AMEC

Prismo D-BLUE

  • Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для массового производства
  • Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур GaN, AlN, InGaN и AlGaN в производстве светодиодов и силовых устройств
  • Подложки: пластины ?2’’, ?4’’ (опционно – ?6’’, ?8’’)
  • Количество реакторов: до 4-х
  • Независимое управление каждым реактором
  • Встроенный механизм подъема крышки
  • Максимальная загрузка: ?2’’ – 232 шт., ?4’’ – 56 шт.

Prismo A7

  • Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для массового производства
  • Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур GaN, InGaN и AlGaN в производстве светоизлучающих диодов (LED) на основе нитрида галлия (GaN) для полупроводниковых осветительных приборов и других применений
  • Подложки: сапфировые пластины ?4’’, ?6’’ (опционно – ?8’’)
  • Количество реакторов: до 4-х
  • Независимое управление каждым реактором
  • Встроенный механизм подъема крышки
  • Максимальная загрузка: ?4’’ – 136 шт., ?6’’ – 56 шт.

Prismo HiT3

  • Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для массового производства
  • Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур высокотемпературных светодиодов AIN и соединений с высоким содержанием алюминия в производстве светодиодов глубокого УФ-излучения (UVC)
  • Полностью автоматический процесс с удобным интерфейсом
  • Подложки: сапфировые пластины ?2’’ (опционно – ?4’’)
  • Встроенный механизм подъема крышки
  • Максимальная загрузка: ?2’’ – 18 шт.
  • Максимальная температура в камере реактора: 1400 °С

Prismo UniMax

  • Система МОС-гидридной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных структур для крупносерийного производства
  • Назначение: для выращивания МОС-гидридным методом эпитаксиальных структур в производстве синих/зеленых мини-светодиодов на основе GaN
  • Подложки: пластины ?4’’, ?6’’ (опционно – ?8’’)
  • Количество реакторов: до 4-х
  • Независимое управление каждым реактором
  • Максимальная загрузка: ?4’’ – 108 шт., ?6’’ – 40 шт. (опционно: ?4’’ – 164 шт., ?6’’ – 72 шт. за счет изменения конфигурации подложкодержателя)
  • Подложкодержатель: ?785 мм
  • Многозонная система нагрева системе нагрева с локальной регулировкой температуры
  • Система управления установкой и мониторинга в реальном времени: точный контроль параметров процесса; автоматизированные и программируемые процедуры обслуживания