ULVAC Technologies

ULVAC MLX-3000N cluster (PVD)

  • Автоматическая кластерная установка физического осаждения из газовой фазы
  • Назначение: производство силовых приборов (front side and backside), нанесение подстолбиковой металлизации, нанесение барьерной металлизации (UBM), изготовление приборов на поверхностных акустических волнах, обработка пластин нестандартной формы
  • Пластины: ø75мм ÷ ø200мм
  • Процессные камеры: до 4-х (камеры напыления, камеры травления)

далее


ULVAC SME-200 cluster (PVD)

  • Автоматическая кластерная установка физического осаждения из газовой фазы для крупносерийного производства приборов на поверхностных акустических волнах, МЭМС, и т.д.
  • Назначение: низкотемпературное осаждение полупроводниковых соединений, например: свинец-цирконий-титан (Pb(Zr,Ti) O3); напыление электродов затворов, конденсаторов, резисторов, пьезоэлектрических слоев
  • Пластины: кремниевые, ø200мм
  • Процессные камеры: до 7 (камеры напыления, в том числе магнетронного ВЧ и магнетронного постоянного тока, камеры быстрого термического отжига)

далее


ULVAC SME-200J cluster (PVD)

  • Автоматическая кластерная установка физического осаждения из газовой фазы для серийного производства приборов на поверхностных акустических волнах, МЭМС, и т.д.
  • Назначение: осаждение пьезоэлектрических слоев, например: свинец-цирконий-титан (Pb(Zr,Ti) O3); металлов, нитридов кремния и алюминия, оксида алюминия
  • Пластины: до ø200мм
  • Процессные камеры: до 5 (камеры напыления, камеры нагрева – предварительный нагрев до 700°С, камеры травления)

далее


ULVAC SME-200E cluster (PVD)

  • Автоматическая кластерная установка физического осаждения из газовой фазы для НИОКР и производственных целей
  • Назначение: осаждение пьезоэлектрических слоев, например: свинец-цирконий-титан (Pb(Zr,Ti) O3); пленок оксидов индия и олова (ITO) для солнечных элементов; металлов, нитридов кремния и алюминия, оксида алюминия, тантала и других
  • Подложки: кремниевые пластины – до ø200мм; стеклянные подложки – 200мм х 200мм; прочие
  • Процессные камеры: до 3

далее


ULVAC SRH-420/420МС cluster (PVD)

  • Автоматическая кластерная установка физического осаждения из газовой фазы – напыления металлов на обратную сторону пластины для серийного производства
  • Назначение: нанесение металлических пленок (Cr, Cu, TiW и пр.) для силовых устройств, нанесение затравочного слоя электролитического покрытия (WL-CSP), нанесение барьерной металлизации (UBM), другие аналогичные применения
  • Пластины: ø125мм ÷ ø200мм
  • Количество загрузочных портов: 2; кассетная загрузка

далее


ULVAC SRH-530 cluster (PVD)

  • Автоматическая кластерная установка физического осаждения из газовой фазы – напыления металлов на обратную сторону пластины для серийного производства
  • Назначение: нанесение металлических пленок для силовых устройств, нанесение затравочного слоя электролитического покрытия (WL-CSP), нанесение барьерной металлизации (UBM), другие аналогичные применения
  • Подложки: ø200мм ÷ ø300мм
  • Количество загрузочных портов: 2

далее


ULVAC SRH-820 cluster (PVD)

  • Автоматическая кластерная установка физического осаждения из газовой фазы – напыления металлов на обратную сторону пластины для массового производства
  • Назначение: нанесение металлических пленок для силовых устройств, нанесение затравочного слоя электролитического покрытия (WL-CSP), нанесение барьерной металлизации (UBM), другие аналогичные применения
  • Пластины: ø125мм ÷ ø200мм; обработка небольших подложек на специальном носителе
  • Количество загрузочных портов: 2; кассетная загрузка

