Plasma Etch

PE-25

  • Недорогая установка плазменной очистки базового уровня для НИОКР, мелкосерийного производства, университетов и т.д.
  • Подложки до (3″x 6″)
  • Один горизонтальный электрод — 3,5″ x 7″; зазор — 2,5″   
  • Генератор: 400Вт, 50кГц с плавным регулированием мощности

далее


PE-25 Venus

  • Недорогая полностью автоматизированная установка плазменной очистки базового уровня для НИОКР, мелкосерийного производства, университетов и т.д.
  • Подложки до (3″x 6″)
  • Один горизонтальный электрод — 3,5″ x 7″; зазор — 2,5″ 
  • Генератор: 400Вт, 50кГц с плавным регулированием мощности  

далее


PE-50

  • Недорогая компактная настольная установка плазменной очистки базового уровня для НИОКР, мелкосерийного производства, университетов
  • Подложки до (4″x 5,5″)
  • Один горизонтальный электрод — 4,5″ x 6″; зазор — 2,5″  
  • Генератор: 400Вт, 50кГц с плавным регулированием мощности

далее


PE-50 Venus

  • Недорогая полностью автоматизированная компактная настольная установка плазменной очистки базового уровня для НИОКР, мелкосерийного производства, университетов; подложки до (4″x 5,5″)
  • Один горизонтальный электрод — 4,5″ x 6″; зазор — 2,5″  
  • Генератор: 400Вт, 50кГц с плавным регулированием мощности
  • Регулировка газового потока: два ротаметра (0÷25) см3/мин с прецезионными игольчатыми клапанами, возможность использования двух газов одновременно

далее


PE-50 XL

  • Недорогая компактная базового уровня настольная установка очистки плазмой низкого давления с увеличенным объемом рабочей камеры для НИОКР, мелкосерийного производства, университетов; подложки до (6″x 7″)
  • Один горизонтальный электрод — 7″ x 8″; зазор — 2,5″  
  • Генератор: 400Вт, 50кГц с плавным регулированием мощности
  • Регулировка газового потока: два ротаметра (0÷25) см3/мин с прецезионными игольчатыми клапанами, возможность использования двух газов одновременно

далее


PE-50 XL Venus

  • Недорогая полностью автоматизированная компактная настольная установка плазменной очистки в вакуумной среде базового уровня для НИОКР, мелкосерийного производства, университетов; подложки до (6″x 7″)
  • Один горизонтальный электрод — 7″ x 8″; зазор — 2,5″  
  • Генератор: 400Вт, 50кГц с плавным регулированием мощности
  • Регулировка газового потока: два ротаметра (0÷25) см3/мин с прецезионными игольчатыми клапанами, возможность использования двух газов одновременно

далее


PE-75

  • Недорогая базового уровня установка для плазменного озоления, удаления фоторезаста с протравленных пластин  для НИОКР, мелкосерийного производства, университетов
  • Подложки до (8″x 9″)
  • Обработка подложек фторсодержащей или кислородсодержащей плазмой
  • Один горизонтальный электрод — 9″ x 10″; зазор — 5,5″  

далее


PE-75 Venus

  • Недорогая полностью автоматизированная базового уровня установка для плазменного озоления, удаления фоторезаста с протравленных пластин  для НИОКР, мелкосерийного производства, университетов
  • Подложки до (8″x 9″)
  • Обработка подложек фторсодержащей или кислородсодержащей плазмой
  • Один горизонтальный электрод — 9″ x 10″; зазор — 5,5″  

далее


PE-100

  • Полностью автоматизированная настольная плазменная установка для НИОКР, медучереждений, производства, университетов
  • Стандартные конфигурации: 1 – для плазменной очистки/плазменного травления; 2 – для реактивно-ионного травления; 3 – трансформируемая конфигурация – обеспечивает изотропные и анизотропные плазменные процессы в одной системе
  • Подложки до (8″x 12″)
  • Три горизонтальных электрода (3 уровня)  — 9″ x 13″; зазор — 3″  

далее


PE-200

  • Полностью автоматизированная настольная промышленная плазменная установка
  • Возможные конфигурации: 1 – для плазменной очистки/плазменного травления; 2 – для реактивно-ионного травления; 3 – трансформируемая конфигурация – обеспечивает изотропные и анизотропные плазменные процессы в одной системе
  • Подложки до (12″x 15″)
  • Три горизонтальных электрода (3 уровня)  — 13″ x 16″; зазор — 3″  

далее


Plasma Etch BT-1(PE/RIE)

  • Промышленная плазменная установка для плазменной очистки, плазменного травления, для реактивно-ионного травления и прочих плазменных процессов в полупроводниковом производства, микроэлектронике, при производстве солнечных элементов, печатных монтажных плат и пр.
  • Пять горизонтальных электрода (5 уровней)  — 20″ x 21″; зазор — 3″  
  • Генератор: 600Вт, 13,56МГц с плавным регулированием мощности и системой автоматического регулирования
  • Регулировка газового потока: один РРГ (0÷200) см3/мин

далее


Plasma Etch Magna(PE)

  • Промышленная плазменная установка для плазменной очистки и травления обратной стороны
  • Конфигурация электрода: карусель (8 панелей 24″ x 30″), констукция электрода позволяет проводить процесса травления без использования CF4
  • Генератор: 2000Вт, 13,56МГц с плавным регулированием мощности и системой автоматического регулирования
  • Регулировка газового потока: два РРГ (0÷200) см3/мин с детектором снижения давления процессного газа

далее