Среднеразмерная
установка плазменной предочистки кристаллических подложек и удаления
наноразмерных органических загрязнений
Назначение:
проведение процессов очистки и удаления наноразмерных органических загрязнений
на пластинах до 4” с использованием различных газов, в том числе перед
процессами эпитаксии
Скорость
удаления органических загрязнений – около 20 нм/мин при высоком уровне мощности
RF-источника
Источник
плазмы: RF-источник,
13,56
МГц, режимы 7,2 / 10,2 / 30 Вт (общая мощность источника < 100Вт)
Установка
плазменной очистки или травления кристаллических подложек и удаления
наноразмерных органических загрязнений
Назначение:
проведение процессов очистки и удаления наноразмерных органических загрязнений
на пластинах до 8” с использованием различных газов, в том числе перед
процессами эпитаксии
Скорость
удаления органических загрязнений – около 20 нм/мин при высоком уровне мощности
RF-источника
Источники
плазмы: RF-источник,
13,56
МГц, режимы от 0 до 80 Вт (общая
мощность источника 80Вт); опционно – 300 Вт
Настольная
установка ультрафиолетовой озоновой очистки с системой нагрева подложке для
очистки всех типов кристаллических подложек
Назначение:
процессы очистки подложек (Si, GaAs,
оксид индия и олова, кварцевое стекло и все оксиды кристаллических подложек , в
т.ч. сапфир ), удаления и вскрытия фоторезиста, улучшения
гидрофильности поверхностей, очистки образцов для сканирующей и просвечивающей
электронной микроскопии, УФ-активации и полимеризация полимеров; очистка
поверхности золота и платины; очистка при производстве светодиодных дисплеев;
окисление поверхности металлических материалов
Бескислотная,
сухая, неразрушающая атомная очистка и удаление органических загрязнений за
счет УФ-излучения с длиной волн 185 нм
и 254 нм
Компактная
плазменная настольная установка магнетронного напыления покрытий постоянным
током с золотой мишенью для нанесения покрытий благородных металлов
Назначение:
магнетронное напыление металлических покрытий (Au, Pt, Ag); напыление проводящих золотых слоев
на образцах для сканирующей электронной микроскопии
Регулируемый
по высоте подложкодержатель
Напряжение
на источнике постоянного тока системы напыления — 500В; сила тока регулируется
от 0 до 50 мА (цифровой миллиамперметр); время напыления регулируется от 1 до
120 с
Настольная установка магнетронного напыления постоянным током высокой мощности с водяным охлаждением 2“ оголовка мишени, водяным чилером и вращающимся держателем образцов
Назначение: магнетронное напыление металлических покрытий, включая Zn, Al, Ti и тонкие углеродные слои
Подложки: пластины диаметром до 4″
Подложкодержатель ø 4″ с регулируемой высотой от 60 до 100 мм между образцом и мишенью
Компактная
установка высокочастотного плазменного магнетронного напыления с тремя 1“ оголовками
распылителя для магнетронного напыления неметаллических покрытий,
преимущественно — оксидов
Подложки:
пластины диаметром до 2″. Ручная
загрузка-выгрузка подложек
Один
вращающийся со скоростью от 1 до 10 об/мин 50-мм нагреваемый керамический
держатель с оболочкой из нержавеющей стали; угловой диапазон напыления: 0÷25°
Нагреватель
держателя до температуры 600°С (не более 5 минут) или 500°С (не более 2 часов)
с точностью поддержания температуры ±1°С
Компактная высоковакуумная установка плазменного магнетронного напыления с двумя 2“ оголовками (источниками/мишенями) DC/RF-плазмы для нанесения однослойных или многослойных пленок материалов, таких как различные сплавы, сегнетоэлектрики, полупроводники, керамика, диэлектрики, оптические покрытия, PTFE, и т.д.
