EPSILON 2000 PLUS CVD

  • Высокопроизводительная установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
  • Технологии: с атмосферным или пониженным давлением в реакторах
  • Размер обрабатываемых пластин: 6″, 8″
  • Доступными процессами являются соединения на основе кремния, такие как кремний (Si), кремний-германий (SiGe)
  • P легированный Epi: 163 пластины 8″ толщиной 2,3 мкм
  • N легированный Epi: 156 пластин 8″ толщиной 3,3 мкм
  • Эпитаксия для аналоговых смешанных сигналов, биполярных и БиКМОП полупроводниковых приборов. Селективные и неселективные легированные слои кремния для формирования транзисторов.
  • Реактор Epsilon использует встроенные лампы для нагрева пластины до заданной температуры чтобы вырастить эпитаксиальную пленку на основе кремния с использованием химического осаждения из паро-газовой фазы (CVD).
  • Точный контроль температуры по всей поверхности пластины, что обеспечивает высокую равномерность слоев кремния
  • Высокие скорости осаждения и управление процессом при низких температурах
  • Уникальной деталью реактора Epsilon является запатентованная технология для бесконтактного переноса пластин
  • Модуль управления газом. Левое или правое расположение.
  • Газы и возможные легирующие смеси: N2, H2, SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH4, HCl, PH3, AsH3, B2H6,…
  • Диапазон регулирования температуры: 500°C-1200°C
  • Шаг регулирования: 40°C-300°C / мин
  • При левом и правом расположении, системы EPSILON 2000 PLUS можно установить бок о бок, что позволяет сократить занимаемую оборудованием площадь пола чистого помещения до 30% и уменьшить стоимость владения
  • Скруббер
  • Водяная система охлаждения
  • Силовой модуль: 380/480 В, 3 фазы, 50/60Гц (125А)
  • Распределительная сеть: 220/110 В, 1 фаза, 50/60Гц

к списку

Scroll Up