АО «НИИТМ»

ПЛАЗМА ТМ 300

  • Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
  • Назначение: для группового плазмохимического травления диэлектрических (SiO₂, Si₃N₄ и другие), металлических (Al, Cr и другие), полупроводниковых и полимерных слоев на пластинах
  • Подложки: пластины до ø300мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек из кассеты в кассету
  • Тип загрузки пластин: FOUP контейнер
  • Система переноса носителя подложек из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Температура нагрева стенок реактора: до 60°С
  • Гелиевое охлаждение и механический прижим пластин
  • Рабочие газы: Cl₂, HBr, SF₆, CF₄, CHF₃, O₂, Ar, He и пр.
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤21 кВт

ПЛАЗМА ТМ 200-01

  • Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
  • Назначение: для плазмохимического травления поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии)
  • Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
  • Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
  • Система переноса пластин на основе манипулятора
  • Камера рабочая алюминиевая, цельнометаллическая с моторизованным подъемом колпака и нагревом стенок
  • Температура нагрева стенок реактора: до 60°С
  • Гелиевое охлаждение и механический прижим подложки или пластины
  • Источник напряжения смещения на подложку
  • Рабочие газы: Cl2, HBr, SF6, CF4, O2, N2, He и пр.
  • Сжатый воздух: (0,4÷0,6)Мпа, 30л/мин, 12 класс загрязненности по ГОСТ 17433-80
  • N2 технический: 99,5%, (2,5÷6)атм, (28÷44)л/мин
  • Скорость анизотропного травления кремния: ≥(0,5÷1) мкм/мин
  • Неравномерность травления для бинарного рельефа: ≤5%
  • Порт для оптического контроля плазмы по спектру
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Чиллер охлаждения установки HRS050-AF-B (SMC)
  • Охлаждающая вода (предусмотрено охлаждение на базе автономного источника – чиллера): ≥10л/мин, (17÷22)°С
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Возможность быть в составе кластера
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤19 кВт
  • Занимаемая площадь: ~6м2

ПЛАЗМА ТМ 200-02

  • Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
  • Назначение: для индивидуального или группового глубокого плазмохимического анизотропного ICP травления кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а также сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosch-процесса
  • Режимы работы: ручной, автоматический
  • Подложки: 60х48мм; пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
  • Объем загрузки: 60х48мм – 7 шт.; ø76мм – 4 шт.; ø100мм, ø150мм, ø200мм – 1 шт.
  • Система переноса носителя из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Камера рабочая алюминиевая, цельнометаллическая с моторизованным подъемом колпака и нагревом стенок
  • Температура нагрева стенок реактора: до 60°С
  • Гелиевое охлаждение и механический прижим пластин
  • ВЧ источник плазмы: ≥3000Вт, 13,56МГц
  • Газовая система: 5 газовых каналов (опционно – до 8)
  • Рабочие газы: He, SF6, C4F8, O2, Ar и пр.
  • Скорость анизотропного травления кремния: ≥(0,5÷1) мкм/мин
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы, отдельный форвакуумный насос для шлюзовой камеры
  • Микропроцессорная система управления
  • Система водяного охлаждения на базе чиллера
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Возможность быть в составе кластера
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤19 кВт
  • Габаритные размеры со шкафом управления: ≤1600х3200х1800мм
  • Вес: ≤1400кг

ПЛАЗМА ТМ 200-03

  • Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
  • Назначение: для высокоселективных процессов плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров
  • Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
  • Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
  • Система переноса носителя из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Температура нагрева рабочий стола: до 250°С
  • Удаленный источник СВЧ плазмы для травления радикалами
  • Рабочие газы: He, SF6, C4F8, O2, Ar и пр.
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Система водяного охлаждения
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Возможность быть в составе кластера
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤15,5кВт

ПЛАЗМА ТМ 200-04

  • Установка атомно-слоевого травления с ICP плазмой для мелкосерийного производства
  • Назначение: для атомно-слоевого травления оксида кремния, кремния и очистки поверхности
  • Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
  • Камера рабочая алюминиевая
  • Система прогрева стенок реактора: встроенными нагревателями
  • Температура нагрева стенок реактора: до 60°С
  • Варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер
  • Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора
  • Стол для травления с подачей гелия под пластину, с механическим устройством прижима и подачей ВЧ-напряжения смещения
  • Температура рабочего стола: (-30÷+100)°C
  • Источник ICP плазмы с цилиндрическим индуктором для формирования высокоплотной плазмы
  • Рабочие газы: He, SF6, C4F8, O2, Ar и пр.
  • Скорость травления SiO2, Si: (0,1÷1)нм/цикл
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Может входить в кластерный комплекс
  • Система водяного охлаждения
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц

ПЛАЗМА ТМ 7

  • Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для индивидуального травления диэлектрических слоев и полупроводниковых материалов методом реактивно-ионного травления
  • Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм
  • Загрузка: из кассеты в кассету
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин из кассеты в кассету
  • Система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Регулирование и автоматическое поддержание мощности ВЧ рабочего стола: (50÷400)Вт
  • Газовая система: 4 газовых канала с РРГ
  • Рабочие газы: He, SF6, C3F8, O2, Ar, CF4, CHF3 и пр.
  • Сжатый воздух
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤6,5кВт

