SENTECH Instruments

Автоматическая установка высокоскоростного травления индуктивно-связанной плазмой/реактивно-ионного травления с шлюзовой загрузкой для НИОКР и мелкосерийного производства
Назначение: высокоскоростное травление кремния для МЭМС, травление полупроводниковых соединений А₃В₅ (GaAs, InP, GaN, InSb), диэлектриков, кварца, стекла, соединений кремния (SiC, SiGe), металлов и пр.
Вакуумируемая алюминиевая загрузочная камера. Загрузка по одной пластине или группе пластин на носителе
Пластины: ø3”, ø4”, ø6”, ø8”/200мм и высотой до 9 мм, оперативное управление температурой пластины за счет гелиевого охлаждения обратной стороны

Автоматическая установка травления индуктивно-связанной плазмой с шлюзовой загрузкой для НИОКР и мелкосерийного производства
Назначение: травление полупроводниковых соединений А₃В₅ (GaAs, InP, GaN, InSb), диэлектриков, кварца, стекла, кремния (Si), соединений кремния (SiC, SiGe), металлов и пр.
Вакуумируемая алюминиевая загрузочная камера. Загрузка по одной пластине или частей пластин на носителе
Пластины: ø12”/300мм, толщина подложки до 10мм, оперативное управление температурой пластины

Автоматическая установка реактивно-ионного криогенного травления в индуктивно-связанной плазме с шлюзовой загрузкой для НИОКР и пилотного производства
Назначение: высокоскоростное плазмо-химическое травление кремния при производстве МЭМС и микрооптики
Вакуумируемая алюминиевая загрузочная камера. Загрузка по одной пластине или частей пластин на носителе
Пластины: ø4”, ø6”, ø8”/200мм, толщина подложки до 10мм, оперативное управление температурой пластины за счет гелиевого охлаждения обратной стороны

Автоматическая установка реактивно-ионного травления с открытой загрузкой для НИОКР
Назначение: травление полупроводниковых соединений А₃В₅, Si, SiO₂, металлов (Au, Pt, Ti, Ni) и полимеров
Загрузка: непосредственно в рабочую камеру на электрод или на носитель. Загрузка по одной пластине или группе пластин на носителе
Пластины: от 100мм до 200мм, оперативное управление температурой пластины за счет водяного охлаждения обратной стороны

Автоматическая однореакторная установка реактивно-ионного травления с шлюзовой загрузкой для НИОКР
Назначение: травление полупроводниковых соединений А₃В₅(GaAs, InP, GaN, InSb), диэлектриков (SiO₂, Si₃N₄), кварца, стекла, кремния (Si), соединений кремния (SiC, SiGe), металлов
Загрузка: через вакуумный загрузочный шлюз, использование фтор- и хлорсодержащих газов . Загрузка по одной пластине или группе пластин на носителе
Пластины: от 100мм до 200мм, оперативное управление температурой пластины за счет водяного охлаждения обратной стороны

Автоматическая установка плазмоактивированного химического осаждения с прямой загрузкой для НИОКР
Назначение: осаждение SiO_х, SiN_у, SiO_xN_у и a-Si
Прямая загрузка по одной пластине или группе пластин (частей пластин) на носителе
Пластины: ø2”, ø3”, ø4”, ø6”, ø8”, оперативное управление температурой пластины

Автоматическая установка высокоскоростного плазмохимического осаждения индуктивно-связанной плазмой с шлюзовой загрузкой для НИОКР и пилотного производства
Назначение: высокоскоростное низкотемпературное осаждение диэлектриков (SiO₂, SiN_x, SiON_x) и a-Si, а также TEOS, SiC и других материалов из жидких и газообразных прекурсоров; возможно осаждение полупроводниковых соединений А₃В₅
Вакуумируемая алюминиевая загрузочная камера. Загрузка по одной пластине или группе пластин на носителе
Пластины: ø3”, ø4”, ø6”, ø8”/200мм, оперативное управление температурой пластины за счет гелиевого охлаждения обратной стороны

Автоматическая установка плазмохимического осаждения индуктивно-связанной плазмой с шлюзовой загрузкой для НИОКР
Назначение: осаждение диэлектриков (SiO_х, SiN_у, SiO_xN_у)
Вакуумируемая алюминиевая загрузочная камера. Загрузка по одной пластине или группе пластин на носителе
Пластины: ø2”, ø3”, ø4”, ø6”, ø8”, оперативное управление температурой пластины

Обратная связь