ASM International

EPSILON 2000 PLUS CVD

  • Высокопроизводительная установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
  • Технологии: с атмосферным или пониженным давлением в реакторах
  • Размер обрабатываемых пластин: 6″, 8″
  • Доступными процессами являются соединения на основе кремния, такие как кремний (Si), кремний-германий (SiGe)

далее


EPSILON 3200 CVD

  • Высокопроизводительная установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
  • Технологии: с атмосферным или пониженным давлением в реакторах
  • Размер обрабатываемых пластин: 12”
  • Доступными процессами являются соединения на основе кремния, такие как кремний (Si), кремний-германий (SiGe)

далее


INTREPID XP CVD

  • Высокопроизводительная установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
  • Платформа XP пониженного давления
  • Размер обрабатываемых пластин: 12”
  • Доступными процессами являются соединения на основе кремния, такие как кремний (Si), кремний-германий (SiGe), карбид кремния (SiC) и другие соединения на основе кремния.

далее


INTREPID ES CVD

  • Высокопроизводительная установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
  • Платформа XP пониженного давления
  • Размер обрабатываемых пластин: 12”
  • Доступными процессами являются соединения на основе кремния, такие как кремний (Si), кремний-германий (SiGe) и кремний-фосфор (SiP).

далее

Scroll Up