ООО «НПО «ГКМП»

ГКМП_Печь для приготовления керамики типа «Поликор»  ПВД 1.140X200-2200

  • Объём рабочей камеры: диаметр 140 мм, высота  200 мм
  • Изоляционный материал: углерод-углеродный композит
  • Источник нагрева: Резистивный  MoSiO2
  • Максимальная температура рабочей зоны:  2200°С

далее

Установка выращивания монокристаллов кремния

  • Предназначена для производства в автоматическом режиме (кроме затравления) монокристаллов кремния методом Чохральского
  • Диаметр кристалла: не более 250 мм
  • Длина кристалла: не более 1600 мм
  • Скорость перемещения затравки: 0,1-8 мм/мин

далее

Установка выращивания монокристаллов лейкосапфира

  • Технология горизонтально направленной кристаллизации
  • Размеры рабочей камеры (ДхШхВ): 1500х1000х900 мм
  • Способ нагрева: резистивный 
  • Максимальная температура рабочей зоны:  2200°С

далее

Установка выращивания антимонида индия

  • Предназначена для плавления, синтезирования и выращивания монокристаллов Антимонидов Индия с последующим отжигом выращенного кристалла
  • Время одного процесса: около 300 час
  • Максимальные размеры тигля: диаметр 135 мм, высота 70 мм
  • Способ нагрева: резистивный

далее

Установка выращивания монокристаллов арсенида индия и арсенида галлия                         

  • В установке используется метод LEC (Чохральского)
  • Максимальные размеры тигля: диаметр 230 мм, высота 200 мм
  • Способ нагрева: резистивный
  • Среда в камере печи:
    предельный вакуум: 1х10ˉ4 мм.рт.ст. 
    избыточное давление инертного газа: 10-20 атм.

далее