны нагрева
  • Точность поддержания нагрева ±0,5°C в пределах зоны

далее

Centrotherm E 1200

  • Лабораторная термическая установка для небольших партий (диффузия, легирование, отжиг, оксидирование, нитридирование…; ХОГФ НД; ПА ХОГФ) 
  • Загрузка: до 50 пластин Ø150мм, до 20 пластин Ø200мм
  • Температура процесса: от 200 до 1300°C
  • Три 300-мм зоны нагрева

далее

Centrotherm E 1550

  • Среднесерийная многопроцессная термическая установка (диффузия, легирование, отжиг, оксидирование, нитридирование…; ХОГФ НД; ПА ХОГФ) 
  • Загрузка — до 100 пластин Ø150мм, до 75 пластин Ø200мм
  • Температура процесса — от 200 до 1300°C
  • 3 или 5 зон нагрева от 550 до 600 мм

далее

Centrotherm E 2000

  • Промышленная многопроцессная термическая установка (диффузия, легирование, отжиг, оксидирование, нитридирование…; ХОГФ НД; ПА ХОГФ) 
  • Загрузка — до 200 пластин Ø150мм, до 150 пластин Ø200мм, до 75 пластин Ø300мм
  • Температура процесса — от 200 до 1300°C
  • 3 или 5 зон нагрева от 900 до 1000 мм

далее

Centrotherm Activator 150-5 (50)

  • Высокотемпературная вертикальная печь для отжига SiC или GaN, окисления  SiC или Si (от НИОКР до крупного производства)
  • Загрузка: Activator 150-5 — 5(15)х2″, 10х3″, 5х4″, 5х6″;  Activator 150-50 — 40(120)х2″, 40х3″, 50х4″, 50х6″
  • Температура процесса — до 1850°C, резистивный нагрев
  • Скорость нагрева — до 250 К/мин

далее

Centrotherm CAV 150, Centrotherm CAV 200.

  • Высокопроизводительная однотрубная вертикальная печь (диффузия, оксидирование, нитридирование, отжиг, силицидирование…; ХОГФ НД)
  • Загрузка: CAV 150 — до 150 пластин Ø150мм, CAV 200 — до 100 пластин Ø200мм
  • Температура процесса — от 300 до 1100°C
  • 3 или 5 зон нагрева 880 мм

далее

Centrotherm CLV 200

  • Мелкосерийная вертикальная для печь для НИОКР и производства (диффузия, отжиг, оксидирование; ХОГФ НД; ПА ХОГФ)
  • Загрузка: до 50 пластин  Ø100-150мм, до 25 — Ø200мм
  • Температура процесса — до 1100°C, 3 или 5 зон нагрева
  • Применяемые газы: H2, Ar, O2, N2O, N2, SiH4, NH3, B2H6, PH3, SiH2Cl2 …

далее

Centrotherm CMV 200, Centrotherm 300.

  • Высокопроизводительная двухреакторная вертикальная печь (диффузия, легирование, отжиг, оксидирование, нитридирование…; ХОГФ НД)
  • Загрузка: CMV 200 — до 125 пластин Ø200мм, CMV 300 — до 100 пластин Ø300мм. Зона нагрева 880 мм
  • Температура процесса — от 300 до 1100°C
  • Точность поддержания нагрева ±0,5°C в пределах зоны

далее

Centrotherm Epicoo 200

  • Вертикальная групповой загрузки печь (ХОГФ НД — не-/селективная эпитаксия Si и SiGe) 
  • Загрузка: до 125 пластин Ø200мм
  • Температура процесса: от 300 до 1000°C
  • 6 независимых термических зон

далее

Centrotherm Oxidator 150-5,Centrotherm Oxidator 150-50

  • Высокотемпературная вертикальная печь (для Si и SiC оксидирования и отжига после него) 
  • Загрузка:

Oxidator 150-5: 5х2″, 5х3″, 5х100мм, 5х150мм; 

Oxidator 150-50: 40х2″, 50х3″, 50х100мм, 50х150мм

  • Температура процесса: от 900°C до 1400°C, резистивный нагрев
  • Скорость нагрева: до 10 К/мин

далее

Centrotherm RTP 150

  • Установка быстрых температурных процессов для кремния и п/п соединений (отжиг, сухое оксидирование, активация легирующей примеси)
  • Загрузка: пластины до Ø6″, графитовый подложкодержатель до Ø6″ с пластинами до 5″
  • Температура процесса (ламповый нагрев) — до 1150°C
  • Скорость изменения температуры — до 150 К/сек

далее