АО «НИИТМ»

ПЛАЗМА ТМ 300

Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
Назначение: для группового плазмохимического травления диэлектрических (SiO₂, Si₃N₄ и другие), металлических (Al, Cr и другие), полупроводниковых и полимерных слоев на пластинах
Подложки: пластины до ø300мм
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек из кассеты в кассету
Тип загрузки пластин: FOUP контейнер
Система переноса носителя подложек из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
Температура нагрева стенок реактора: до 60°С

Показать больше

Гелиевое охлаждение и механический прижим пластин
Рабочие газы: Cl₂, HBr, SF₆, CF₄, CHF₃, O₂, Ar, He и пр.
Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
Микропроцессорная система управления
Возможность встраивания в чистую комнату
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤21 кВт

Показать меньше

ПЛАЗМА ТМ 200-01

Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
Назначение: для плазмохимического травления поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии)
Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
Система переноса пластин на основе манипулятора
Камера рабочая алюминиевая, цельнометаллическая с моторизованным подъемом колпака и нагревом стенок

Показать больше

Температура нагрева стенок реактора: до 60°С
Гелиевое охлаждение и механический прижим подложки или пластины
Источник напряжения смещения на подложку
Рабочие газы: Cl₂, HBr, SF₆, CF₄, O₂, N₂, He и пр.
Сжатый воздух: (0,4÷0,6)Мпа, 30л/мин, 12 класс загрязненности по ГОСТ 17433-80
N₂ технический: 99,5%, (2,5÷6)атм, (28÷44)л/мин
Скорость анизотропного травления кремния: ≥(0,5÷1) мкм/мин
Неравномерность травления для бинарного рельефа: ≤5%
Порт для оптического контроля плазмы по спектру
Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
Микропроцессорная система управления
Чиллер охлаждения установки HRS050-AF-B (SMC)
Охлаждающая вода (предусмотрено охлаждение на базе автономного источника – чиллера): ≥10л/мин, (17÷22)°С
Возможность встраивания в чистую комнату
Возможность быть в составе кластера
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤19 кВт
Занимаемая площадь: ~6м²

Показать меньше

ПЛАЗМА ТМ 200-02

Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
Назначение: для индивидуального или группового глубокого плазмохимического анизотропного ICP травления кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а также сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosch-процесса
Режимы работы: ручной, автоматический
Подложки: 60х48мм; пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
Объем загрузки: 60х48мм – 7 шт.; ø76мм – 4 шт.; ø100мм, ø150мм, ø200мм – 1 шт.
Система переноса носителя из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора

Показать больше

Камера рабочая алюминиевая, цельнометаллическая с моторизованным подъемом колпака и нагревом стенок
Температура нагрева стенок реактора: до 60°С
Гелиевое охлаждение и механический прижим пластин
ВЧ источник плазмы: ≥3000Вт, 13,56МГц
Газовая система: 5 газовых каналов (опционно – до 8)
Рабочие газы: He, SF₆, C₄F₈, O₂, Ar и пр.
Скорость анизотропного травления кремния: ≥(0,5÷1) мкм/мин
Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы, отдельный форвакуумный насос для шлюзовой камеры
Микропроцессорная система управления
Система водяного охлаждения на базе чиллера
Возможность встраивания в чистую комнату
Возможность быть в составе кластера
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤19 кВт
Габаритные размеры со шкафом управления: ≤1600х3200х1800мм
Вес: ≤1400кг

Показать меньше

ПЛАЗМА ТМ 200-03

Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
Назначение: для высокоселективных процессов плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров
Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
Система переноса носителя из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
Температура нагрева рабочий стола: до 250°С

Показать больше

Удаленный источник СВЧ плазмы для травления радикалами
Рабочие газы: He, SF₆, C₄F₈, O₂, Ar и пр.
Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
Микропроцессорная система управления
Система водяного охлаждения
Возможность встраивания в чистую комнату
Возможность быть в составе кластера
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤15,5кВт

Показать меньше

ПЛАЗМА ТМ 200-04

Установка атомно-слоевого травления с ICP плазмой для мелкосерийного производства
Назначение: для атомно-слоевого травления оксида кремния, кремния и очистки поверхности
Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
Камера рабочая алюминиевая
Система прогрева стенок реактора: встроенными нагревателями
Температура нагрева стенок реактора: до 60°С

