• Компактная установка анодного плазмо-активированного химического осаждения тонких пленок для НИОКР и пилотного производства с открытой загрузкой
• Назначение: осаждение кремнесодержащих тонких пленок: оксидов кремния (SiO_x), нитридов кремния (Si_xN_y), оксинитридов кремния (SiO_xN_y), гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si:H). Поддержка продолжительного выполнения множественных разнородных процессов, например, процесс очистки пластин и затем процесс осаждения
• Загрузка: пластины ø3″ – 5шт., ø4″ – 3шт., ø8″ – 1шт.

Электроды: размещены параллельно, зазор между электродами – 25мм. Верхний электрод – ø277мм, алюминий с обработанной поверхностью и распылительной головкой. Нижний электрод — ø260мм из нержавеющей стали, с покрытием из алюминия  ø310мм с углублением ø230мм (ø220мм – зона однородного осаждения), с резистивным нагревом до 400°C максимум и ПИД-регулированием    

далее

• Компактная установка анодного плазмо-активированного химического осаждения тонких пленок для НИОКР и пилотного производства с шлюзовой загрузкой
• Назначение: осаждение кремнесодержащих тонких пленок: оксидов кремния (SiO_x), нитридов кремния (Si_xN_y), оксинитридов кремния (SiO_xN_y), гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si:H). Поддержка продолжительного выполнения множественных разнородных процессов, например, процесс очистки пластин и затем процесс осаждения
• Загрузка: пластины ø3″ – 5шт., ø4″ – 3шт., ø8″ – 1шт.
• Использование загрузочного шлюза позволяет постоянно держать рабочую камеру в условиях вакуума, что особенно важно при использовании легирующих газов

далее

• Кластерная установка анодного плазмо-активированного химического осаждения пленок для пилотного производства. В кластере вокруг центрального загрузочного блока могут быть размещены до 3-х блоков с рабочими камерами
• Назначение: пилотное производство жидкокристаллических дисплеев; осаждение пассивирующих слоев для органических электролюминесцентных приборов; осаждение аморфного кремния (a-Si:H) для солнечных элементов; осаждение пленок: оксидов кремния (SiO_x) и нитридов кремния (Si_xN_y)
• Габариты основного блока: 1613 x 2145 x 1799 мм

далее

• Установка анодного плазмо-активированного химического осаждения пассивирующих слоев и межслоевых диэлектриков на полупроводниковые соединения для крупносерийного производства с кассетной загрузкой
• Назначение: осаждение кремнесодержащих тонких пленок: оксидов кремния (SiO_x), нитридов кремния (Si_xN_y), оксинитридов кремния (SiO_xN_y), гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si:H)
• Загрузка: пластины ø2″ – 8шт., ø3″ – 5шт., ø4″ – 3шт., ø8″ – 1шт.
• Конструкция рабочей камеры минимизирует выделение частиц и предусматривает возможность нагрева стенок

далее

• Автоматическая установка анодного плазмо-активированного химического осаждения тонких пленок с открытой загрузкой для НИОКР и производственных задач
• Назначение: осаждение кремнесодержащих тонких пленок: оксидов кремния (SiO_x), нитридов кремния (Si_xN_y), оксинитридов кремния (SiO_xN_y), аморфного кремния (a-Si:H) и алмазоподобных углеродных покрытий
• Загрузка ручная, открытая: подложки 210 х 295 мм
• Нижний электрод: 360 мм

далее

• Автоматическая установка анодного плазмо-активированного химического осаждения тонких пленок для массового производства с камерой загрузки
• Назначение: осаждение кремнесодержащих тонких пленок: оксидов кремния (SiO_x), нитридов кремния (Si_xN_y), аморфного кремния (a-Si:H), керамических тонких пленок
• Загрузка: через загрузочный шлюз
• Перемещение пластин: линейным автоматическим манипулятором

далее

• Автоматическая установка анодного плазмо-активированного химического осаждения тонких пленок с открытой загрузкой для НИОКР и решения производственных задач
• Назначение: осаждение кремнесодержащих тонких пленок: оксидов кремния (SiO_x), нитридов кремния (Si_xN_y), оксинитридов кремния (SiO_xN_y), аморфного кремния (a-Si:H) и алмазоподобных углеродных покрытий
• Загрузка ручная, открытая
• Подложкодержатель: 428 мм

