CRESTEC

Система электронно-лучевой литографии
Источник электронов / ускоряющее напряжение: TFE (ZrO / W) / 5～50 кВ
Минимальный диаметр электронного пучка / минимальная ширина линии: 2 нм / 10 нм гарантированно
Метод сканирования: векторное сканирование (x, y)
Векторное сканирование (r, θ) ‒ в базовой комплектации. Растровое сканирование, точечное сканирование ‒ опционально
Расширенные литографические функции (опционально): модуляционная литография по размеру поля, литография с осевой симметрией
Размер поля: 30 мкм2, 60 мкм2, 120 мкм2, 300 мкм2, 600 мкм2‒ в базовой комплектации; 1200 мкм2, 2400 мкм2 ‒ опционально
Количество пикселей: 20,000 × 20,000 точек; 60,000 × 60,000 точек ‒ в базовой комплектации

240,000 × 240,000 точек (векторное сканирование) ‒ опционально
4,000 × 4,000 точек; 10,000 × 10,000 точек (растровое сканирование) ‒ опционально
Минимальный адресный размер: 10 нм＠600 мкм2, 2 нм＠120 мкм2 ‒ в базовой комплектации; 0,0012 нм＠600 мкм2 – опционально (FSM)
Размер диаметра подложки: 100 мм, 150 мм, 200 мм
Точность сшивки: 50 нм (3σ) ‒ 600 мкм2, 20 нм (2σ) ‒ 60 мкм2
Точность перекрытия: 50 нм (3σ) ‒ 600 мкм2
CAD ПО: выделенный CAD в базовой комплектации, GDSконвертер ‒ опционально，
DXF конвертер ‒ опционально
Операционная система: Windows

Система электронно-лучевой литографии со сверхвысоким разрешением
Источник электронов / ускоряющее напряжение: TFE (ZrO / W) / 25 ~ 130 kV
Минимальный диаметр электронного пучка / минимальный ширина линии: 1,6 нм / 7,0 нм
Метод сканирования: векторное сканирование (x, y). Векторное сканирование (r, θ) ‒ в базовой комплектации. Растровое сканирование, точечное сканирование ‒ опционально
Расширенные литографические функции (опционально): модуляционная литография по размеру поля, литография с осевой симметрией
Размер поля: 30 мкм2, 60 мкм2, 120 мкм2, 300 мкм2, 600 мкм2 ‒ в базовой комплектации; 1200 мкм2, 2400 мкм2 ‒ опционально
Количество пикселей: 20,000 × 20,000 точек; 60,000 × 60,000 точек; 96,000 × 96,000 точек; 240,000 × 240,000 точек (векторное сканирование) ‒ в базовой комплектации
10,000 × 10,000 точек (растровое сканирование) ‒ опционально

Минимальный адресный размер: 10 нм＠600 мкм2, 2 нм＠120 мкм2 ‒ в базовой комп-лектации 0,0012 нм＠600 мкм2 ‒ опционально
Размер диаметра подложки: 100 мм, 150 мм, 200 мм (для образцов других размеров и форм могут использоваться специальные приспособления)
Точность сшивки: 50 нм (3σ) ‒ 600 мкм2, 20 нм (2σ) ‒ 60 мкм2
Точность перекрытия: 50 нм (3σ) ‒ 600 мкм2
CAD ПО: выделенный CAD в базовой комплектации, GDSконвертер ‒ опционально,
DXF конвертер ‒ опционально
Операционная система: Windows

Обратная связь