• Базовая установка плазмостимулированного газофазное осаждения для полупровод-никового производства и материаловедения в НИОКР и мелкосерийном производстве
• Загрузка: 21х2”, 9х3”, 5х4”, 1х6”, 1х8”, 1х12”
• Богатый набор программ процессов осаждения, включая SiN_x, SiO₂, a-Si, SiO_xN_y и SiC
• Оптимизированный распылитель для обеспечения высокой однородности осаждения с регулировкой для работы с нестандартными подложками, 305-мм подложкодержатель, высокотемпературный электрод (до 380°C), открытая загрузка для удобного доступа, цифровые регуляторы массового расхода, 5 газовых каналов стандартно

далее

• Установка плазмостимулированного газофазное осаждения пленок с ручной загрузкой для НИОКР, полупроводникового производства и научных исследований в материаловедении для однопластинной или групповой обработки
• Загрузка: 37х2”, 19х3”, 9х4”, 4х6”, ø16” – для образцов пользователя
• Осаждаемые слои: SiO₂, SiN_x, SiC, a-Si, SiO_xN_y
• Оптимизированный распылитель для обеспечения высокой однородности осаждения,  406-мм подложкодержатель, высокотемпературный электрод (80÷350°C),  небольшая занимаемая площадь (<1,0 м²),  до 8 газовых линий (6 каналов стандартно)

далее

• Установка реактивно-ионного травления для НИОКР, прототипирования и мелкосерийного производства
• Загрузка: 21х2”, 9х3”, 5х4”, 1х6”, 1х8”, 1х12”
• Библиотека стандартных технологических процессов травления: диэлектриков (в т.ч. SiN_x, SiO₂, a-Si, SiO_xN_y, SiC, Ta₂O₅), металлов (Al, Au, Cr, Ni, Ti и пр.), полимеров (в т.ч. полиимид, фоторезист), полупроводниковых материалов и соединений (Si, Ge, SiC, InP, GaAs, GaN, InGaAs и пр.)
• Подготовка поверхности (в т.ч. изменение кислородом свойств поверхности структурированного сапфира)

далее

• Установка реактивно-ионного бесщелочного (в основном соединениями фтора) травления широкого спектра материалов и подложек для НИОКР, прототипирования, пилотных линий  и мелкосерийного производства
• Загрузка: 37х2”, 19х3”, 9х4”, 4х6”, ø16” – для образцов пользователя
• Библиотека стандартных технологических процессов травления: диэлектриков (в т.ч. SiN_x, SiO₂, a-Si, SiO_xN_y, SiC, Ta₂O₅), полимеров (в т.ч. полиимид, фоторезист), подготовка поверхности ( изменение кислородом свойств поверхности структурированного сапфира), текстурирование поверхности твердотельных излучателей и солнечных элементов
• 406-мм подложкодержатель, открытая загрузка для удобного доступа при индивидуальной и групповой обработке, цифровые регуляторы массового расхода газа — до 8 газовых каналов (4 – стандартно)

далее

• Установка плазмохимического/реактивно-ионного травления для НИОКР, прототипирования и мелкосерийного производства, для фундаментальных исследований материалов и преобразования поверхности
• Загрузка: 21х2”, 9х3”, 5х4”, 1х6”, 1х8”, 1х12”
• Библиотека стандартных технологических процессов травления: диэлектриков (травление фтористыми соединениями SiN_x, SiO₂, a-Si, SiO_xN_y, SiC, Ta₂O₅), металлов (травление фтористыми соединениями), полимеров (в т.ч. полиимид, бензоциклобутен, фоторезист), полупроводниковых материалов и соединений (SiC, InP и пр.)
• Подготовка поверхности (в т.ч. изменеие кислородом свойств поверхности структурированного сапфира)

далее

• Установка травления индуктивно-связанной плазмой для НИОКР, прототипирования и мелкосерийного производства, для преобразования поверхности
• Подложки размером до 8”
• Библиотека стандартных технологических процессов травления: диэлектриков (SiN_x, SiO₂, a-Si, SiO_xN_y, SiC, Ta₂O₅), полимеров (в т.ч. полиимид, бензоциклобутен, фоторезист), подготовка поверхности ( изменеие кислородом свойств поверхности структурированного сапфира), текстурирование поверхности твердотельных излучателей и солнечных элементов
• 254-мм подложкодержатель (электрод), 320-мм ICP источник, шлюзовая загрузка, цифровые регуляторы массового расхода,  до 20 газовых каналов (4 – стандартно)

далее