далее

• Автоматическая установка анодного плазмо-активированного химического осаждения тонких пленок с открытой загрузкой для НИОКР и решения производственных задач
• Назначение: осаждение кремнесодержащих тонких пленок: оксидов кремния (SiO_x), нитридов кремния (Si_xN_y), оксинитридов кремния (SiO_xN_y), аморфного кремния (a-Si:H) и алмазоподобных углеродных покрытий
• Загрузка ручная, открытая
• Подложкодержатель: 540 мм

далее

• Автоматическая установка катодного плазмо-активированного химического осаждения пленок с открытой загрузкой для НИОКР
• Применяются жидкостные источники реагентов (TEOS) и низкотемпературные процессы для обеспечения высокой скорости осаждения
• Сильное электрическое поле вокруг подложкодержателя с катодной связью генерирует ионы с высоким уровнем энергии, обеспечивающими осаждение пленок SiO₂ с низким остаточным напряжением и предельной толщиной пленки до 50 мкм 
• Назначение: для организации переходных отверстий в кремнии и 3D-упаковки; высококонформные пленки для МЭМС; высокоскоростное осаждение толстых пленок: оксидов кремния (до 30 мкм); производство световодов; производство масок для травления для микромеханики; осаждение пленок на пластиковые поверхности; низкотемпературное осаждение (от температуры окружающего воздуха до 300°C)

далее

• Автоматическая установка катодного плазмо-активированного химического осаждения пленок с открытой загрузкой для НИОКР
• Применяются жидкостные источники реагентов (TEOS) и низкотемпературные процессы для обеспечения высокой скорости осаждения
• Сильное электрическое поле вокруг подложкодержателя с катодной связью генерирует ионы с высоким уровнем энергии, обеспечивающими осаждение пленок SiO₂ с низким остаточным напряжением и предельной толщиной пленки порядка 30 мкм 
• Назначение: высокоскоростное (3000÷5000 Å/мин) осаждение толстых пленок: оксидов кремния (до 30 мкм); производство световодов; производство масок для травления для микромеханики; осаждение пленок на пластиковые поверхности; низкотемпературное осаждение (от температуры окружающего воздуха до 300°C)

далее

• Автоматическая установка катодного плазмо-активированного химического осаждения пленок с загрузочным шлюзом для НИОКР
• Применяются жидкостные источники реагентов (TEOS) и низкотемпературные процессы для обеспечения высокой скорости осаждения
• Сильное электрическое поле вокруг подложкодержателя с катодной связью генерирует ионы с высоким уровнем энергии, обеспечивающими осаждение пленок SiO₂ с низким остаточным напряжением и предельной толщиной пленки порядка 30 мкм 
• Назначение: высокоскоростное (3000÷5000 Å/мин) осаждение толстых пленок: оксидов кремния (до 30 мкм); производство световодов; производство масок для травления для микромеханики; осаждение пленок на пластиковые поверхности; низкотемпературное осаждение (от температуры окружающего воздуха до 300°C)

далее

• Автоматическая установка катодного плазмо-активированного химического осаждения пленок с кассетной загрузкой для серийного производства
• Применяются жидкостные источники реагентов (TEOS) и низкотемпературные процессы (80÷300) °Cдля обеспечения высокой скорости осаждения ненапряженных пленок SiO₂
• Сильное электрическое поле вокруг подложкодержателя с катодной связью генерирует ионы с высоким уровнем энергии, обеспечивающими осаждение пленок SiO₂ с низким остаточным напряжением и предельной толщиной пленки порядка 30 мкм 
• Назначение: для организации переходных отверстий в кремнии и 3D-упаковки; высококонформные пленки для МЭМС; высокоскоростное осаждение толстых пленок: оксидов кремния (до 30 мкм); производство световодов; производство масок для травления для микромеханики; осаждение пленок на пластиковые поверхности; низкотемпературное осаждение (от температуры окружающего воздуха до 300°C) высокоскоростное (>300 нм/мин) осаждение пленок

далее

• Лабораторная полуавтоматическая настольная установка реактивно-ионного травления  с открытой загрузкой для НИОКР и анализа отказов ИС
• Назначение: вскрытие пассивирующих материалов, включая нитрид кремния, диоксид кремния, оксинитрид кремния; травление диэлектрика между слоями металла с контролем профиля; удаление остатков герметизирующих материалов на интегральных схемах для анализа отказов; вскрытие фоторезиста и полиимида; травление кремния, поликремния, тугоплавких металлов, силицидов металлов, нанесенного центрифугированием стекла и пр.
• Рабочая камера: ø210мм х 62мм, кварц
• Загрузка ручная, открытая