Показать больше

Варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер
Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора
Стол для травления с подачей гелия под пластину, с механическим устройством прижима и подачей ВЧ-напряжения смещения
Температура рабочего стола: (-30÷+100)°C
Источник ICP плазмы с цилиндрическим индуктором для формирования высокоплотной плазмы
Рабочие газы: He, SF₆, C₄F₈, O₂, Ar и пр.
Скорость травления SiO2, Si: (0,1÷1)нм/цикл
Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
Микропроцессорная система управления
Возможность встраивания в чистую комнату
Может входить в кластерный комплекс
Система водяного охлаждения
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц

Показать меньше

ПЛАЗМА ТМ 7

Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
Назначение: для индивидуального травления диэлектрических слоев и полупроводниковых материалов методом реактивно-ионного травления
Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм
Загрузка: из кассеты в кассету
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин из кассеты в кассету
Система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
Регулирование и автоматическое поддержание мощности ВЧ рабочего стола: (50÷400)Вт

Показать больше

Газовая система: 4 газовых канала с РРГ
Рабочие газы: He, SF₆, C₃F₈, O₂, Ar, CF₄, CHF₃ и пр.
Сжатый воздух
Микропроцессорная система управления
Возможность встраивания в чистую комнату
Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤6,5кВт

Показать меньше

ПЛАЗМА ТМ 8

Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
Назначение: для индивидуального реактивно-ионного травления алюминиевой металлизации в хлорсодержащей плазме, а также тонких металлических слоев (Au, Pt, Ti, и др.), диэлектрических слоев (SiO₂, SiN и др.), кремниевых слоев (Si, a-Si, поли-Si), материалов группы А₃B₅(GaAs, InP, GaN, и др.)
Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм
Загрузка: из кассеты в кассету
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин из кассеты в кассету
Система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
Внутренний диаметр камеры: 300мм

Показать больше

Температура нагрева стенок реактора: (50÷70)°С
Регулирование и автоматическое поддержание мощности ВЧ рабочего стола: (50÷400)Вт
Измерение напряжения на ВЧ рабочем столе: (0÷1000)В
Газовая система: 4 газовых канала с РРГ
Рабочие газы: Cl, BCl₃, He и пр.
Сжатый воздух
Скорость травления Al: (3000÷5000)Å/мин
Микропроцессорная система управления
Возможность встраивания в чистую комнату
Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤12 кВт

Показать меньше

ПЛАЗМА ТМ 09

Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
Назначение: для индивидуального и группового плазмохимического селективного (реактивно-ионного, анизотропного) травления кварца, пирекса, алмазных пленок, карбида кремния и других труднотравимых диэлектрических и полупроводниковых слоев
Подложки: 60х48мм; пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм
Загрузка: ручная
Объем загрузки: 60х48мм – 3шт; пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм – по 1 шт.
Регулирование и автоматическое поддержание мощности ВЧ рабочего стола: (400÷600)Вт
Измерение напряжения на ВЧ рабочем столе: (0÷1000)В

Показать больше

Гелиевое охлаждение пластин
Рабочие газы: SF₆, C₄F₈, O₂, CHF₃ и пр.
Скорость травления: (0,5÷1,5)мкм/мин
Микропроцессорная система управления
Возможность встраивания в чистую комнату
Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤7 кВт

Показать меньше

МВУ ТМ ПЛАЗМА 03

Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
Назначение: для индивидуального плазмохимического селективного (реактивно-ионного, анизотропного) травления диэлектрических и металлических слоев
Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм
Загрузка: ручная
Объем загрузки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм – по 1 шт.
ВЧ источник IСР: 13,56 МГц, до 1000 Вт
ВЧ генератор стола-подложкодержателя: 13,56 МГц, до 600 Вт

Показать больше

Регулирование и автоматическое поддержание мощности ВЧ рабочего стола: (30÷200)Вт
Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ICP источника плазмы: (400÷600)Вт
Измерение напряжения на ВЧ рабочем столе: (0÷1000)В
Гелиевое охлаждение пластин
Газовая система: 4 газовых каналов с РРГ
Рабочие газы: SF₆, CF₄, O₂, Ar и пр.
Скорость изотропного травления (1÷3)мкм/мин
Скорость анизотропного травления кремния: (0,5÷1,0)мкм/мин
Неравномерность травления кремния на пластине ø100мм: ±3%
Микропроцессорная система управления
Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН 300) и безмасляный форвакуумный насосы
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤6,5 кВт
Занимаемая площадь: ~2,5м²

