• Установка реактивно-ионного травления и травления индуктивно связанной плазмой для НИОКР и аналитических лабораторий
• Для травления применяются химические соединения фтора и кислорода
• Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO₂, Si₃N₄); полимеров (полиметилметакрилата, полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста); металлов (Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Nb, Mo и других) 
• Подложки/пластины различных размеров (например: 7 х 2”) вплоть до1 х 8”

далее

• Установка ECR / Микроволнового травления плазмой высокой плотности с ручной загрузкой и вакуумным загрузочным шлюзом
• Смесь CH₄/H₂ и хлорсодержащие реакционные газы применяются для травления двойных – четверных полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6: GaN, GaAs, GaP, GaAlAs, InP, InGaAsP, ZnS, CdTe и HgCdTe
• Загрузка: от 7 пластин  Ø2″ до 1 – Ø200мм
• 220-мм подложкодержатель (электрод); гелиевое охлаждение обратной стороны подложкодержателя обеспечивает температуру пластины < 100°C

далее

• Установка реактивно-ионного травления для НИОКР и прототипирования с прямой загрузкой (опционно – через загрузочный шлюз)
• Для травления применяются химические соединения фтора
• Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO₂, Si₃N₄); полимеров; металлов (Ge, W, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Nb, NbN, Mo) 
• Подложки/пластины различных размеров: от небольших частей пластин до целых пластин Ø200мм

далее

• Установка реактивно-ионного травления для лабораторий анализа отказов с ручной загрузкой:

— изотропное (1500 нм/мин) удаление полиимида глубиной до 5000 нм,

— изотропное (700 нм/мин) и анизотропное (500 нм/мин) удаление Si3N4,

— изотропное и анизотропное (250 нм/мин) удаление SiO2,

• Размер пластины — до Ø200мм
• Технология разряда в системе с полым катодом
• Гелиевое охлаждение обратной стороны подложкодержателя

далее

• Установка реактивно-ионного травления для НИОКР
• Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO₂, Si₃N₄) глубиной до 500 нм и скоростью травления 120 нм/мин для Si и более 70 нм/мин для Si₃N₄; полимеров (полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста); металлов (Au, Pt, Fe, Cu, PZT, Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Ge, Nb, NbN, Mo). При травлении Ta обеспечивается профиль травления более 85° и скоростью травления более 90 нм/мин
• Подложки/пластины различных размеров: от небольших частей пластин до целых пластин ø8”
• 220-мм подложкодержатель (электрод), гелиевое охлаждение обратной стороны подложкодержателя

далее

• Установка реактивно-ионного травления для НИОКР
• Загрузка через вакуумный загрузочный шлюз
• Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
• Обширная встроенная библиотека стандартных процессов: травление с фторсодержащими газами кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO₂, Si₃N₄), металлов (Ge, W, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Nb, NbN, Mo), полимеров; травление с хлорсодержащими газами полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6 (GaN, AlGaN, GaAs, InP), металлов (Al, Cr, Ti) 

далее

• Установка травления индуктивно-связанной плазмой /  реактивно-ионного травления для НИОКР и мелкосерийного производства оптоэлектроники, МЭМС, силовой электроники, ИС для телекоммуникации, интегральной оптики и прочих
• Ручная загрузка через вакуумный загрузочный шлюз с электромагнитным приводом:  от 1 x 2” до 7 x 2”, от 1 x 3” до 3 x 3”, 1 x 4”, 1 x 6”, 1 x 8”
• Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
• Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO₂, Si₃N_4, SiC); полимеров (полиметилметакрилата, полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста);  полупроводниковых соединений А3В5 (GaN, AlGaN, InP) и А2В6 (ZnS, CdTe, HgCdTe); металлов (Al, Cr, Au, Ni, Fe, Pt, Cu, Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Ge, Nb, NbN, Mo); соединений повышенной твердости (Al₂O₃, SiC, LiTaO₃, стекла, кварц, сапфир)

далее

• Низкотемпературная установка осаждения диэлектриков и травления в высокоплотной индуктивно связанной плазме для НИОКР и специализированного производства (ИС для телекоммуникации, современные сборочные операции и прочих)
• Вакуумный загрузочный шлюз с устройством перемещения пластин и малым временем откачки
• В процессах применяются химические соединения фтора и хлора
• Загрузка:  пластины от 1 x 2” до 7 x 2”, от 1 x 3” до 3 x 3”, 1 x 4”, 1 x 6”

далее

• Установка высоко- и низкотемпературного плазмостимулированного осаждения для мелкосерийного производства и специализированного применения (оптоэлектроника, МЭМС, силовая электроника, ИС для телекоммуникации, интегральная оптика)
• Прямая загрузка (опционно – вакуумный загрузочный шлюз с устройством перемещения пластин и малым временем откачки)
• Изотермальный реактор, 260-мм подложкодержатель (электрод)
• Загрузка:  пластины от 1 x 2” до 11 x 2”, от 1 x 3” до 3 x 3”, 2 x 4”, 1 x 6”, 1 x 8”

