ULVAC Technologies

ULVAC IMX-3500 / IMX-3500RS

  • Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин Si и SiC для производства ИС и МЭМС
  • Загрузка: ручная или автоматизированная
  • Механический зажимной механизм пластин (ручная установка ориентации в плоскости)
  • Пластины: до ø 200 мм
  • Высоковакуумная процессная камера
  • Подложкодержатель для одной пластины
  • Температура пластины: до 700 °С (SiC)
  • Ток пучка ионов: до 0,9 мА
  • Диапазон энергий: (10÷200) кэВ – для однозарядных ионов, до 400 кэВ – для двухзарядных ионов, до 600 кэВ – для трехзарядных ионов; от 1 кэВ до 4,5 МэВ (IMX-3500RS)
  • Диапазон доз: (1·1011÷1·1016) 1/см2
  • Угол имплантации: 0°, 7°, по запросу заказчика
  • Система электростатического сканирования
  • Ручная регулировка луча
  • Ионные источники для имплантации: B, P, As, Al, Be, K, Fe, Cu, N и др.
  • Процессные газовые линии с РРГ: три
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, Ar, N2 и другие
  • Осушенный азот: (2÷8) бар; до 10л/мин
  • Очищенный сухой сжатый воздух: (2÷8) бар; 30 л/мин; точка росы – не хуже -20 °С
  • Вытяжная вентиляция: 15 м3/мин
  • Охлаждающая вода: (2÷4) бар; 20 л/мин; (20÷30) °С
  • Охлаждение жидким N2 (IMX-3500RS)
  • Применение деионизованной воды для изоляции модуля охлаждения
  • Система быстрого охлаждения подложкодержателя
  • Система управления: компьютерная
  • Вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 25 кВA
  • Размеры: 2200×3900×2420 мм
  • Вес: около 5000 кг
  • Опции: дополнительный робот для переноса пластин; высокотемпературная плита

ULVAC SOPHI-200/260 и SOPHI-400

  • Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации для НИОКР и серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой кремниевых пластин для производства IGBT устройств (силовых биполярных транзисторов с изолированными затворами)
  • Загрузка: кассетная
  • Роботизированное устройство загрузки и перемещения пластин
  • Пластины: до ø 200 мм
  • Высоковакуумная процессная камера
  • Термостабилизируемый подложкодержатель для одной пластины
  • Возможность обработки ультратонких пластин (до 50 мкм)
  • Возможность протонной имплантации (SOPHI-400)
  • Параллельный пучок ионов
  • Ток пучка однозарядных ионов: до 1,8 мА
  • Диапазон энергий: 200/260 кэВ – для однозарядных ионов, 400/520 кэВ – для двухзарядных ионов (SOPHI-200/260); 400 кэВ – для однозарядных ионов, 800 кэВ – для двухзарядных ионов, 1,2 МэВ – для трехзарядных ионов (SOPHI-400)
  • Диапазон доз: (1·1012÷1·1018) 1/см2
  • Система электростатического сканирования
  • Газовые линии с РРГ
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Система управления: компьютерная
  • Вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф

ULVAC IH-860/IH-860DSIC/IH-860PSIC/IH-860UP

  • Автоматическая высокотемпературная установка высокоэнерговой ионной имплантации для НИОКР и массового производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин при производстве силовых устройств на карбиде кремния
  • Пластины: до ø 200 мм
  • Производительность: до 50 пл/ч
  • Возможность обработки ультратонких пластин (до 50 мкм)
  • Роботизированное устройство загрузки и перемещения пластин
  • Высоковакуумная процессная камера
  • Два подложкодержателя
  • Температура подложкодержателя: до 500 °С
  • Ток пучка однозарядных ионов: до 1,0 мА
  • Диапазон энергий: (30÷400) кэВ – для однозарядных ионов,до 800 кэВ – для двухзарядных ионов, 1,2 МэВ – для трехзарядных ионов
  • Диапазон доз: (1·1013÷2·1020) 1/см2
  • Система электростатического сканирования
  • Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Системы быстрого нагрева и охлаждения подложкодержателей
  • Система управления: компьютерная
  • Вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 125А (IH-860UP)
  • Размеры: 7000×3000×2600 мм
  • Вес: около 10600 кг (IH-860UP)