• Настольный лазерный генератор изображения для НИОКР
• Диодный лазер 405 нм, 120 мВт или УФ-диодный лазер 375 нм, 70 мВт
• Для тонких и стандартных резистов или для УФ-резистов
• Сменные пишущие линзы по выбору с минимальным размером элемента 0,6 мкм; 1 мкм; 2,5 мкм; 5 мкм

далее

• Установка лазерной литографии для НИОКР
• Гелий-кадмиевый лазер на парах металлов 442 нм, 100 мВт или диодный лазер 405 – 410 нм, 300 мВт
• Максимальный размер подложки до 225 х 225 мм²
• Толщина подложек до 6 мм

далее

• Установка лазерной литографии для НИОКР
• Диодный лазер 405 нм, 300 мВт или УФ-диодный лазер 375 нм, 70 мВт
• Для тонких и стандартных резистов или для УФ-резистов
• Максимальный размер подложки до 430 х 430 мм²

далее

• Установка формирования изображения высокого разрешения для НИОКР
• Диодный лазер 405 нм, до 300 мВт или УФ-диодный лазер 375 нм, 70 мВт
• Для тонких и стандартных резистов или для УФ-резистов
• Максимальный размер подложки до 225 х 225 мм²

далее

• Быстрая и гибкая установа лазерной литографии
• Диодный лазер 405 нм, от  100 мВт или Газовый криптон-ионный лазер 413 нм, 300 мВт или УФ-диодный лазер 375 нм, 18 мВт
• Для тонких и стандартных резистов или для УФ-резистов
• Максимальный размер подложки до 225 х 225 мм²

далее

• Лазерный генератор изображений для фотошаблонов c высокой разрешающей способностью
• Диодный лазер 405 нм, от 100 мВт или Газовый криптон-ионный лазер 413 нм, 300 мВт или УФ-диодный лазер 375 нм, 18 мВт
• Для тонких и стандартных резистов или для УФ-резистов
• Максимальный размер подложки до 425 х 425 мм²

далее

• Установка двумерной и трехмерной экспозиции с большой зоной 
• Максимальный размер подложки до 800 х 800 мм²
• Минимальный размер структурного элемента 0,7 мкм
• Размер адресной сетки уменьшен до 20 нм

далее

• Установка безмасковой лазерной литографии повышенной точности
• Твердотельный лазер с диодной накачкой ультрафиолетового диапазона с длинной волны 355 нм, до 15 мВт
• Максимальный размер подложки до 225 х 225 мм² (опция 425 х 425 мм²)
• Толщина подложек до 9 мм

далее

• Высокопроизводительная установка безмасковой лазерной литографии
• Импульсный УФ-диодный лазер 355 нм, до 10 мВт
• Сменные пишущие линзы по выбору с минимальным размером элемента 0,75 мкм; 1 мкм; 2 мкм; 4 мкм
• Максимальный размер подложки до 225 х 225 мм²

далее

• Высокопроизводительная установка безмасковой лазерной литографии
• Импульсный УФ-диодный лазер 355 нм, до 10 мВт
• Сменные пишущие линзы по выбору с минимальным размером элемента 0,75 мкм; 1 мкм; 2 мкм; 4 мкм
• Максимальный размер подложки до 425 х 425 мм²

далее

• Установка безмасковой лазерной литографии
• Импульсный УФ-диодный лазер 355 нм, до 10 мВт
• Сменные пишущие линзы по выбору с минимальным размером элемента 0,75 мкм; 1 мкм; 2 мкм; 4 мкм
• Максимальный размер подложки VPG+ 800:до 825 х 825 мм²

далее

• Крупногабаритный лазерный генератор изображений для производства фотошаблонов в больших объемах
• Импульсный УФ-диодный лазер 355 нм, до 20 мВт
• Максимальный размер подложки до 1600 х 1400 мм²
• Минимальный размер структурного элемента 1,0 мкм

далее