RAITH

Raith PIONEER Two

  • Электронно-лучевой литограф и сканирующий электронный микроскоп
  • Энергия пучка            20 эВ – 30 кэВ
  • Зондовый ток             5 пА – 20 нА
  • Максимальный размер подложек: 2 дюйма
  • Минимальный размер получаемой структуры/линии < 8 нм
  • Минимальный размер периода решетки <40 нм
  • Автоэмиссионный катод Шоттки, диаметр пятна зонда <1,6 нм
  • Внутрилинзовый детектор вторичных электронов
  • Долговременная стабильность тока пучка (<0,5% / 1 час)
  • Лазерный интерферометрический стол 50х50х25 мм
  • Точность сшивки полей и наложения полей на больших площадях <50 нм (среднее значение + 3 сигма)
  • Точность позиционирования 2 нм
  • Генератор развертки 6 МГц (12 МГц опционально)
  • Автоматизация всех операций, автоматическое выравнивание плоскости фокуса, коррекция дрейфа, коррекция доз по измеряемому току. GDSII; импорт форматов AutoCAD DXF, ASCII, CIF
  • Коррекция эффекта близости
  • Опциональные возможности: энерго-дисперсионная спектроскопия (EDX), плазменная очистка камеры образца, модуль наклона и поворота образца, активная платформа виброподавления, активная система подавления шумов магнитного поля

Raith e_Line PLUS

  • Электронно-лучевой литограф ультравысокого разрешения
  • Энергия пучка            20 эВ – 30 кэВ
  • Зондовый ток             5 пА – 20 нА
  • Максимальный размер подложек: 4 дюйма
  • Минимальный размер получаемой структуры/линии < 10 нм
  • Автоэмиссионный катод Шоттки, диаметр пятна зонда <2 нм
  • Внутрилинзовый детектор вторичных электронов
  • Долговременная стабильность тока пучка (<0,5% / 8 часов)
  • Лазерный интерферометрический стол 100х100х30 мм
  • Точность сшивки полей и наложения полей на больших площадях <40 нм (среднее значение + 3 сигма)
  • Точность позиционирования 1 нм
  • Генератор развертки 20 МГц
  • Автоматизация всех операций, автоматическое выравнивание плоскости фокуса, коррекция дрейфа, коррекция доз по измеряемому току. GDSII; импорт форматов AutoCAD DXF, ASCII, CIF
  • Коррекция эффекта близости
  • Опциональные возможности: система газовой химии на 5 линий, управляемый вручную шлюз для загрузки образца, до 4х наноманипуляторов, STEM-детектор, энерго-дисперсионная спектроскопия (EDX), внутрилинзовый детектор обратно-рассеянных электронов с селекцией по энергии, четырех-секционный детектор обратно-рассеянных электронов с селекцией по углу, плазменная очистка камеры образца, модуль наклона и поворота образца, система нагрева/охлаждения образца

Raith VOYAGER

  • Высокопроизводительный электронно-лучевой литограф, построенный на инновационной технологии Raith eWrite
  • Энергия пучка            до 50 кэВ
  • Зондовый ток             50 пА – 40 нА
  • Максимальный размер подложек: 8 дюймов
  • Минимальный размер получаемой структуры/линии < 10 нм
  • Минимальный размер периода решетки < 40 нм
  • Автоэмиссионный катод Шоттки
  • Электростатическая колонна
  • SE-ET детектор вторичных электронов
  • Стабильность позиции пучка <200 нм/8 час
  • Стабильность тока пучка: дрейф <0,5% / 1 час
  • Перемещение 6 дюймов (работа на пластинах до 8 дюймов)
  • Точность сшивки полей и наложения полей <25 нм (среднее значение + 3 сигма)
  • Стандартное единичное поле экспонирования 500 мкм
  • Генератор развертки 50 МГц
  • Адаптивные гибкие схемы распознавания маркеров выравнивания
  • Коррекция эффекта близости
  • Разрешение 18 бит на образце (20 бит опция)
  • Режимы FLEXposure, traxx (опция), periodixx (опция)
  • Опциональные возможности: детектор обратно-рассеянных электронов ASB, интегрируемый модуль наклона и поворота образца, Automatic Height Sensing

