• Система электронно-лучевой литографии
• Максимальный размер подложек: EBPG5150 фотошаблоны до 5 дюймов, пластины диаметром до 150 мм; EBPG5200 фотошаблоны до 7 дюймов, пластины диаметром до 200 мм

Технические характеристики VISTEC EBPG5200:

• Ускоряющее напряжение: 20, 50, 100 кВ (TFE источник)
• Макс. частота генератора развёртки: 50 МГц
• Отклонение луча в основном поле: 20 бит ЦАП
• Размер рабочего поля: от 168 мкм х 168 мкм до 1 мм х 1 мм (при 20, 50, 100 кВ)
• Мин. теоретический размер пятна: 2.2 Нм
• Пределы перемещения координатного стола: 210 мм х 210 мм

• Система электронно-лучевой литографии
• Ускоряющее напряжение: 50кВ
• Плотность тока: до 20А/см²
• Максимальный размер подложек: фотошаблоны до 7 дюймов, пластины диаметром до 200мм
• Область экспонирования: вся пластина диаметром до 200мм
• Степень автоматизации: полностью автоматический режим загрузки из кассеты в кассеты (SMIF контейнеры возможны), включая предварительную ориентацию фотошаблонов и пластин
• Пределы перемещения координатного стола: 210мм х 210мм
• Лазерный интерферометр: λ/1024
• Минимальный размер элемента структуры < 50нм, 25нм при использовании резиста HSQ

• Система электронно-лучевой литографии с изменяемым сечением электронного луча
• Ускоряющее напряжение: 50кВ
• Плотность тока: 20А/см²
• Минимальная адресная сетка: 1нм
• Максимальный размер подложек: фотошаблоны до 230мм (квадратные), пластины диаметром до 300мм
• Область экспонирования: вся пластина диаметром до 300мм
• Пределы перемещения координатного стола: 310мм х 310мм
• Минимальный размер элемента структуры < 32нм