RAITH

Raith PIONEER Two

Электронно-лучевой литограф и сканирующий электронный микроскоп
Энергия пучка 20 эВ – 30 кэВ
Зондовый ток 5 пА – 20 нА
Максимальный размер подложек: 2 дюйма
Минимальный размер получаемой структуры/линии < 8 нм
Минимальный размер периода решетки <40 нм
Автоэмиссионный катод Шоттки, диаметр пятна зонда <1,6 нм
Внутрилинзовый детектор вторичных электронов

Показать больше

Долговременная стабильность тока пучка (<0,5% / 1 час)
Лазерный интерферометрический стол 50х50х25 мм
Точность сшивки полей и наложения полей на больших площадях <50 нм (среднее значение + 3 сигма)
Точность позиционирования 2 нм
Генератор развертки 6 МГц (12 МГц опционально)
Автоматизация всех операций, автоматическое выравнивание плоскости фокуса, коррекция дрейфа, коррекция доз по измеряемому току. GDSII; импорт форматов AutoCAD DXF, ASCII, CIF
Коррекция эффекта близости
Опциональные возможности: энерго-дисперсионная спектроскопия (EDX), плазменная очистка камеры образца, модуль наклона и поворота образца, активная платформа виброподавления, активная система подавления шумов магнитного поля

Показать меньше

Raith e_Line PLUS

Электронно-лучевой литограф ультравысокого разрешения
Энергия пучка 20 эВ – 30 кэВ
Зондовый ток 5 пА – 20 нА
Максимальный размер подложек: 4 дюйма
Минимальный размер получаемой структуры/линии < 10 нм
Автоэмиссионный катод Шоттки, диаметр пятна зонда <2 нм
Внутрилинзовый детектор вторичных электронов
Долговременная стабильность тока пучка (<0,5% / 8 часов)

Показать больше

Лазерный интерферометрический стол 100х100х30 мм
Точность сшивки полей и наложения полей на больших площадях <40 нм (среднее значение + 3 сигма)
Точность позиционирования 1 нм
Генератор развертки 20 МГц
Автоматизация всех операций, автоматическое выравнивание плоскости фокуса, коррекция дрейфа, коррекция доз по измеряемому току. GDSII; импорт форматов AutoCAD DXF, ASCII, CIF
Коррекция эффекта близости
Опциональные возможности: система газовой химии на 5 линий, управляемый вручную шлюз для загрузки образца, до 4х наноманипуляторов, STEM-детектор, энерго-дисперсионная спектроскопия (EDX), внутрилинзовый детектор обратно-рассеянных электронов с селекцией по энергии, четырех-секционный детектор обратно-рассеянных электронов с селекцией по углу, плазменная очистка камеры образца, модуль наклона и поворота образца, система нагрева/охлаждения образца

Показать меньше

Raith VOYAGER

Высокопроизводительный электронно-лучевой литограф, построенный на инновационной технологии Raith eWrite
Энергия пучка до 50 кэВ
Зондовый ток 50 пА – 40 нА
Максимальный размер подложек: 8 дюймов
Минимальный размер получаемой структуры/линии < 10 нм
Минимальный размер периода решетки < 40 нм
Автоэмиссионный катод Шоттки
Электростатическая колонна

Показать больше

SE-ET детектор вторичных электронов
Стабильность позиции пучка <200 нм/8 час
Стабильность тока пучка: дрейф <0,5% / 1 час
Перемещение 6 дюймов (работа на пластинах до 8 дюймов)
Точность сшивки полей и наложения полей <25 нм (среднее значение + 3 сигма)
Стандартное единичное поле экспонирования 500 мкм
Генератор развертки 50 МГц
Адаптивные гибкие схемы распознавания маркеров выравнивания
Коррекция эффекта близости
Разрешение 18 бит на образце (20 бит опция)
Режимы FLEXposure, traxx (опция), periodixx (опция)
Опциональные возможности: детектор обратно-рассеянных электронов ASB, интегрируемый модуль наклона и поворота образца, Automatic Height Sensing