далее

• Недорогая, высокоэффективная полностью автоматическая установка реактивно-ионного травления  с открытой загрузкой для НИОКР и анализа отказов ИС
• Назначение: вскрытие пассивирующих материалов, включая нитрид кремния, диоксид кремния, оксинитрид кремния; высокоселективное анизотропное травление всех типов кремнесодержащих пленок, полупроводниковых соединений и тугоплавких металлов, включая Si, SiO₂, поликремний, Si₃N₄, GaAs и Mo; микромеханическое производство; удаление остатков герметизирующих материалов на интегральных схемах для анализа отказов; травление органических материалов 
• Рабочая камера: алюминиевая, ø340мм; 2 смотровых окна ø40мм для визуального контроля
• Загрузка ручная, открытая

далее

• Полностью автоматическая установка реактивно-ионного травления с загрузочным блоком для НИОКР и анализа отказов ИС
• Назначение: высококачественное анизотропное травление кремниевых пленок для приборов ультравысокой степени интеграции; травление различных металлических пленок; полупроводниковых соединений (GaAs, GaN, InP, пр.), Si, SiO₂, поликремния, SiN_х ; производство волноводных устройств; микромеханическое производство; 
• Рабочая камера: алюминиевая, ø440мм, с антикоррозионным покрытием; смотровое окно ø40мм для визуального контроля
• Загрузочный шлюз: алюминиевый, (500х535х230)мм; одно смотровое окно ø204мм; крышка камеры открывается и закрывается автоматически

далее

• Высокоэффективная, высокоточная полностью автоматическая установка реактивно-ионного травления  с открытой загрузкой для НИОКР и анализа отказов ИС
• Назначение: вскрытие пассивирующих материалов, включая нитрид кремния, диоксид кремния; высокоселективное анизотропное травление всех типов кремнесодержащих пленок, полупроводниковых соединений и тугоплавких металлов, включая Si, SiO₂, поликремний, Si₃N₄, GaAs и Mo; микромеханическое производство; удаление материалов на интегральных схемах для анализа отказов; травление органических материалов 
• Рабочая камера: алюминиевая
• Загрузка ручная, открытая

далее

• Полностью автоматическая установка реактивно-ионного травления с кассетным загрузчным блоком для серийного производства
• Назначение: высококачественное анизотропное травление кремниевых пленок для приборов ультравысокой степени интеграции, а также всех прочих типов кремниевых пленок; травление пленок тугоплавких металлов; травление органических покрытий, озоление фоторезиста и формирование контактных окон; производство оптических волноводов; микромеханическое производство; производство различных типов датчиков; производство приборов на базе подложки кристалла
• Рабочая камера: алюминиевая; смотровое окно ø40мм для визуального контроля
• Загрузочный шлюз: одно или двухкассетный, алюминиевый

далее

• Полностью автоматическая установка реактивно-ионного травления с вакуумируемыми кассетным загрузчным блоком и системой перемещения для серийного производства. Конструкция позволяет применять в процессах агрессивные/токсичные газы (например, хлорсодержащие)
• Назначение: высококачественное анизотропное травление кремниевых пленок (Si, поли-Si, SiO₂, Si₃N₄, прочие); травление различных металлических пленок; травление полупроводниковых соединений (GaAs, GaN, InP и прочих); озоление фоторезиста и формирование контактных окон; производство волноводных устройств; микромеханическое производство
• Загрузочный шлюз: кассетный, вакуумируемый
• Перемещение пластин: вакуумный робот

далее

• Полностью автоматическая установка травления индуктивно-связанной плазмой с открытой загрузкой для НИОКР и анализа отказов ИС
• Назначение: анизотропное травление SiO₂, Si₃N₄; травление органических материалов  и диэлектриков
• Загрузка ручная, открытая
• Подложки:  пластины до 4” или несколько образцов или приборов

далее

• Полностью автоматическая установка травления индуктивно-связанной плазмой с  загрузочным блоком для НИОКР и анализа отказов ИС
• Назначение: анизотропное травление кремниевых пленок; травление металлических пленок, полупроводниковых соединений (GaAs, GaN, InP, пр.); производство волноводных устройств; высокоскоростное травление Al₂O₃, SiO₂ 
• Рабочая камера: из нержавеющей стали, ø309,5мм; смотровое окно ø40мм для визуального контроля; 9 дополнительных отверстий (портов) для подключения аналитического оборудования
• Загрузочная камера: алюминиевая, (451х308х146)мм

