• Автоматическая высокопроизводительная установка плазмохимического высокоскоростного низкотемпературного щадящего удаления фоторезиста индуктивно-связанной плазмой / микроволновой плазмой с ручной загрузкой для НИОКР и пилотного производства
• Назначение: производство МЭМС, удаление фоторезиста с полупроводниковых соединений
• Система загрузки атмосферным роботом
• Процессная камера из анодированного алюминия: ø19”, высота 4”

далее

• Автоматическая многокамерная высокопроизводительная установка плазмохимического низкотемпературного щадящего удаления фоторезиста индуктивно-связанной плазмой / микроволновой плазмой для массового производства
• Назначение: производство МЭМС, удаление фоторезиста с полупроводниковых соединений, многоярусная сборка
• Пластины: ø200мм или ø300мм. Оперативное управление температурой пластины (нагрев и охлаждение)
• Источники плазмы: ICP; MW (Microwave)+ RF; SST-Lightning microwave

далее

• Настольная автоматическая установка реактивно-ионного травления фторсодержащими газами для НИОКР и опытного производства
• Назначение: производство МЭМС, твердотельных излучателей; анализ отказов ИС;  травление диэлектриков  (SiO_х, SiN_у, SiO_xN_у), кремния (Si), соединений кремния (SiC), кварца, металлов (Ta, W, Ir, Mo, Nb), соединений металлов (TaN, TiW, TiN, InSb), полимеров (полиимид, фоторезисты, эпоксидные компаунды), графит (С)
• Ручная система загрузки
• Пластины:до ø200мм

далее

• Компактная автоматическая установка реактивно-ионного травления/травления индуктивно-связанной плазмой фторсодержащими газами и кислородом для НИОКР
• Назначение: изотропное или анизотропное травление диэлектриков  (SiO₂, Si₃N₄, SiO_xN_у); анализ отказов ИС;  травление кремния (Si), соединений кремния (SiC), кварца, металлов (Ta, W, Ir, Mo, Nb), соединений металлов (TaN, TiW, TiN, InSb), полимеров (полиимид, фоторезисты, эпоксидные компаунды), графит (С) и прочие
• Ручная система загрузки
• Пластины: от ø2″ до ø300мм, части пластин, интегральные схемы, чипы

далее

• Компактная автоматическая установка реактивно-ионного травления/травления индуктивно-связанной плазмой для НИОКР и опытного производства
• Назначение: изотропное или анизотропное травление диэлектриков  (SiO₂, Si₃N₄, SiO_xN_у), полупроводниковых соединений (GaN, GaAs, InP, InSb, AlGaAs, InGaAs, InGaN, InAlGaN); анализ отказов ИС; травление кремния (Si, поли-Si), соединений кремния (SiC), кварца, металлов (Al, Cr, Cu, Ti, Pt, Ta, W, Ir, Mo, Nb), соединений металлов (TaN, TiW, TiN), полимеров (полиимид, фоторезисты, эпоксидные компаунды), графит (С) и прочие
• Загрузка через вакуумный шлюз с манипулятором
• Пластины: от ø2″ до ø300мм, части пластин, интегральные схемы, чипы.Возможна групповая загрузка пластин – 4 х ø3″, 3 х ø4″, 7 х ø2″

далее

• Компактная автоматическая установка реактивно-ионного травления/ реактивно-ионного травления  совместно с травлением высокоплотной индуктивно-связанной плазмой либо плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы  для опытного и серийного производства
• Назначение: травление GaAs, AlGaAs, GaN, InP, силицидов, Al, Cr и прочих материалов; осаждение SiO_х, SiN_х, SiO_xN_у, SiC, a-Si и прочих материалов
• Загрузка из кассет по одной пластине или группе пластин на носителе через вакуумный шлюз с манипулятором и кассетным элеватором. Возможность установки до двух кассетных загрузчиков и одного ручного загрузочного шлюза
• Пластины: от ø3″ до ø300мм, части пластин.Возможна групповая загрузка пластин – 4 х ø3″, 3 х ø4″, 7 х ø2″

далее

• Кластерная автоматическая установка реактивно-ионного травления/ реактивно-ионного травления  совместно с травлением индуктивно-связанной плазмой/ плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы  для НИОКР и опытного производства
• Конфигурация: до 4 процессных камер, до 2 кассетных загрузчиков, ручной загрузочный шлюз
• Назначение: травление фторсодержащими газами графита (С), кварца, эпоксидных компаундов, Si, GaAs/AlGaAs, InP, Si_xO_у, Si_xN_у, Si_xO_уN_z, SiC, Ir, Mo, Nb, Ta, W, TaN, TiW, TiN, органических тонких пленок, полиимидов; травление хлорсодержащими газами GaAs, AlGaAs, InAlGaN, InGaAs, InGaN, GaN, InP, Si, поли-Si, SiC, графита (С), Au, Cr, Cu, Ti, Pt, органических тонких пленок, LED MQMs, MEMS; осаждение SiO_х, SiN_х, SiO_xN_у, SiC, a-Si
• Загрузка из кассет по одной пластине или группе пластин (частей пластин) на носителе через вакуумный шлюз с манипулятором и кассетным элеватором, либо ручная загрузка. Центральный робот для подачи пластин

далее

• Компактная автоматическая установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы  для НИОКР и опытного производства
• Назначение: осаждение SiO_х, SiN_х, SiO_xN_у, a-Si без применения самовоспламеняющихся газов
• Пластины: от ø2″ до ø300мм, части пластин.Возможна групповая загрузка пластин, либо частей пластин
• Источник плазмы: 300/900Вт, 300/(360÷450)кГц (в зависимости от варианта поставки)

далее

• Компактная автоматическая установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы с вакуумным шлюзом для НИОКР и опытного производства
• Назначение: осаждение SiO_х, SiN_х, SiO_xN_у, a-Si, SiC с применением токсичных и самовоспламеняющихся газов
• Загрузка из кассет по одной пластине или группе пластин на носителе через вакуумный шлюз с манипулятором
• Пластины: от ø3″ до ø300мм, части пластин.Возможна групповая загрузка пластин – 4 х ø3″, 3 х ø4″, 7 х ø2″, либо частей пластин

далее