Ion Beam Services

IBS IMC-200(400)/IMC-200(400)P/IMC-200(400)RD

Установка ионной имплантации для специальных применений (IMC-200), серийного производства (IMC-200P), НИОКР и мелкосерийного производства (IMC-200RD). Для средних и крупных серий предназначена также модель IHC-160P
Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин Si, SiC, GaAs, InSb, Al₂O₃ и других для производства изделий микроэлектроники
Загрузка: ручная (IMC-200, IMC-200RD) или автоматизированная (IMC-200P)
Подложки: от 1 см² до ø 150 мм (пластины – до ø 200 мм)
Высоковакуумная процессная камера
Подложкодержатель с механическим зажимом пластин
Возможный диапазон температур подложек: (-150÷600) °С
Ток пучка ионов: 0,15 мА (¹¹В); 0,3 мА (⁷⁵As, ³¹P); возможен до 1,5 мА

Показать больше

Диапазон энергий: (2÷210) кэВ – для серии 200; (2÷400) кэВ – для серии 400
Диапазон доз: (1·10¹¹÷2·10¹⁸) 1/см²
Диапазон углов имплантации: (0÷45)°
Использование косвенно нагретого катода (IHC)
Система электростатического сканирования
Максимальное напряжение ускорителя: ≥180 кВ
Возможность имплантации с двойным зарядом
Газовые линии с РРГ: до 8-ми
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, H₂, Ar, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция
Чиллер водяного охлаждения
Система управления: компьютерная
Вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, форвакуумные насосы
Размеры: 5000×3000×2700 мм
Вес: около 10000 кг
Опции: система роботизированной загрузки (на 25 пластин); дополнительная система загрузки (одновременное наличие ручной и автоматизированной загрузки); возможность использования твердотельных (например, Al, Yb, Te и другие) и жидких источников (например, CCl₄, TiCl₄ и других) для имплантации; система нагрева подложек; системы охлаждения подложек водой и жидким азотом (-150°С); генератор водорода; гелиевый компрессор для криогенных насосов; система подготовки деионизованной воды

Показать меньше

IBS FLEXion 200/400/400-SiC

Установка среднетоковой ионной имплантации для применения от НИОКР до среднесерийного производства
Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин SiC, HgCdTe, GaAs, GaN и других для производства силовых устройств, изделий оптоэлектроники, инфракрасной оптики и т.д.
Загрузка: ручная или автоматизированная
Подложки: образцы до 200 мм и пластины до ø 200 мм
Высоковакуумная процессная камера
Термостабилизируемый подложкодержатель
Температура пластины: до 650°С (SiC)
Система быстрого нагрева / охлаждения подложкодержателя

Показать больше

Ток пучка ионов: до 0,9 мА (вариант – до 3 мА)
Диапазон энергий: (3÷400) кэВ – для однозарядных ионов; возможена до 1,2 МэВ
Диапазон доз: (5·10¹⁰÷5·10¹⁸) 1/см²
Угол поворота подложки: (0÷90)°
Использование косвенно нагретого катода (IHC)
Ионные источники для имплантации: Al, Be и др.
Газовые линии с РРГ: до 8-ми
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, Ar, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция
Охлаждение подложкодержателя жидким N₂ до температуры (-100) °С
Система управления: компьютерная
Вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, форвакуумные насосы

Показать меньше

IBS PULSION HP / PULSION Nano

Установки плазменной иммерсионной ионной имплантации, сочетающие низкую энергию ионов и высокую дозу, для НИОКР, опытного (PULSION Nano) и серийного производства (PULSION HP)
Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин poli-Si, КНО, SiGe, SiC, соединений III-V и других для производства полупроводниковых наноустройств (PULSION Nano), изготовления 3D-устройств, силовых приборов, солнечных элементов, транзисторов со сверхмеркими переходами, плавниковых полевых транзисторов, компенсирующего легирования поликремниевых затворов ДЗУПВ с возможностью точного контроля глубины легирования
Загрузка: ручная (PULSION Nano) или автоматизированная (PULSION Nano, PULSION HP)
Пластины: ø 100 мм, ø 150 мм, ø 200 мм, ø 300 мм (в зависимости от модификации)
Производительность: 100 пл/ч (PULSION HP с 4-мя камерами)
Высоковакуумная процессная камера из алюминиевого сплава: (1÷2)шт – PULSION Nano; (1÷4)шт – PULSION HP
Камера пассивации / дегазации
Вращающийся подложкодержатель

Показать больше

Температура пластины: до 500°С
Источник удаленной индуктивно-связанной плазмы
Диапазон энергий: (0,1÷10) кэВ; опционно – до 50 кэВ
Диапазон доз: (1·10¹⁴÷1·10¹⁸) 1/см²
Система подачи жидких источников (например, TMA и других) для имплантации
Газовые линии с РРГ: до 6-ти на каждую камеру
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, B₂H₆, SiH₄, SiF₄, GeH₄, GeF₄, CH₄, CF₄, O₂, H₂, SF₆, He, Ar, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция
Чиллер для охлаждения подложкодержателя: 4 кВт
Система управления: компьютерная
Вакуумная система: турбомолекулярные, безмасляные форвакуумные насосы

Показать меньше

Обратная связь

Ion Beam Services

IBS IMC-200(400)/IMC-200(400)P/IMC-200(400)RD

IBS FLEXion 200/400/400-SiC

IBS PULSION HP / PULSION Nano

Презентации

Инженерное оборудование

Технологическое оборудование