далее

• Компактная автоматическая установка травления индуктивно-связанной плазмой с  загрузочным блоком для НИОКР и опытного производства, анализа отказов ИС
• Назначение: высококачественное анизотропное травление всех видов кремниевых пленок для приборов ультравысокой степени интеграции; травление GaAs, GaN, InP и других полупроводниковых соединений; производство быстродействующих приборов; производство силовых приборов (монолитных СВЧ-ИС, транзисторов с высокой подвижностью электронов и пр.); производство ПАВ-фильтров; производство волноводных устройств; травление металлических пленок; травление органических покрытий; микромеханическое производство  
• Рабочая камера: ø440мм из алюминия с антикоррозионным покрытием и контролируемой температурой
• Загрузочная камера: алюминиевая, (520х440х205)мм с ручным открытием/закрытием камеры загрузки. Позволяет использовать хлорсодержащие реагенты

далее

• Высокопроизводительная автоматическая установка травления индуктивно-связанной плазмой высокой для производства светодиодов
• Назначение: травление мезаструктур  GaN;  травление четверных полупроводниковых соединений, например AlInGaP;  травление сапфира; структурирование поверхности  
• Рабочая камера: ø440мм из алюминия
• Загрузочная камера: алюминиевая, (520х440х205)мм с ручнам открытием/закрытием камеры загрузки.

далее

• Автоматическая установка травления индуктивно-связанной плазмой с  загрузочным блоком для производства, анализа отказов ИС
• Назначение: производство лазерных диодов; травление GaAs, GaN, InP; формирование полосы лазерных диодов; производство фотонно-кристаллических приборов; производство точечных квантовых приборов; высокоравномерное травление полупроводниковых и диэлектрических пленок; травление органических покрытий
• Опертивное управление температурой стенок рабочей камеры и подложкодержателя
• Загрузочная камера: алюминиевая, с ручнам открытием/закрытием камеры загрузки. Позволяет использовать хлорсодержащие реагенты

далее

• Специализированная установка травления оксида и карбида кремния индуктивно-связанной высокоплотной плазмой с  загрузочным блоком для НИОКР и производства
• Назначение: изготовление SiO₂ шаблонов (высокоскоростное травление SiO₂) и высокоскоростное травление SiC для производства мощных приборов на SiC; производство оптических устройств (оптических волноводов и микролинз); производство микроканалов;  производство различных датчиков 
• Перемещение пластин: линейным вакуумным автоматическим манипулятором
• Пластины:  до 150 мм

далее

• Высокопроизводительная автоматическая установка травления индуктивно-связанной плазмой фторсодержащих газов с атмосферной кассетной загрузкой для НИОКР, производства и анализа отказов ИС
• Назначение: вскрытие пассивирующих материалов, включая Si₃N₄, SiO₂, SiO_xN_y; озоление фоторезиста; анизотропное травление всех типов кремнесодержащих пленок, полупроводниковых соединений и тугоплавких металлов, включая Si, SiO₂, поли-Si, Si₃N₄, GaAs и Mo; производство приборов на поверхностных аккустических волнах
• Загрузочная камера: для одной или двух кассет
• Перемещение пластин: атмосферным линейным автоматическим манипулятором с вакуумным захватом и устройством центрирования пластины

далее

• Автоматическая установка травления индуктивно-связанной плазмой с кассетной загрузкой для производства, анализа отказов ИС
• Назначение: высокоскоростное глубокое травление SiO₂ и полупроводниковых соединений — InP, GaN, AlGaAs, GaAs; щадящее травление GaN, GaAs, InP для производства электронных и светоизлучающих приборов; травление ферроэлектрических материалов для приборов памяти; высокоскоростное травление для производства МЭМС; травление органических соединений  
• Вакуумируемая загрузочная камера. Позволяет использовать хлорсодержащие и фторсодержащие реагенты
• Перемещение пластин: вакуумным автоматическим манипулятором

далее

• Автоматическая установка травления индуктивно-связанной плазмой с кассетной загрузкой для массовое производства
• Назначение: анизотропное травление всех видов полупроводниковых, изолирующих и металлических пленок; массовое производство светодиодов; травление GaN; травление сапфира
• Рабочая камера: (650х650)мм из алюминия с контролируемой температурой стенок и подложки
• Загрузочная камера: алюминиевая, (720х720)мм. Позволяет использовать хлорсодержащие и фторсодержащие реагенты