Показать меньше

Raith EBPG5150, Raith EBPG5200

Высокопроизводительный электронно-лучевой литограф
Энергия пучка 100 кэВ
Зондовый ток >200 нА
Максимальный размер подложек: 6 дюймов(EBPG5150), 8 дюймов (EBPG5200)
Минимальный размер получаемой структуры/линии < 10 нм
Единичное поле экспонирования до 1 мм
Генератор развертки 100 МГц
Автоматическая калибровка системы

Показать больше

Осевой и внеосевой фокус
Коррекция астигматизма
Коррекции дисторсии поля
Работа системы в полностью автоматическом режиме, без оператора
Многопользовательский интерфейс
Высокая точность сшивки полей и наложения полей
Полностью автоматический загрузчик на 10 держателей

Показать меньше

Raith 150 TWO

Электронно-лучевой литограф ультравысокого разрешения
Энергия пучка 100 эВ – 300 кэВ
Зондовый ток 5 пА – 20 нА
Максимальный размер подложек: 8 дюймов
Минимальный размер получаемой структуры/линии < 10 нм
Автоэмиссионный катод Шоттки, диаметр пятна зонда <2 нм
Внутрилинзовый детектор вторичных электронов
Долговременная стабильность тока пучка (<0,5% / 8 часов)

Показать больше

Лазерный интерферометрический стол 150х150х20 мм
Точность сшивки полей и наложения полей на больших площадях <35 нм (среднее значение + 3 сигма)
Точность позиционирования 1 нм
Генератор развертки 20 МГц
Полная автоматизация всех операций, автоматическое выравнивание плоскости фокуса, коррекция дрейфа, e-mail отчет текущего статуса процесса GDSII; импорт форматов AutoCAD DXF, ASCII, CIF
Коррекция эффекта близости
Опциональные возможности: система газовой химии на 5 линий, энерго-дисперсионная спектроскопия (EDX), внутрилинзовый детектор обратно-рассеянных электронов с селекцией по энергии, четырех-секционный детектор обратно-рассеянных электронов с селекцией по углу, плазменная очистка камеры образца, модуль наклона и поворота образца

Показать меньше

Raith ionLine

Ионно-лучевой литограф с широким диапазоном техник литографирования и прямой обработки поверхности ионным пучком, включая: сшивку и выравнивание полей экспонирования, многослойную литографию с высокоточным наложением, бесшовное рисование объектов с высоким аспектным соотношением, локальное травление и осаждение материалов
Применение: междисциплинарные научные центры и научные центры общего пользования
Размер подложек: плоские образцы пластин до 6 дюймов или образцы с выраженной топографией 3D
Энергия пучка от 15 до 40 кВ
Зондовый ток от 0.5 пА до 1 нА
Минимальный размер получаемой линии травления < 10 нм
Пространственное разрешение: 5 нм в режиме изображения
Ионная колонна

Показать больше

Возможность работы при низких дозах
Долговременная стабильность тока пучка
Высокая точность позиционирования и малый дрейф образца
Лазерный интерферометрический стол 100х100 мм
Точность позиционирования 1-2 нм
Точность сшивки полей и наложения полей порядка 10 нм (среднее значение)
Совместимость с 5 осями, поддержка работы в 3Д режиме, поддержка режима контроля качества
Режимы: GDSII, Live process monitor, DirectAlignDesign, Flexposure
Опциональные возможности: шлюз, система наноманипуляторов, газовая инжекционная система, оптический микроскоп

Показать меньше

Обратная связь

RAITH

Raith PIONEER Two

Raith e_Line PLUS

Raith VOYAGER

Raith EBPG5150, Raith EBPG5200

Raith 150 TWO

Raith ionLine

Презентации

Инженерное оборудование

Технологическое оборудование