Показать меньше

ПЛАЗМА ТМ 4

Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
Назначение: для группового плазмохимического удаления фоторезиста и очистки органических примесей на пластинах, а также стерилизации медицинских, в том числе термолабильных инструментов, приспособлений, ёмкостей, посуды и т.д.
Загрузка: ручная
Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм
Объем загрузки: до 20 пластин в кварцевой лодочке
Поддержание стабильного ВЧ разряда при (10÷100)Па
Рабочие газы: N₂, O₂ и пр.
Микропроцессорная система управления
Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤4,5 кВт

ИЗОФАЗ ТМ 300

Установка плазмохимического осаждения для серийного производства
Назначение: для группового низкотемпературного плазмохимического осаждения диэлектрических слоев оксида или нитрида кремния из газовой фазы
Подложки: пластины до ø300мм
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек из кассеты в кассету
Тип загрузки пластин: FOUP контейнер
Система переноса носителя подложек из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
Температура нагрева стенок реактора: до 60°С

Показать больше

Нагрев рабочего стола: до 350°С
Для создания смещения на подложку подается ВЧ мощность на нагреваемый рабочий столик реактора
Источник ICP: 13,56 МГц
Рабочие газы: SiH₄, O₂, N₂, N₂O, He, Ar и пр.
Скорость осаждения слоев SiO₂: ≥0,5нм/с
Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
Микропроцессорная система управления
Возможность встраивания в чистую комнату
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤21 кВт

Показать меньше

ИЗОФАЗ ТМ 200-01

Установка атомно-слоевого осаждения с ICP плазмой для мелкосерийного производства
Назначение: для атомно-слоевого осаждения свертонких пленок (в т.ч. Al₂O₃)
Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
Система переноса пластин на основе манипулятора
Осаждение в термическом режиме с удаленным ICP источником плазмы

Показать больше

ВЧ-генератор: 13,56МГц
Порты для подключения ампул с прекурсором с высоким давлением насыщенных паров: 2шт
Порты для подключения ампул с низким давлением насыщенных паров: 2шт (опционально до 4 шт.)
Температура нагрева рабочего стола: до 300°С
Рабочие газы: O₂, N₂, He и пр.
При термическом АСО прекурсоры: ТМА (Al(CH₃)₃, подогреваемый до 30°С) и деионизованная вода (H₂0, охлаждаемая до 18°С)
При плазменном АСО прекурсоры:
Вакуумная система: турбомолекулярный и безмасляные форвакуумные насосы
Микропроцессорная система управления
Возможность встраивания в чистую комнату
Может входить в кластерный комплекс
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤14 кВт

Показать меньше

ИЗОФАЗ ТМ 200-02

Установка плазмохимического осаждения для мелкосерийного производства
Назначение: для плазмохимического осаждения диэлектрических слоев с ICP источником плазмы для формирования щелевой и межслойной изоляции, в том числе на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений
Подложки: пластины ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
Система переноса пластин на основе манипулятора
Температура нагрева подложкодержателя: (200÷300)°С

Показать больше

Микропроцессорная система управления
Возможность встраивания в чистую комнату
Может входить в кластерный комплекс
Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ≤18кВт

Показать меньше

Обратная связь

АО «НИИТМ»

ПЛАЗМА ТМ 300

ПЛАЗМА ТМ 200-01

ПЛАЗМА ТМ 200-02

ПЛАЗМА ТМ 200-03

ПЛАЗМА ТМ 200-04

ПЛАЗМА ТМ 7

ПЛАЗМА ТМ 8

ПЛАЗМА ТМ 09

МВУ ТМ ПЛАЗМА 03

ПЛАЗМА ТМ 4

ИЗОФАЗ ТМ 300

ИЗОФАЗ ТМ 200-01

ИЗОФАЗ ТМ 200-02

Презентации

Инженерное оборудование

Технологическое оборудование