Tokyo Electron

Tokyo Electron TEL NT333 (ALD/PEALD)

  • Автоматическая двухкамерная  установка термического / плазменно-активированного атомно-слоевого осаждения с  шлюзовой загрузкой для массового производства
  • Производительность: более 100 пл/час
  • Рабочие камеры: 2
  • Назначение: осаждение слоев диэлектриков (SiO2, Si3N4), а также материалов с высокой диэлектрической проницаемостью (High-k) и прочих

далее


Tokyo Electron TEL TELINDY PLUS (ALD/LPCVD/Ox) / TELINDY PLUS Irad (PEALDOx)

  • Автоматическая установка термического атомно-слоевого осаждения / химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении / оксидирования / отжига с  шлюзовой загрузкой для производства
  • Рабочая кварцевая камера
  • Назначение: атомно-слоевое осаждение слоев диэлектриков (SiO2, Si3N4), а также материалов с высокой диэлектрической проницаемостью (High-k);  LPCVD кремния (поли-Si, a-Si, SiO2, Si3N4); оксидирование радикалами; отжиг
  • Загрузка: в FOUP-контейнерах через 2 загрузочных шлюза с продувкой азотом; загрузочная вилка из Al2O3 с покрытием полиэфирэфиркетоном (PEEK)

далее


Tokyo Electron TEL TELFORMULA (LPCVD/ALD/Ox)

  • Автоматическая установка химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении / атомно-слоевого осаждения / оксидирования, оксинитридирования при атмосферном / пониженном давлении, с  шлюзовой загрузкой, для серийного производства
  • Назначение: LPCVD кремния (поли-Si, a-Si, SiO2, Si3N4); ALD High-k диэлектриков; ATM / LP окисление, оксинитридирование и т. д.
  • Рабочая кварцевая камера с теплозащитным экраном
  • Загрузка: в FOUP-контейнерах через 2 загрузочных шлюза с продувкой азотом; загрузочная вилка из Al2O3 с покрытием полиэфирэфиркетоном (PEEK)

далее


Tokyo Electron TEL ALPHA-8SE™(ALD/LPCVD/Ox)

  • Автоматическая установка группового термического атомно-слоевого осаждения / химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении / оксидирования / низкотемпературного нитридирования / отжига, с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
  • Рабочая кварцевая камера
  • Назначение: атомно-слоевое осаждение слоев High-k материалов (например, AlOx / HfOx);  LPCVD кремния (поли-Si, a-Si, SiO2, Si3N4); оксидирование радикалами при пониженном давлении; отжиг
  • Загрузка: в кассетах через 2 загрузочных шлюза с продувкой азотом; загрузочная вилка из Al2O3 с покрытием полиэфирэфиркетоном (PEEK)

далее

Scroll Up