АО «НТО»(SemiTEq®)

STE35R

  • Роботизированная технологическая платформа для серийного выпуска гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии
  • Назначение: для выращивания широкого спектра гетероструктур в системах материалов A3B5, A2B6, A3N, а также гибридных наногетероструктур A3B5/ A2B6
  • Кластер из нескольких ростовых камер со сверхвысоковакуумным роботизированным транспортом
  • Подложки: пластины до ?150 мм
  • Порт быстрой загрузки со смотровым окном
  • Тип загрузки пластин: автоматическая
  • Накопитель держателей подложки: на 8 позиций
  • Система предварительного отжига держателей
  • Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки
  • Максимальная загрузка: ?100 мм – 1шт., ?150 мм – 1шт.

STE3N (STE3N3 и STE3N2)

  • Технологическая платформа для выращивания гетероструктур на основе соединений A3N методом молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР и пилотного производства
  • Назначение: для выращивания полупроводниковых гетероструктур на основе соединений A3N, получение активных слоев полупроводниковых приборов с рекордно низкой для МЛЭ плотностью дисклокаций, выращивания толстых высококачественных буферных слоев AlN/AlGaN с использованием аммиака в качестве источника азота
  • STE3N3 – трехкамерная установка: шлюзовая камера, буферная сверхвысоковакуумная камера подготовки, ростовая камера. STE3N2 – двухкамерная установка: шлюзовая камера, ростовая камера.
  • Подложки: пластины до ?150 мм
  • Шлюзовая камера: окно быстрой загрузки с боксом инертной атмосферы, накопитель держателей подложки до 8 позиций, система контролируемого напуска азота / предварительной откачки.
  • Тип загрузки пластин: ручная / полуавтоматическая
  • Накопитель держателей подложки: на 8 позиций
  • Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки
  • Максимальная загрузка: ?100 мм – 1шт., ?150 мм – 1шт.
  • Камера предварительной подготовки с водяным охлаждением содержит: промежуточный накопитель держателей подложки на 7 позиций; высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева подложки до до 450 °С (опционно – до 1100 °С) и охлаждения.

STE35

  • Полуавтоматизированная технологическая платформа для выращивания гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР
  • Назначение: для прецизионного выращивания полупроводниковых эпитаксиальных слоев на основе соединений A3B5, A2B6 или A3N
  • Подложки: пластины до ?150 мм
  • Порт быстрой загрузки со смотровым окном
  • Тип загрузки пластин: ручная / полуавтоматическая
  • Накопитель держателей подложки: на 8 позиций
  • Система предварительного отжига держателей
  • Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки
  • Максимальная загрузка: ?100 мм – 1шт., ?150 мм – 1шт.
  • Камера предварительной подготовки с водяным охлаждением содержит: промежуточный накопитель держателей подложки на 7 позиций; высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева подложки до 650 °C и охлаждения.

STE3526

  • Двухреакторный комплекс для выращивания гибридных наногетероструктур А3В5/А2В6 методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для НИОКР и мелкосерийного экспериментального производства в режиме “lab to fab”
  • Назначение: для выращивания эпитаксиальных наноструктур на основе широкозонных материалов А2В6 (Cd(Zn)Se/ZnMgSSe) c использованием предварительно выращенных в А3В5-реакторе высококачественных буферных слоев GaAs
  • Подложки: пластины ?50 мм, ?76 мм, ?100 мм
  • Состав: ростовая камера А3В5 с блоком молекулярных источников; ростовая камера А2В6 с блоком молекулярных источников; камера подготовки с возможностью предварительного удаления окисла с подложки GaAs; буферная камера с накопителем; шлюзовая камера с накопителем и фланцем быстрой загрузки; полуавтоматизированная система сверхвысоковакуумного транспорта подложек между реакторами
  • Максимальная загрузка: ?50 мм – 3шт., ?76 мм – 1шт., ?100 мм – 1шт.
  • Температура обезгаживания подложки в камере предварительной подготовки: ?650 °С
  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN ростовой камеры с температурой прогрева камер роста: ?200 °С
  • Максимальная рабочая температура ростового манипулятора: ?900 °С
  • Корректируемая ростовая геометрия, расстояние «источник-подложка»: (135?210) мм
  • Виды применяемых источников: вентильные источники летучих материалов (As, Se, S) и др.

STE3532

  • Трехкамерная установка для выращивания эпитаксиальных слоев в системах A3B5 методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ)  для НИОКР и мелкосерийного экспериментального производства гетероструктур в режиме “lab to fab”
  • Назначение: для прецизионного выращивания полупроводниковых эпитаксиальных слоев в системе InAlGaAs/GaAs для опто- и микроэлектроники
  • Подложки: пластины ?50 мм, ?76 мм, ?100 мм
  • Шлюзовая камера: окно быстрой загрузки с боксом инертной атмосферы, накопитель держателей подложки до 8 позиций, система контролируемого напуска азота / предварительной откачки (ионный насос — 300 л/с).
  • Максимальная загрузка: ?50 мм – 3шт., ?76 мм – 1шт., ?100 мм – 1шт.
  • Камера предварительной подготовки с водяным охлаждением содержит: узел прогрева подложки до 650 °С для предварительного обезгаживания и удаления окисла с подложки GaAs и охлаждения. 
  • Вертикально ориентированная ростовая камера: две азотные криопанели увеличенной площади, ростовой манипулятор, молекулярные источники с заслонками, оборудование для in-situ мониторинга процесса роста.

STE75

  • Универсальная компактная трехкамерная установка для выращивания гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии для НИР и НИОКР по приборной тематике
  • Назначение: для выращивания полупроводниковых гетероструктур на основе широкого спектра полупроводниковых соединений A3B5, широкозонных соединений A2B6 или в специальном исполнении – A3N
  • Подложки: пластины ?50,8 мм (опционно после модернизации – до ?100 мм)
  • Тип загрузки пластин: ручная
  • Накопитель держателей подложки: на 3 позиции
  • Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки
  • Максимальная загрузка: ?3’’ – 1шт.