Raith EBPG5150, Raith EBPG5200

  • Высокопроизводительный электронно-лучевой литограф
  • Энергия пучка            100 кэВ
  • Зондовый ток             >200 нА
  • Максимальный размер подложек: 6 дюймов(EBPG5150), 8 дюймов (EBPG5200)
  • Минимальный размер получаемой структуры/линии < 10 нм
  • Единичное поле экспонирования до 1 мм
  • Генератор развертки 100 МГц
  • Автоматическая калибровка системы
  • Осевой и внеосевой фокус
  • Коррекция астигматизма
  • Коррекции дисторсии поля
  • Работа системы в полностью автоматическом режиме, без оператора
  • Многопользовательский интерфейс
  • Высокая точность сшивки полей и наложения полей
  • Полностью автоматический загрузчик на 10 держателей

Raith 150 TWO

  • Электронно-лучевой литограф ультравысокого разрешения
  • Энергия пучка            100 эВ – 300 кэВ
  • Зондовый ток             5 пА – 20 нА
  • Максимальный размер подложек: 8 дюймов
  • Минимальный размер получаемой структуры/линии < 10 нм
  • Автоэмиссионный катод Шоттки, диаметр пятна зонда <2 нм
  • Внутрилинзовый детектор вторичных электронов
  • Долговременная стабильность тока пучка (<0,5% / 8 часов)
  • Лазерный интерферометрический стол 150х150х20 мм
  • Точность сшивки полей и наложения полей на больших площадях <35 нм (среднее значение + 3 сигма)
  • Точность позиционирования 1 нм
  • Генератор развертки 20 МГц
  • Полная автоматизация всех операций, автоматическое выравнивание плоскости фокуса, коррекция дрейфа, e-mail отчет текущего статуса процесса GDSII; импорт форматов AutoCAD DXF, ASCII, CIF
  • Коррекция эффекта близости
  • Опциональные возможности: система газовой химии на 5 линий, энерго-дисперсионная спектроскопия (EDX), внутрилинзовый детектор обратно-рассеянных электронов с селекцией по энергии, четырех-секционный детектор обратно-рассеянных электронов с селекцией по углу, плазменная очистка камеры образца, модуль наклона и поворота образца

Raith ionLine

  • Ионно-лучевой литограф с широким диапазоном техник литографирования и прямой обработки поверхности ионным пучком, включая: сшивку и выравнивание полей экспонирования, многослойную литографию с высокоточным наложением, бесшовное рисование объектов с высоким аспектным соотношением, локальное травление и осаждение материалов
  • Применение: междисциплинарные научные центры и научные центры общего пользования
  • Размер подложек:  плоские образцы пластин до 6 дюймов или образцы с выраженной топографией 3D
  • Энергия пучка            от 15 до 40 кВ
  • Зондовый ток             от 0.5 пА до 1 нА
  • Минимальный размер получаемой линии травления < 10 нм
  • Пространственное разрешение: 5 нм в режиме изображения
  • Ионная колонна
  • Возможность работы при низких дозах
  • Долговременная стабильность тока пучка
  • Высокая точность позиционирования и малый дрейф образца
  • Лазерный интерферометрический стол 100х100 мм
  • Точность позиционирования 1-2 нм
  • Точность сшивки полей и наложения полей порядка 10 нм (среднее значение)
  • Совместимость с 5 осями, поддержка работы в 3Д режиме, поддержка режима контроля качества
  • Режимы: GDSII, Live process monitor, DirectAlignDesign, Flexposure
  • Опциональные возможности: шлюз, система наноманипуляторов, газовая инжекционная система, оптический микроскоп