Назначение — магнетронное напыление: металлических покрытий при использовании DC –источника; неметаллических покрытий при использовании RF-источника
Подложки: пластины диаметром до 4″. Ручная загрузка-выгрузка подложек
Один вращающийся со скоростью от 1 до 20 об/мин 140-мм нагреваемый керамический держатель с оболочкой из нержавеющей стали
Комбинированная
высоковакуумная установка плазменного магнетронного напыления с тремя 3“ оголовками
(источниками/мишенями) DC/RF-плазмы для нанесения однослойных или
многослойных пленок материалов, таких как различные сплавы, сегнетоэлектрики,
полупроводники, керамика, диэлектрики, оптические покрытия, PTFE…
Назначение
— магнетронное напыление: металлических покрытий при использовании DC –источника;
неметаллических покрытий при использовании RF-источника
Подложки:
пластины диаметром до 4″. Ручная
загрузка-выгрузка подложек
Один
вращающийся со скоростью от 1 до 20 об/мин 140-мм нагреваемый керамический
держатель с оболочкой из нержавеющей стали
Компактная
установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы
Процессная
камера из кварцевой трубы размерами ø 3″ х
19″
и фланцами из нержавеющей стали, один из фланцев размещен на подвижных полозьях
для удобства загрузки-разгрузки образцов; образец может быть помещен в
нагреваемую обмотку
Обмоточный
нагреватель размером ø 50 мм х 70 мм с защитной (для снижения тепловых потерь)
кварцевой трубкой с внутр. ø 2″ х 75 мм обеспечивает нагрев образца
до 400°C и крепится к подвижному фланцу
30-ти позиционный цифровой температурный контроллер
обеспечивает точность поддержания температуры ± 1°C
Многофункциональная
напольная высоковакуумная установка плазменного нанесения покрытий для НИОКР с
ручной загрузкой-выгрузкой подложек
Объединяет
в одной установке процессы термического
испарения, плазменного магнетронного напыления, осаждения углеродных покрытий для
нанесения пленок материалов, таких как металлы, полупроводники, диэлектрики и
т.д.
Источники
для осаждения пленок: AC-источник до 10 В, до 100 А для термического
испарения – позволяет испарять два материала одновременно, вольфрамовый
нагреватель обеспечивает температуру до 1800ºC; источник для осаждения углеродных пленок содержит два угольных стержня; DC-источник до 3 кВ,
до 10 мА для плазменного магнетронного напыления
Компактная
установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы SiOx, SiNx, SiOxNy, a-Si:H и прочих материалов с автоматически перемещающимся нагревателем рабочей
зоны
Процессная
камера из сверхчистой кварцевой трубы размерами ø 2″
х
39,4″
и фланцами из нержавеющей стали
Нагреватель
размещен на подвижных полозьях для возможности быстрого изменения температуры
на образцах
Максимальная
рабочая температура 1200°C
— на время не более 60 мин, 1100°C – для более длительного нагрева
Установка
плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы SiOx, SiNx, SiOxNy, a-Si:H и прочих материалов
Процессная
камера из сверхчистой кварцевой трубы размерами ø 2″
х
48″
(опционно — 3.14″ x 48») и фланцами из нержавеющей стали
Нагреватель
(208÷240В, 1ф, 4000Вт) обеспечивает максимальную рабочую
температуру 1200°C
— на время не более 60 мин, 1100°C – для более длительного нагрева (опционно –
двухзонный нагреватель)
30-ти позиционный цифровой температурный контроллер
обеспечивает точность поддержания температуры ± 1°C в термостабилизированном
участке 150 мм, общая длина зоны нагрева составляет 440 мм
Поворачиваемая двухзонная установка плазмоактивированного гибридного физикохимического осаждения неорганических соединений из газовой фазы
Процессная камера из сверхчистой кварцевой трубы ø 4″ в рабочей части и фланцами из нержавеющей стали ø 1″ для присоединения вакуумного насоса, соединением для подключения газа или смеси газов
Вращение трубы реактора механическим приводом (2÷10 об/мин) позволяет проводить комбинирование различных типов осаждения для достижения лучшей однородности
Встроенный источник испарения (из лодочки с вольфрамовой спиралью позволяет испарять твердые реагенты для обеспечения гибридных процессов осаждения. Максимальная рабочая температура испарения 1300°C – на время не более 60 мин, 1200°C – для более длительного нагрева
