Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China

AMEC

Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для массового производства
Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур GaN, AlN, InGaN и AlGaN в производстве светодиодов и силовых устройств
Подложки: пластины ø2’’, ø4’’ (опционно – ø6’’, ø8’’)
Количество реакторов: до 4-х
Независимое управление каждым реактором
Встроенный механизм подъема крышки
Максимальная загрузка: ø2’’ – 232 шт., ø4’’ – 56 шт.

Высокоскоростной вращающийся механизм подложкодержателя
Подложкодержатель: ø480 мм
Применяемые жидкие реагенты: триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl)
Применяемые газы: аммиака (NH₃), азот (N₂) и водород (H₂)
Вертикальная душевая газовая головка в камере реактора
Зазор между насадкой душа и подложкодержателем: ~60 мм
Система управления установкой и мониторинга в реальном времени: точный контроль параметров процесса; автоматизированные и программируемые процедуры обслуживания

Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для массового производства
Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур GaN, InGaN и AlGaN в производстве светоизлучающих диодов (LED) на основе нитрида галлия (GaN) для полупроводниковых осветительных приборов и других применений
Подложки: сапфировые пластины ø4’’, ø6’’ (опционно – ø8’’)
Количество реакторов: до 4-х
Независимое управление каждым реактором
Встроенный механизм подъема крышки
Максимальная загрузка: ø4’’ – 136 шт., ø6’’ – 56 шт.

Подложкодержатель: ø716 мм
Многозонная система нагрева
Возможность автоматизированного и программируемого открытия/закрытия реактора
Применяемые жидкие реагенты: триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl)
Применяемые газы: аммиака (NH₃), азот (N₂) и водород (H₂)
Система многозонной подачи газов
Специально разработанная газораспределительная головка в камере реактора
Специальная система очистки для удаления частиц с газораспределительной головки
Специально разработанная вакуумная линия для смены металлоорганических барботеров – не требуется очистка и обслуживания между подключениями барботеров
Система управления установкой и мониторинга в реальном времени: точный контроль параметров процесса; автоматизированные и программируемые процедуры обслуживания

Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для массового производства
Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур высокотемпературных светодиодов AIN и соединений с высоким содержанием алюминия в производстве светодиодов глубокого УФ-излучения (UVC)
Полностью автоматический процесс с удобным интерфейсом
Подложки: сапфировые пластины ø2’’ (опционно – ø4’’)
Встроенный механизм подъема крышки
Максимальная загрузка: ø2’’ – 18 шт.
Максимальная температура в камере реактора: 1400 °С

Автоматическая система вакуумной транспортировки для предотвращения образование частиц и снижения количества дефектов
Применяемые жидкие реагенты: триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl)
Применяемые газы: аммиака (NH₃), азот (N₂) и водород (H₂)
Система управления установкой и мониторинга в реальном времени

Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для крупносерийного производства
Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур в производстве синих/зеленых мини-светодиодов на основе GaN
Подложки: пластины ø4’’, ø6’’ (опционно – ø8’’)
Количество реакторов: до 4-х
Независимое управление каждым реактором
Максимальная загрузка: ø4’’ – 108 шт., ø6’’ – 40 шт. (опционно: ø4’’ – 164 шт., ø6’’ – 72 шт. за счет изменения конфигурации подложкодержателя)
Подложкодержатель: ø785 мм
Многозонная система нагрева системе нагрева с локальной регулировкой температуры
Система управления установкой и мониторинга в реальном времени: точный контроль параметров процесса; автоматизированные и программируемые процедуры обслуживания