далее

• Специализированная установка травления высокоплотной индуктивно-связанной плазмой с кассетной загрузкой для НИОКР и производства
• Назначение: изготовление SiO₂ шаблонов для (высокоскоростное травление SiO₂) и высокоскоростное травления SiC для производства мощных приборов; производство оптических устройств (оптических волноводов и микролинз); производство микроканалов;  производство различных датчиков    
• Рабочая камера: из алюминия
• Загрузочная камера: алюминиевая, с вакуумным роботом-перегрузчиком

далее

• Автоматическая установка высокоскоростного глубокого травления кремния индуктивно-связанной плазмой с  загрузочным блоком для НИОКР
• Назначение: производство МЭМС (акселерометров, гироскопов, актюаторов и пр.); производство головок струйных принтеров; создание переходных отверстий в кремнии при производстве 3D-интегрированных структур (травление отверстий в пластинах глубиной до 600 мкм); производство медицинских приборов (системы полного микроанализа и пр.); возможность проведения Бош-процессов 
• Рабочая камера: из алюминия, внутренний ø320мм
• Загрузочная камера: алюминиевая, (340х445х144)мм. Загрузка пластин ручная

далее

• Автоматическая установка высокоскоростного глубокого травления кремния индуктивно-связанной плазмой с  загрузочным блоком для НИОКР и пилотного производства
• Назначение: производство МЭМС (акселерометров, гироскопов, актюаторов и пр.); создание переходных отверстий в кремнии при производстве 3D-интегрированных структур (травление отверстий в пластинах глубиной до 600 мкм); производство датчиков; возможность проведения Бош-процессов; резка кремниевых пластин на чипы; производство головок струйных принтеров; производство медицинских приборов (системы полного микроанализа и пр.) 
• Рабочая камера: из алюминия, внутренний ø440мм
• Загрузочная камера: алюминиевая, (340х445)мм . Загрузка пластин ручная

далее

• Автоматическая установка высокоскоростного глубокого травления кремния индуктивно-связанной плазмой с  кассетной загрузкой для массового производства
• Назначение: производство МЭМС (акселерометров, гироскопов, актюаторов и пр.); создание переходных отверстий в кремнии при производстве 3D-интегрированных структур (травление отверстий в пластинах глубиной до 600 мкм); производство датчиков; возможность проведения Бош-процессов; резка кремниевых пластин на чипы;
• Рабочая камера: из алюминия, внутренний ø440мм
• Вакуумируемая кассетная загрузочная камера. Загрузка пластин кассетная автоматическая

далее

• Автоматическая настольная установка плазменной очистки (реативно-ионное/плазменное травление) с  ручной загрузкой для НИОКР и производства
• Назначение: плазменная очистка и обработка поверхности стекла, металлов, полимеров, полупроводников, керамики и пр.; очистка поверхности пластиковых корпусов и выводных рамок; прецезионная очистка оптических компонентов и матриц; обработка поверхности органических пленок; озоление фоторезиста; удаление органических загрязнений; улучшение адгезии
• Рабочая камера: из нержавеющей стали, (382x356x209) мм. Смотровое окошко ø66 мм. Ручное открытие/закрытие камеры
• Пластины:  ø2” – до 18шт., ø4” – до 6шт. на одном лотке, максимум – 2 лотка

далее

• Автоматическая настольная установка плазменной очистки (реативно-ионное/плазменное травление) с  ручной загрузкой для НИОКР и производства
• Назначение: очистка поверхности пластиковых корпусов, оснований жидкокристаллических дисплеев, многочиповых модулей и гибридных ИС;  прецезионная очистка оптических компонентов; обработка поверхности текстильных и полимерных материалов; озоление фоторезиста; удаление пасты для толстопленочных микросхем; удаление органических загрязнений
• Рабочая камера: из нержавеющей стали, (459x615x459) мм. Смотровое окошко ø66 мм в алюминиевой двери камеры с ручным открытием/закрытием
• Пластины:  от ø2” до ø 300 мм

далее

• Автоматическая установка прямой плазменной очистки с большой рабочей камерой для НИОКР и производства
• Назначение: очистка крупноразмерных подложек или партий небольших изделий; очистка поверхности пластиковых корпусов и выводных рамок;  очистка поверхности стеклянных подложек; прецезионная очистка оптических компонентов и матриц; озоление фоторезиста; очистка поверхности органических пленок; удаление органических загрязнений
• Подложки: до (80х250) мм или (500х500) мм
• Ручная или кассетная загрузка

далее