• Сканирующий лазерный генератор
• Предназначен для изготовления металлизированных фотошаблонов при производстве СБИС и других изделий электронной техники, а также для формирования топологии на полупроводниковых подложках, обеспечивая совмещение с предыдущими слоями (безмасковая оптическая литография)
• Размер минимального элемента 600нм
• Время экспонирования области 100х100мм 60мин

далее

• Сканирующий лазерный генератор
• Предназначен для изготовления металлизированных фотошаблонов при производстве СБИС и других изделий электронной техники, а также для формирования топологии на полупроводниковых подложках, обеспечивая совмещение с предыдущими слоями (безмасковая оптическая литография)
• Размер минимального элемента 350нм
• Время экспонирования области 100х100мм 120мин

далее

• Лазерный генератор изображений широкого применения
• Предназначен для изготовления металлизированных фотошаблонов при производстве интегральных схем, полупроводниковых приборов, гибридных схем, фотоэлектрических преобразователей, ЖК-индикаторов, прецизионных печатных плат, фотошаблонов ГИС, специальных измерительных и тестовых шаблонов
• Размеры наборного элемента 1…300мкм
• Производительность (на регулярных структурах) 1,7 млн. эксп./ч

далее

• Генератор изображений для изготовления эмульсионных фотошаблонов
• Предназначен для изготовления эмульсионных фотошаблонов при производстве интегральных схем, полупроводниковых приборов, гибридных схем, ЖК-индикаторов
• Размер наборного элемента 4…1500мкм
• Производительность (на регулярных структурах) 0,2 млн. эксп./ч

далее

• Установка формирования двухсторонних знаков совмещения
• Предназначена для нанесения знаков совмещения на нижнюю сторону пластины (подложки), совмещенных со знаками совмещения, сформированными предварительно на её верхней стороне.
• Размер подложек Ø76мм; 100мм; 150мм; 200мм; 60х48мм
• Толщина подложки 0.3 … 10.0мм

далее

• Фотоповторитель
• Предназначен для изготовления металлизированных эталонных и рабочих фотошаблонов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем методом проекционного переноса
• Фотографическое разрешение на поле модуля 10х10мм (на структурах линия-промежуток) 1мкм
• Производительность при времени экспонирования 0,5 с, количестве модулей 61, размере модуля 10х10 мм, на шаблонах 127х127 мм — 30 фотошаблонов/ч

далее

• Автоматическая установка совмещения и экспонирования
• Предназначена для совмещения и помодульного экспонирования полупроводниковых пластин при производстве СБИС и других изделий электронной техники
• Рабочая длина волны 404нм
• Фотолитографическое разрешение 0.8 мкм

далее

• Установка экспонирования для изготовления печатных плат высокой плотности соединений (Степпер)
• Предназначен для выполнения технологической операции литографии в производстве печатных плат (IC Substrate) для технологии сборки микросхем методом Flip Chip (BGA/CSP)Фотографическое разрешение на поле модуля 10х10мм (на структурах линия-промежуток) 1мкм
• Разрешение объектива L/S:      8 мкм
• Рабочее поле объектива:          70×250мм; 85×228мм

далее

• CCD-Степпер
• Предназначен для выполнения фотолитографии в производстве интегральных микросхем с большой площадью кристалла.
• Диаметр пластин 100мм,150мм
• Размер фотошаблона 152×152 (6″х6″) мм

далее

• Установка совмещения и экспонирования
• Предназначена для совмещения изображений фотошаблона и пластины (подложки) и переноса изображения с фотошаблона на пластину (подложку) контактным (в зазоре) экспонированием фоторезистивного слоя пластины.
• Диапазоны рабочих длин волн 225-260 нм; 280-335 нм;350-450 нм
• Фотолитографическое разрешение    0.4 … 0.7мкм

далее

• Установка совмещения и экспонирования
• Предназначена для совмещения изображения фотошаблона и пластины (подложки) и переноса изображений с фотошаблона на пластину контактным (в зазоре) экспонированием фоторезистивного слоя пластин (подложки)
• Диапазоны рабочих длин волн 225-260нм; 280-335нм; 350-450нм
• Фотолитографическое разрешение 0.4 … 0.6мкм

далее

• Установка совмещения и экспонирования
• Предназначена для совмещения изображения фотошаблона и пластины (подложки) и переноса изображения с фотошаблона на пластину контактным (в зазоре) экспонированием фоторезистивного слоя пластины (подложки).
• Диапазоны рабочих длин волн 225-260нм; 280-335нм; 350-450нм
• Фотолитографическое разрешение 0.4 … 0.6мкм

далее

• Установка двухстороннего совмещения и экспонирования
• Предназначена для контактного (в зазоре) способа экспонирования верхней стороны полупроводниковой пластины или подложки, совмещая изображение на фотошаблоне с изображением на нижней (обратной) стороне пластины или подложки.
• Диапазоны рабочих длин волн 225-260нм; 280-335нм; 350-450нм
• Фотолитографическое разрешение 0.4 … 1.0мкм

далее