• Автоматическая однокамерная установка плазмохимического высокоскоростного удаления фоторезиста потоком нисходящей плазмы/реактивно-ионным травлением с  кассетной загрузкой для НИОКР
• Назначение: вскрытие толстого слоя фоторезиста, удаление полимеров и остатков обработки, удаление непроявленного фоторезиста, производство МЭМС, очистка кромок и обратной стороны
• Производительность: 70 пластин/ч
• Двухкассетная система загрузки

далее

• Автоматическая двухкамерая установка плазмохимического высокоскоростного удаления фоторезиста потоком нисходящей плазмы/реактивно-ионным травлением с  кассетной загрузкой для НИОКР и производства
• Назначение: удаление непроявленного фоторезиста, вскрытие толстого слоя фоторезиста, удаление полимеров и остатков обработки, производство МЭМС, очистка кромок и обратной стороны
• Производительность: 115 пластин/ч
• Двухкассетная система загрузки

далее

• Автоматическая трехкамерая высокопроизводительная установка плазмохимического высокоскоростного удаления фоторезиста и очистки потоком нисходящей плазмы/реактивно-ионным травлением с кассетной загрузкой для массового производства
• Назначение: вскрытие толстого слоя фоторезиста, удаление полимеров и остатков обработки, удаление непроявленного фоторезиста, производство МЭМС, очистка кромок и обратной стороны
• Производительность: 180 пластин/ч
• Загрузка пластин с помощью робота

далее

• Автоматическая однокамерная установка плазмохимического травления высокоплотной плазмой низкого давления /индуктивно-связанной плазмой с  ручной загрузкой для НИОКР
• Назначение: травление полупроводниковых соединений А₃В₅ (селективное травление GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaP, InP; неселективное травление — GaAs, AlGaAs, AlGaInP, InAlAs, InP, GaN, AlGaN, InGaN, AlN); высокоскоростное или щадящее травление диэлектрических слоев (SiO₂, SiN, Low-K материалов; сквозное травление GaAs, InP, SiC); травление органических соединений (полиимида, бензоциклобутен); травление металлов и керамики (W, WSi, TiW, Mo, PZT, STO, BST, SBT, Ir, IrO₂, Au, Pt, Ti, TiN, Ta); а также травление ITO (оксид индия-олова), сапфира, кварца, стекла, Si, SiC, C, алмазоподобного углеродного покрытия, Al, Cr, Mo
• Ручная загрузка
• Процессная камера с оперативным управлением температурой стенок камеры

далее

• Автоматическая однокамерная установка плазмохимического травления высокоплотной плазмой низкого давления /индуктивно-связанной плазмой с  ручной загрузкой для НИОКР
• Назначение: производство оптических приборов (световодов, усилителей, оптических переключателей, микролинз, оптических МЭМС), фотоэлектроники, систем полного микроанализа, микроструйной техники; глубокое травление SiO₂; высокоскоростное травление кварца (>1мкм/мин), боросиликатного стекла (>0,8мкм/мин); травление LiNbO₃, TiO₂
• Ручная загрузка
• Процессная камера ø300мм

далее