• Компактная малогабаритная установка реактивно-ионного травления с открытой системой загрузки для НИОКР и мелкосерийного производства
• Назначение — реактивно-ионного травление соединений А₃В₅ (GaAs, InP, GaN и т.д.), диэлектириков (SiO₂, SiN_x и т.д.), кремния (Si, a-Si, поли-Si), металлических слоев (Au, Pt, Ti, Ta, W и т.д.)
• Подложки: до ø 200 мм
• Управление температурой  подложки вплоть до 400°C (жидкостное охлаждение и/или электрический нагрев)

далее

• Компактная малогабаритная установка травления индуктивно-связанной плазмой с открытой системой загрузки для НИОКР и мелкосерийного производства
• Назначение – травления индуктивно-связанной плазмой соединений А₃В₅ (GaAs, GaN), диэлектириков (SiO₂), кремния (Si)
• Подложки: до ø 200 мм
• Управление температурой  подложки вплоть до 400°C (жидкостное охлаждение и/или электрический нагрев)

далее

• Компактная малогабаритная установка для химического осаждения из газовой фазы индуктивно-связанной плазмой с открытой системой загрузки для НИОКР и мелкосерийного производства
• Назначение — осаждение высококачественных однородных слоев диэлектириков (SiO₂, Si₃N₄, SiO_xN_y), а также кремния (Si) и карбида кремния (SiС)
• Варианты исполнения: обособленные модули со шлюзовой камерой или в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой
• Подложки: до ø 200 мм

далее

• Компактная малогабаритная установка для плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы с открытой системой загрузки для НИОКР и мелкосерийного производства
• Назначение – плазмоактивированное химическое осаждение из газовой фазы диэлектириков (SiO₂, SiN_x, SiO_xN_y), кремния (Si, a-Si, поли-Si), карбида кремния (SiС), алмазоподобное углеродное покрытие (DLC)
• Подложки: до ø 200 мм
• Управление температурой  подложки от 20 до 400°C

далее

• Малогабаритные установки
• Варианты исполнения: ПХО (PECVD), РИТ (RIE), ПХТ (PE), РИТ/ ПХТ (RIE/PE), ПХТ с ИСП (ICP Etch)
• Подложки: 2” – до 9 шт; 3” – до 4 шт; 4” – до 2 шт; 6” – 1 шт; 8” – 1 шт с непосредственной загрузкой в рабочую камеру (ICP Etch – до 2”)
• Для проведения исследовательских работ и мелкосерийного производства

далее

• Установка реактивно-ионного травления для НИОКР, мелкосерийного и серийного производства
• Назначение – сухое анизотропное травление для широкого спектра процессов
• Варианты исполнения: обособленные модули со шлюзовой камерой или в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой
• Реакционная камера содержит параллельные пластины с подаваемым на них ВЧ (13,56 МГц) напряжением

далее

• Установка травления индуктивно-связанной плазмой высокой плотности при пониженном давлении для НИОКР и мелкосерийного производства
• Назначение — травления индуктивно-связанной плазмой соединений А₃В₅ (InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN и т.д.), металлов (Nb, W), крио-травление Si, Bosch-процессы глубокого травления Si и SOI для MEMS-структур, микропневматики и фотоники
• Процессные модули могут работать самостоятельно ( с использованием загрузочного шлюза), либо в составе кластера (с использованием шестиугольного или квадратного модуля перемещения)
• Подложки: до ø200 мм

далее

• Установка для химического осаждения из газовой фазы индуктивно-связанной плазмой высокоплотных диэлектрических слоев при низких давлении и температуре
• Назначение – осаждение высококачественных однородных слоев диэлектириков (SiO₂, Si₃N₄, SiO_xN_y), а также кремния (Si) и карбида кремния (SiС) при температуре от 20°C
• Варианты исполнения: обособленные модули со шлюзовой камерой или в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой
• Подложки: групповая загрузка – пластины ø (50÷100) мм, одиночные пластины до ø 200 мм

далее

• Автоматизированные установки
• Варианты исполнения: ПХО (PECVD), ICP-CVD, PECVD-CVD, LPCVD, ПХТ (PE), РИТ/ ПХТ (RIE/PE), ПХТ с ИСП (ICP Etch)
• Подложки: 100÷200 мм
• Для проведения исследовательских работ и мелкосерийного производства

далее

• Установка для плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы диэлектрических и полупроводниковых слоев
• Назначение: осаждение слоев диэлектириков (SiO₂, Si₃N₄, SiO_xN_y), аморфного кремния (а-Si) и карбида кремния (SiС) при температуре электрода  400°C; осаждение кремниевых нанопроводов и высокотемпературных пленок при температуре электрода  700°C
• Варианты исполнения: обособленные модули со шлюзовой камерой или в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой
• Подложки: от ø 50 мм до ø 200 мм

далее

• Установка глубокого травления кремния для НИОКР и производства
• Назначение – для Бош-процесса травления и криогенного глубокого травления Si  при производстве MEMS-структур, современного пакетирования и  нанотехнологий
• Процессные модули могут работать самостоятельно ( с использованием загрузочного шлюза), либо в составе кластера (с использованием шестиугольного или квадратного модуля перемещения)
• Подложки: пластины от ø50 мм до ø200 мм

далее

• Установка травления одиночных пластин индуктивно-связанной плазмой высокой плотности
• Назначение — травления индуктивно-связанной плазмой соединений GaN, SiС, сапфира, GaN на сапфире
• Позволяет применять в процессах агрессивные химические вещества (например, BCl₃)
• Установка  может работать самостоятельно, либо в составе кластера с использованием других установок PlasmaPro

далее

• Установка для выращивания наноматериалов в местах каталитической активации поверхности подложки
• Может использоваться для роста следующих наноструктурированных материалов: C, Si, Ge, ZnO, Ga₂O₃, SiC, GaN, GaAs, GaP, InP, ZnS, InN
• Применяется для получения 2D материалов: MoS₂, MoSe₂, WS₂, WSe₂, MoO₂, WO₃, CuO, TiO₂, MnO₂, V₂O₅, WTe₂, MoTe₂, ZrS₂, ZrSe₂, LaNb₂O₂, Bi₄Ti₃O₁₂, NbSe₂, TaS₂, GaSe, GaTe, Ni(OH)₂
• Поддерживает стандартные процессы ПА ХОГФ для SiO₂, SiN_x, a-Si, SiON, поли-Si, SiC

далее

• Автоматизированная установка
• Варианты исполнения: ПХО (PECVD), ПХТ (PE), РИТ/ ПХТ (RIE/PE)
• Подложки: до 300 мм
• Для проведения исследовательских работ и мелкосерийного производства

далее

• Высокопроизводительная установка для плазмохимического травления при серийном производстве светодиодов
• Назначение – плазмохимическое травления соединений GaN, AlGaInP, сапфира (Al₂O₃)
• Позволяет применять в процессах агрессивные химические вещества
• Варианты исполнения: одиночная установка; кластере, объединяющий до 3-х установок

далее

• Установка для плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы с открытой системой загрузки для группового производства светодиодов
• Назначение – пассивация за счет плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы диэлектириков (SiO₂, SiN_x), а также осаждение нитридов и оксидов металлов
• Варианты исполнения: одиночная установка; установка для работы в кластере
• Подложки: пластины ø50мм – 61 шт; ø100мм – 15 шт; ø150мм – 7 шт; ø200мм – 3 шт; ø300мм – 1 шт; ø450мм – 1шт

далее