• Лабораторная установка для БТП (БТ отжиг, имплантационный отжиг, отжиг п/п соединений, кристаллизация, спекание)
• Диапазон температур — до 1250°C
• Изменение температуры — до 250°C/сек
• Подложки до Ø3″

далее

• Печь для БТП (БТ отжиг, окисление, диффузия, отжиг п/п соединений, нитридирование, силицидирование, кристаллизация, спекание)
• Диапазон температур — до 1250°C
• Изменение температуры — до 200°C/сек (4″)/ до150°C/сек (6″)
• Размер подложки —  Ø4″ или Ø6″

далее

• Универсальная установка для БТП/БТ ХОГФ (БТ отжиг, окисление; отжиг SiC контактов, карбонизация, отжиг п/п соединений; ХОГФ: поликремний, SiO2, SiNx)
• Диапазон температур — до 1400°C
• Изменение температуры — до 200°C/сек
• Размер подложки — до Ø200 мм или 200 х 200 мм

далее

• Лабораторная установка для ХОГФ распылением (ХОГФ распылением, БТ отжиг, имплантационный отжиг, отжиг п/п соединений, кристаллизация, спекание)
• Диапазон температур — до 1200°C
• Размер подложки — до 2″ х 2″
• До 3 процессных и 1 продувочная газовые линии

далее

• Печь ХОГФ НД для НИОКР (ненапряженный обогащенный кремнием нитрид, ХОГФ НД, отжиг, окисление)
• Диапазон температур — от 500 до 1100°C
• Размер подложки — Ø4″
• До 12 процессных и 1 продувочная газовые линии

далее

• Установка для НИОКР для МО ХОГФ и ХОГФ распылением (гетероэпитаксия оксидов на монокристаллические подложки — МО ХОГФ, возможность ХОГФ распылением, а также отжига в камере осаждения)
• Диапазон температур — до 1200°C
• Размер подложки —  Ø2″
• До 6 процессных и 1 продувочная газовые линии

далее

• Установка для НИОКР для МО ХОГФ (гетероэпитаксия оксидов на монокристаллические подложки — МО ХОГФ, возможность ХОГФ распылением)
• Диапазон температур — до 850°C
• Размер подложки —  Ø4″
• До 6 процессных и 1 продувочная газовые линии

далее