ИФП им. А.В.Ржанова

Обь-М

  • Автоматизированная многомодульная (многокамерная) сверхвысоковакуумная (СВВ) установка молекулярно-лучевой эпитаксии для серийного производства
  • Назначение: для выращивания наногетероэпитаксиальных структур твердых растворов теллуридов кадмия и ртути (КРТ), фоточувствительных, светоизлучающих материалов инфракрасного диапазона спектра и квантово-размерных структур на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из кремния и арсенида галлия
  • Подложки: пластины до ?100 мм
  • Технологические камеры
  • Манипулятор с нагревателями
  • Невращающийся подложкодержатель
  • Источники молекулярных потоков основных и легирующих компонентов, в т.ч. кольцевые источники Cd, Te и Hg
  • Давление остаточных газов: ?10?9 Па
  • Средства контроля: дифракция быстрых электронов на отражение (ДБЭО), спектральная эллипсометрия (СЭ), одноволновая эллипсометрия (ОЭ)
  • Контроль подготовки поверхности и выращивания слоёв ГЭС КРТ эллипсометрическим методом: in situ мониторинг температуры подложки, состава и состояния поверхности
  • Безмасляная вакуумная система.

Катунь-100

  • Сверхвысоковакуумная установка для синтеза многослойных полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs, Ge, Si и др.; для проведения экспериментальных исследований и промышленно-ориентированных разработок в области физики конденсированного состояния и синтеза полупроводниковых и металлических наноструктур, обучения специалистов в области нанотехнологий, производства многослойных эпитаксиальных структур для элементной базы микро- нано- и оптоэлектроники (СВЧ-приборы, фотоприемные устройства, навигационное оборудование, лазерные системы, телекоммуникации, спутниковое телевидение и т.д.)
  • Подложки: пластины ?40 мм, ?60 мм, ?102 мм
  • Максимальная загрузка модуля загрузки: ?40 мм – 40 шт., ?60 мм – 20 шт., ?102 мм – 20 шт.
  • Состав установки: камеры загрузки-выгрузки пластин-подложек с кассетной загрузкой (2 кассеты по 7 (10) пластин ?102 мм); камеры эпитаксиального роста элементарных полупроводников (Si,Ge), металлических, диэлектрических слоев с электронно-лучевыми испарителями, газовыми и плазменными источниками; камеры для выращивания полупроводниковых соединений типа А3В5, A3N и А2В6 содержат до 12-ти молекулярных источников с независимыми заслонками, в т.ч. вентильного типа  для сурьмы, фосфора, мышьяка и т.д. и до двух электроннолучевых испарителей
  • Защитные тепловые экраны (водяные, криогенные) для источников МЛЭ и электронно-лучевых испарителей
  • Максимальный объем загрузки тигельных источников: 140 см3.