далее

• Установка высокотемпературного плазмостимулированного осаждения для мелкосерийного производства и специализированного применения (оптоэлектроника, МЭМС, силовая электроника, ИС для телекоммуникации, интегральная оптика)
• Ручная загрузка через вакуумный загрузочный шлюз с электромагнитным устройством перемещения пластин и малым временем откачки)
• Изотермальный реактор, 260-мм подложкодержатель (электрод)
• Загрузка:  пластины от 1 x 2” до 11 x 2”, от 1 x 3” до 3 x 3”, 2 x 4”, 1 x 6”, 1 x 8”

далее

• Кластерная четырехмодульная установка серийного производства и специализированного применения
• Полностью автоматизированная кассетная загрузка с использованием вакуумного робота и подъемного устройства для кассет с механическим зажимом или электростатическим держателем (опционно) пластин
• Может объединять до трех процессных модулей с технологиями RIE (реактивно ионное травление), ICP-RIE (травление индуктивно связанной плазмой — реактивно ионное травление) или PECVD (плазм стимулированное осаждение из газовой фазы) серий Corial 200 (Corial 210RL, Corial 210IL, Corial D250)
• Транспортировочный модуль создан на базе вакуумного робота Brooks MagnaTran® 7 (MAG 7) для точного, надёжного и автоматизированного перемещения пластин

далее

• Установка реактивно-ионного травления для НИОКР и производства фотошаблонов, МЭМС и прочих
• Ручная загрузка: шаблоны от 2” x 2” до 8” x 8”; возможна групповая обработка пластин 7 x 4” и 3 x 6”

• Для травления применяются химические соединения фтора
• Применяется для травления: хрома и кварца при изготовлении фотошаблонов; кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO₂, Si₃N_4, Si); полимеров (полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста); металлов (Au, Pt, Fe, Cu, PZT, Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Ge, Nb, NbN, Mo)

далее

• Установка травления индуктивно-связанной плазмой /  реактивно-ионного травления для НИОКР и мелкосерийного производства
• Ручная загрузка через вакуумный загрузочный шлюз с роботизированным электромагнитным приводом:  до 19 x 2”, до 7 x 4”, до 3 x 6”, до 1 — Ø300мм
• Для травления применяются химические соединения хлора
• Применяется для травления: GaN, сапфира

далее

• Установка реактивно-ионного травления для производства фотошаблонов, МЭМС и оптоэлектроники
• Ручная загрузка через вакуумный загрузочный шлюз: шаблоны от 2” x 2” до 8” x 8”; возможна групповая обработка пластин 7 x 4” и 3 x 6”
• Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
• Применяется для травления: хрома и кварца при изготовлении фотошаблонов; кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO₂, Si₃N_4, Si); полимеров (полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста); металлов (Au, Pt, Fe, Cu, PZT, Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Ge, Nb, NbN, Mo); полупроводниковых соединений А3В5 (GaAs, GaP, GaN, AlGaN)

далее

• Установка травления индуктивно-связанной плазмой /  реактивно-ионного травления для специального полупроводникового производства: оптоэлектроники, МЭМС, приборов силовой электроники и прочих
• Загрузка через вакуумный загрузочный шлюз с устройством перемещения:  до 23 x 2”, до 7 x 4”, до 3 x 6”
• Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
• Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO₂, Si₃N_4, Si); полупроводниковых соединений А3В5 (GaN, AlGaN, GaP), сапфира

далее

• Установка высокотемпературного плазмостимулированного осаждения для производства изделий специализированного применения (фотоника, оптоэлектроника, МЭМС)
• Изотермальный реактор с вакуумной камерой и оригинальным распылителем
• Прямая загрузка — одиночные пластины до 300 мм, либо групповая загрузка, например: 27 x 2”
• Применяется для плазмостимулированного осаждения: aSi-H, SiO₂, Si₃N_4, SiC, SiOCH, SiOF

далее

• Установка высокотемпературного плазмостимулированного осаждения для производства изделий специализированного применения (фотоника, оптоэлектроника, МЭМС)
• Изотермальный реактор с вакуумной камерой и оригинальным распылителем
• Загрузка через вакуумный загрузочный шлюз — одиночные пластины до 300 мм, либо групповая загрузка, например: 27 x 2”
• Применяется для плазмостимулированного осаждения: aSi-H, SiO₂, Si₃N_4, SiC, SiOCH, SiOF

далее

• Установка реактивно-ионного травления
• Ручная загрузка через роботизированный вакуумный загрузочный шлюз: подложки 14″ х 14″

• Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
• Применяется для травления: металлов, полимеров и Si соединений

далее

• Высокопроизводительная установка плазмостимулированного осаждения для крупносерийного производства изделий специализированного применения (приборы силовой электроники, оптоэлектроника, МЭМС)
• Изотермальный реактор с вакуумной камерой и оригинальным распылителем
• Групповая загрузка: 104 x 2”, 25 x 4”, 9 x 6”, 4 x 8”  
• Применяется для плазмостимулированного осаждения: aSi-H, SiO₂, Si₃N_4, SiC, SiOCH, SiOF

далее