ПЛАЗМА ТМ 8

  • Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для индивидуального реактивно-ионного травления алюминиевой металлизации в хлорсодержащей плазме, а также тонких металлических слоев (Au, Pt, Ti, и др.), диэлектрических слоев (SiO2, SiN и др.), кремниевых слоев (Si, a-Si, поли-Si), материалов группы А3B5 (GaAs, InP, GaN, и др.)
  • Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм
  • Загрузка: из кассеты в кассету
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин из кассеты в кассету
  • Система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Внутренний диаметр камеры: 300мм
  • Температура нагрева стенок реактора: (50÷70)°С
  • Регулирование и автоматическое поддержание мощности ВЧ рабочего стола: (50÷400)Вт
  • Измерение напряжения на ВЧ рабочем столе: (0÷1000)В
  • Газовая система: 4 газовых канала с РРГ
  • Рабочие газы: Cl, BCl3, He и пр.
  • Сжатый воздух
  • Скорость травления Al: (3000÷5000)Å/мин
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤12 кВт

ПЛАЗМА ТМ 09

  • Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для индивидуального и группового плазмохимического селективного (реактивно-ионного, анизотропного) травления кварца, пирекса, алмазных пленок, карбида кремния и других труднотравимых диэлектрических и полупроводниковых слоев
  • Подложки: 60х48мм; пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм
  • Загрузка: ручная
  • Объем загрузки: 60х48мм – 3шт; пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм – по 1 шт.
  • Регулирование и автоматическое поддержание мощности ВЧ рабочего стола: (400÷600)Вт
  • Измерение напряжения на ВЧ рабочем столе: (0÷1000)В
  • Гелиевое охлаждение пластин
  • Рабочие газы: SF6, C4F8, O2, CHF3 и пр.
  • Скорость травления: (0,5÷1,5)мкм/мин
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤7 кВт

МВУ ТМ ПЛАЗМА 03

  • Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для индивидуального плазмохимического селективного (реактивно-ионного, анизотропного) травления диэлектрических и металлических слоев
  • Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм
  • Загрузка: ручная
  • Объем загрузки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм – по 1 шт.
  • ВЧ источник IСР: 13,56 МГц, до 1000 Вт
  • ВЧ генератор стола-подложкодержателя: 13,56 МГц, до 600 Вт
  • Регулирование и автоматическое поддержание мощности ВЧ рабочего стола: (30÷200)Вт
  • Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ICP источника плазмы: (400÷600)Вт
  • Измерение напряжения на ВЧ рабочем столе: (0÷1000)В
  • Гелиевое охлаждение пластин
  • Газовая система: 4 газовых каналов с РРГ
  • Рабочие газы: SF6, CF4, O2, Ar и пр.
  • Скорость изотропного травления (1÷3)мкм/мин
  • Скорость анизотропного травления кремния: (0,5÷1,0)мкм/мин
  • Неравномерность травления кремния на пластине ø100мм: ±3%
  • Микропроцессорная система управления
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН 300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤6,5  кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

ПЛАЗМА ТМ 4

  • Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для группового плазмохимического удаления фоторезиста и очистки органических примесей на пластинах, а также стерилизации медицинских, в том числе термолабильных инструментов, приспособлений, ёмкостей, посуды и т.д.
  • Загрузка: ручная
  • Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм
  • Объем загрузки: до 20 пластин в кварцевой лодочке
  • Поддержание стабильного ВЧ разряда при (10÷100)Па
  • Рабочие газы: N2, O2 и пр.
  • Микропроцессорная система управления
  • Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤4,5  кВт

ИЗОФАЗ ТМ 300

  • Установка плазмохимического осаждения для серийного производства
  • Назначение: для группового низкотемпературного плазмохимического осаждения диэлектрических слоев оксида или нитрида кремния из газовой фазы
  • Подложки: пластины до ø300мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек из кассеты в кассету
  • Тип загрузки пластин: FOUP контейнер
  • Система переноса носителя подложек из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Температура нагрева стенок реактора: до 60°С
  • Нагрев рабочего стола: до 350°С
  • Для создания смещения на подложку подается ВЧ мощность на нагреваемый рабочий столик реактора
  • Источник ICP: 13,56 МГц
  • Рабочие газы: SiH₄, O₂, N₂, N₂O, He, Ar и пр.
  • Скорость осаждения слоев SiO₂: ≥0,5нм/с
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤21 кВт

ИЗОФАЗ ТМ 200-01

  • Установка атомно-слоевого осаждения с ICP плазмой для мелкосерийного производства
  • Назначение: для атомно-слоевого осаждения свертонких пленок (в т.ч. Al2O3)
  • Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
  • Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
  • Система переноса пластин на основе манипулятора
  • Осаждение в термическом режиме с удаленным ICP источником плазмы
  • ВЧ-генератор: 13,56МГц
  • Порты для подключения ампул с прекурсором с высоким давлением насыщенных паров: 2шт
  • Порты для подключения ампул с низким давлением насыщенных паров: 2шт (опционально до 4 шт.)
  • Температура нагрева рабочего стола: до 300°С
  • Рабочие газы: O2, N2, He и пр.
  • При термическом АСО прекурсоры: ТМА (Al(CH3)3, подогреваемый до 30°С) и деионизованная вода (H20, охлаждаемая до 18°С)
  • При плазменном АСО прекурсоры: 
  • Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляные форвакуумные насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Может входить в кластерный комплекс
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤14 кВт

ИЗОФАЗ ТМ 200-02

  • Установка плазмохимического осаждения для мелкосерийного производства
  • Назначение: для плазмохимического осаждения диэлектрических слоев с ICP источником плазмы для формирования щелевой и межслойной изоляции, в том числе на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений
  • Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
  • Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
  • Система переноса пластин на основе манипулятора
  • Температура нагрева подложкодержателя: (200÷300)°С
  • Микропроцессорная система управления
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Может входить в кластерный комплекс
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤18кВт