далее


ULVAC Ei-5 (EB/RH)

  • Автоматическая установка группового осаждения металлов и оксидов на подложки методом высоковакуумного испарения для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: осаждение слоев металлов и оксидов; пленок оксидов индия и олова (ITO) для солнечных элементов, интегральных схем, МЭМС, светодиодов, силовых приборов,  биполярных транзисторов с изолированным затвором и других электронных устройств
  • Подложки: круглые и прямоугольные от 2” до 6” (до 8” в отдельных случаях) из кремния, многокомпонентных соединений (GaAs, GaN и прочих), стекла, сапфира и керамики
  • Держатели подложек: планетарные, спутниковые и прочие

далее


ULVAC CS-200 (PVD)

  • Автоматическая установка физического осаждения из газовой фазы (напыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: осаждение пьезоэлектрических слоев, например: платина-цирконий-титан; пленок оксидов индия и олова (ITO), в том числе легированных, для солнечных элементов; металлов (Ni, Au, Pt, Ru); углерода и других
  • Подложки: до ø300мм
  • Процессные камеры: 1

далее


ULVAC ENTRON-EX W-200S / W-200T6   200мм (PVD)

  • Автоматическая многокамерная установка физического осаждения слоев из газовой фазы (напыления) в серийном производстве.
  • Базируется на нескольких платформах: S-type(Single core type); T-type(Tandem type) – 2 варианта
  • Назначение: напыление слоев TiO2, Ni, TiN, Co, Ta, Cu и прочих
  • Пластины: ø200мм

далее


ULVAC ENTRON-EX W-300 300мм (PVD/ALD/CVD)

  • Автоматическая многокамерная установка физического осаждения из газовой фазы (напыления) для производства магниторезистивных ОЗУ (MRAM), резистивных ОЗУ (ReRAM), ОЗУ на основе фазового перехода (PCRAM), сегнетоэлектрических ОЗУ (FeRAM) в серийном производстве.
  • Базируется на нескольких платформах: ENTRONTM-EX S-type(Single core type); ENTRONTM-EX T-type(Tandem type)
  • Назначение: напыление Al и Cu электропроводящих дорожек, напыление барьерного слоя TI/TiN, напыление толстых слоев  силицида AL и Co/Ni, напыление Ta2O5/TaOx и  прочее
  • Пластины: ø300мм (кремниевые, полупроводниковые многокомпонентные)

далее


 ULVAC ENTRON-EX2 W-300 300мм (PVD/ALD/CVD)

  • Автоматическая многокамерная установка физического осаждения из газовой фазы (напыления) для производства динамических ОЗУ (DRAM), флеш-памяти, магниторезистивных ОЗУ (MRAM), резистивных ОЗУ (ReRAM), ОЗУ на основе фазового перехода (PCRAM), сегнетоэлектрических ОЗУ (FeRAM), современных логических схем, КМОП светочувствительных матриц в серийном производстве.
  • Базируется на нескольких платформах: ENTRONTM-EX2 S-type(Single core type); ENTRONTM-EX2 T-type(Tandem type)
  • Назначение: напыление Al и Cu электропроводящих (в том числе – наноразмерных) дорожек, напыление барьерного слоя TI/TiN, напыление толстых слоев  силицида AL и Co/Ni и прочее
  • Пластины: ø300мм (кремниевые, полупроводниковые многокомпонентные, кварцевые)

далее


ULVAC CS-L 150мм / 200мм (PVD)

  • Компактная установка физического осаждения из газовой фазы (напыления) для НИОКР
  • Назначение: осаждение легированных алюминием тонких пленок ZnO (AZO), легированных галлием тонких пленок ZnO (GZO) для солнечных элементов и оптоэлектронных устройств; пленок оксидов и металлов для МЭМС и других применений
  • Подложки: ø150мм (опционно – ø200мм) – кремниевые, кварцевые и т.д.
  • Процессные камеры: 1

далее

Scroll Up