Linton Crystal Technologies

KX 170 MCZ

  • Установка предназначена для выращивания монокристаллов, применяемых в микроэлектронике
  • Диаметр выращиваемого кристалла: 200-250 мм
  • Источник нагрева: сверхпроводящая индукционная система 
  • Диаметр рабочей камеры: 1040 мм

далее

KX 240 MCZR

  • Первая в мире  модульная установка  для выращивания монокристаллов, применяемых в микроэлектронике с возможностью оперативной замены тиглей разных диаметров
  • Диаметр выращиваемого кристалла: 200-300 мм
  • Источник нагрева: резистивный, индукционный 
  • Диаметр рабочей камеры: 1100/1200 мм

далее

KX 240 MACH

  • Модульная печь для выращивания монокристаллов, применяемых в микроэлектронике, предназначенная для легкого размещения различных по размеру горячих зон
  • Диаметр выращиваемого кристалла: 200 / 250 / 300 мм
  • Источник нагрева: резистивный, индукционный
  • Сверхпроводящий магнит: 4000 Гаусс 

далее

KX 320 MCZR

  • Установка предназначена для выращивания монокристаллов, применяемых в микроэлектронике
  • Диаметр выращиваемого кристалла: 300 мм
  • Источник нагрева: резистивный, индукционный 
  • Сверхпроводящий магнит: 4000 Гаусс

далее

KX 320/300 MCZ

  • Установка предназначена для выращивания монокристаллов, применяемых в микроэлектронике. Поставляется в виде полной системы, включающей: печь, источник питания, органы управления и магнит.
  • Диаметр выращиваемого кристалла: 300 мм
  • Источник нагрева: резистивный, индукционный
  • Сверхпроводящий магнит: 4000 Гаусс 

далее

KX 320 MACH

  • Установка предназначена для выращивания монокристаллов, применяемых в микроэлектронике
  • Диаметр выращиваемого кристалла: 300 мм
  • Источник нагрева: резистивный, индукционный 
  • Сверхпроводящий магнит: 4000 Гаусс

далее

KX 360 MACH

  • Установка предназначена для выращивания монокристаллов, применяемых в микроэлектронике
  • Диаметр выращиваемого кристалла: ≥ 300 мм
  • Источник нагрева: резистивный, индукционный 
  • Сверхпроводящий магнит: 4000 Гаусс

далее

KX 360 MCZR

  • Установка предназначена для выращивания монокристаллов, применяемых в микроэлектронике
  • Диаметр выращиваемого кристалла: 300 мм
  • Источник нагрева: резистивный, индукционный 
  • Сверхпроводящий магнит: 4000 Гаусс

далее

KX 170 PV

  • Установка предназначена для выращивания монокристаллов, применяемых в солнечной энергетике
  • Диаметр выращиваемого кристалла: 200-250 мм
  • Источник нагрева: резистивный, индукционный
  • Диаметр рабочей камеры: 1040 мм 

далее

KX 240 PV

  • Первая в мире  модульная установка  для выращивания монокристаллов, применяемых в солнечной энергетике с возможностью оперативной замены тиглей разных диаметров
  • Диаметр выращиваемого кристалла: 200-300 мм
  • Источник нагрева: резистивный, индукционный
  • Диаметр рабочей камеры: 1100/1200 мм 

далее

KX 360 PV

  • Установка предназначена для выращивания монокристаллов, применяемых в солнечной энергетике
  • Диаметр выращиваемого кристалла: ≥ 300 мм
  • Источник нагрева: резистивный, индукционный
  • Диаметр рабочей камеры: 1400 мм 

далее