NAURA

Esther E320R

  • Установка  газофазной эпитаксии для выращивания кремниевых эпитаксиальных структур при пониженном давлении для НИОКР и массового производства
  • Назначение: для проведения объемной эпитаксии кремния, эпитаксии скрытого слоя и селективной эпитаксии при производстве интегральных схем, силовых полупроводников и пр.
  • Подложки: пластины ?8’’
  • Обработка: по одной пластине
  • Состав установки: модуль системы передачи, модуль технологической камеры, модуль контроля давления и т. д.
  • Модуль переноса совместим с пластинами различных размеров
  • Система управления установкой: точный контроль давления, температуры, распределения газовых потоков
  • Опционно: по запросу клиента – установки с одной и несколькими камерами

Esther E320A

  • Установка  газофазной эпитаксии для выращивания кремниевых эпитаксиальных структур при атмосферном давлении для НИОКР и массового производства
  • Назначение: для выращивания эпитаксиальных кремниевых слоев N-типа и P-типа при производстве интегральных схем, силовых полупроводников и пр.
  • Подложки: пластины ?5’’, ?6’’, ?8’’
  • Обработка: по одной пластине
  • Состав установки: два порта загрузки, модуль системы передачи, модуль технологической камеры, модуль управления, система инфракрасного нагрева, система вращательного подъема и т. д.
  • Модуль переноса совместим с пластинами различных размеров
  • Система управления установкой: система контроля температуры инфракрасного нагрева, система распределения газовых потоков
  • Опционно: по запросу клиента – установки с одной и несколькими камерами

Eris E120R

  • Установка  газофазной эпитаксии для выращивания кремниевых эпитаксиальных структур при пониженном давлении для НИОКР и массового производства
  • Назначение: для проведения эпитаксии скрытого слоя, селективной эпитаксии и поликристаллической эпитаксии при производстве интегральных схем, силовых полупроводников и пр.
  • Подложки: пластины ?6’’, ?8’’
  • Обработка: по одной пластине
  • Состав установки: модуль системы передачи, модуль технологической камеры, модуль контроля давления и т. д.
  • Модуль переноса совместим с пластинами различных размеров
  • Система управления установкой: точный контроль давления, температуры, распределения газовых потоков

Eris E120A

  • Установка  газофазной эпитаксии для выращивания кремниевых эпитаксиальных структур при атмосферном давлении для НИОКР и серийного производства
  • Назначение: для выращивания эпитаксиальных кремниевых слоев при производстве силовых полупроводников и пр.
  • Подложки: пластины ?5’’, ?6’’, ?8’’
  • Обработка: по одной пластине
  • Состав установки: модуль системы передачи, модуль технологической камеры, модуль контроля давления, система инфракрасного нагрева, система вращения, система охлаждения и т. д.
  • Модуль переноса совместим с пластинами различных размеров воздушного потока
  • Система управления установкой: система контроля температуры инфракрасного нагрева, пятизонное поле распределения газовых потоков и др.

Hesper E230A

  • Установка  газофазной эпитаксии для выращивания кремниевых эпитаксиальных структур при атмосферном давлении для НИОКР и массового производства
  • Назначение: для выращивания эпитаксиальных кремниевых слоев N-типа и P-типа при производстве силовых полупроводников, интегральных схем и др.
  • Подложки: пластины ?12’’
  • Обработка: по одной пластине
  • Состав установки: три загрузочных порта; высокоскоростной робот-переносчик; одна, две или четыре технологических камеры (по запросу заказчика); система инфракрасного нагрева и т. д.
  • Система управления установкой: многозонная система контроля температуры инфракрасного нагрева, многоканальная система распределения газовых потоков

SES Series

  • Установка  газофазной эпитаксии для выращивания кремниевых эпитаксиальных структур для НИОКР и массового производства
  • Назначение: для выращивания эпитаксиальных кремниевых слоев N-типа и P-типа при производстве силовых полупроводников, легированных полупроводниковых подложек и пр.
  • Подложки: пластины4 ?5’’, ?6’’, ?8’’
  • Обработка: групповая (по несколько пластин в процессе)
  • Толщина выращиваемых эпитаксиальных слоев: (5?150) мкм
  • Состав установки: два порта загрузки, модуль системы передачи, технологическая камера с несколькими подложкодержателями, система управления, система индукционного нагрева и т. д.
  • Автоматизированная система управления установкой: система распределения газовых потоков, система блокировок

MARS iCE115

  • Установка  газофазной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур карбида кремния (SiC) для НИОКР и серийного производства
  • Назначение: для выращивания эпитаксиальных слоев карбида кремния N-типа и P-типа при производстве сложных полупроводниковых структур, легированных полупроводниковых подложек и др.
  • Подложки: пластины ?4’’, ?6’’
  • Обработка: по одной пластине
  • Технология горизонтальной горячей стены.
  • Возможность многослойной эпитаксии – совместимость с тонкопленочными и толстопленочными процессами эпитаксии
  • Система управления установкой: система контроля давления, система контроля температуры, система смешанного газового потока и др.