• Система лазерной литографии высокого разрешения с технологией «прямого письма»
• Предназначена для быстрого прототипирования и безмаскового производства. Может работать как в векторном, так и сканирующем режимах записи, и гарантирует устойчивость траектории в пределах диапазона отклонения max 100 нм.
• Линейная скорость письма   >100 мм/с
• Разрешение перемещения рабочего столика 100 нм

далее

• Система лазерной литографии высокого разрешения с технологией «прямого письма»
• Предназначена для быстрого прототипирования и безмаскового производства, включает два лазера и обеспечивает обработку пластин размерами до 150 мм.
• Линейная скорость письма   >500 мм/с
• Разрешение перемещения рабочего столика               100 нм

далее

• Система лазерной литографии высокого разрешения с технологией «прямого письма»
• Предназначена для быстрого прототипирования и безмаскового производства, может включать до 4 УФ лазерных источников с различными длинами волн и до 3 разных размеров лазерного пятна. Размер обрабатываемых подложек до 400х400 мм и пластины диаметром до 300 мм.
• Линейная скорость письма   >35 мм/с
• Разрешение перемещения рабочего столика               100 нм

далее

• Установка экспонирования
• Предназначена для экспонирования с помощью УФ-светодиода без нагрева.
• Разрешение — 2 мкм
• Доступные длины волн 365 нм, 405 нм

далее

• Установка экспонирования и маскирования
• Предназначена для экспонирования с помощью УФ-светодиода с разрешением менее 2мкм, оснащена оптической головкой на базе светодиода, с коллимированным и гомогенным излучением.
• Разрешение — 2 мкм
• Доступные длины волн 365 нм, 405 нм

далее

• Установка экспонирования и совмещения
• Предназначена для экспонирования и совмещения с помощью УФ-светодиода с разрешением менее 2мкм, оборудована УФ-светодиодным источником излучения, позволяет совмещать маску размером 5” c пластиной размером до 100 мм в кубическом объеме с длиной одной стороны 47,5 см.
• Разрешение — 2 мкм
• Допустимый размер фотошаблона Ø 2″ или Ø 5″

далее

• Установка экспонирования и маскирования
• Предназначена для экспонирования и маскирования с помощью УФ-светодиода с разрешением менее 2мкм, оснащена оптической головкой на базе светодиода, с коллимированным и гомогенным излучением.
• Разрешение — 2 мкм
• Доступные длины волн 365 нм

далее

• Установка экспонирования высокой мощности
• Предназначена для экспонирования с помощью УФ-светодиода подложек диаметром до 8”
• Доступные длины волн 365 нм
• Мощность излучения на поверхности пластины диаметром 4 дюйма 145 мВт/см²

далее