АО «НИИТМ»

МАГНА ТМ 5

  • Автоматическая установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для группового нанесения многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления.
  • Подложки: пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
  • Загрузка: ?76 мм – 15 шт., ?100 мм – 9 шт., ?150 мм – 3шт.
  • Система переноса подложек из шлюзовой камеры в три рабочие позиции транспортной каруселью
  • Предварительный нагрев подложек и их очистка с помощью источника ионов
  • Мультикатодное МРУ с тремя мишенями ?100 мм

ЭЛИМ ТМ 5

  • Автоматическая установка вакуумного напыления (магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения) для серийного производства
  • Назначение: для группового нанесения металлических, диэлектрических или резистивных тонких пленок на подложки (пластины)
  • Подложки: пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
  • Загрузка: ?76 мм – 15 шт., ?100 мм – 9 шт., ?150 мм – 3 шт.
  • Система переноса подложек из шлюзовой камеры в две рабочие позиции транспортной каруселью
  • Предварительный нагрев подложек и их очистка с помощью источника ионов
  • Мультикатодное МРУ с тремя мишенями ?100 мм

МАГНА ТМ 22

  • Автоматическая установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для индивидуального или группового нанесения многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины)
  • Подложки: 60?48 мм; пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
  • Планетарный двухстепенной подложкодержатель
  • Предварительный нагрев подложек и их очистка с помощью источника ионов в шлюзовой камере
  • Мультикатодное МРУ с четырьмя мишенями ?76 мм
  • Нанесение пленок в рабочей камере одним, двумя, тремя, четырьмя магнетронами

МАГНА ТМ 29

  • Автоматическая установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для группового нанесения многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины)
  • Подложки: пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм
  • Шлюзовые камеры для загрузки-выгрузки подложек из кассеты в кассету: 2 шт.
  • Конвейерная система непрерывного транспортирования подложек
  • Предварительный нагрев подложек ламповым нагревателем и их очистка источником ионов
  • Вакуумная система: криогенный/турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50 Гц, ?30 кВт
  • Занимаемая площадь: ~10м2

МАГНА ТМ 200-01

  • Автоматическая установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для индивидуального и группового нанесения многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины)
  • Подложки: 60?48 мм, 156?156 мм; пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
  • Прогреваемая (охлаждаемая) загрузочная камера
  • Загрузка: 60?48 мм – 7 шт., 156?156 мм – 1 шт.; ?76 мм – 4 шт., ?100 мм – 2 шт., ?150 мм – 1шт., ?200 мм – 1шт.
  • Варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер
  • Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора

МАГНА ТМ 200-04

  • Установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для нанесения магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu) слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др.
  • Подложки: 60?48 мм; пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм
  • Загрузка: 60?48 мм – 7 шт., ?76 мм – 4 шт., ?100 мм – 1шт., ?150 мм – 1шт., ?200 мм – 1шт.
  • Варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер
  • Шлюзовая камера для загрузки-выгрузки пластин в кассете
  • Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора
  • Варианты обработки: индивидуальная обработка пластин на рабочем столе ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм; групповая обработка подложек 60?48 мм и пластин ?76 мм на носителе

МАГНА ТМ 300

  • Установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для серийного производства
  • Назначение: для нанесения многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60?48 мм; пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм, ?300 мм
  • Шлюзовая камера для загрузки-выгрузки подложек на носителе из кассеты в кассету
  • Транспортная система переноса пластин на носителе из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора
  • Обработка пластин в одном технологическом цикле: 60?48 мм – 19 шт., ?76 мм – 13 шт., ?100 мм – 7 шт., ?150 мм – 3 шт., ?200 мм – 1 шт., ?300 мм – 1 шт.
  • Нагреваемый ВЧ столик
  • Мультикатодное МРУ с тремя мишенями ?150 мм

МВУ ТМ МАГНА 04

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения пленок металлов и резистивных материалов на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60?48 мм; пластины ?100 мм, ?150 мм
  • Групповая обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке ?100 мм – 4 шт., ?150 мм – 2 шт.; при двусторонней обработке 60?48мм – 6 шт.
  • Ионная очистка в плазме разряда
  • Магнетронное распылительное устройство (МРУ) постоянного тока: 2 шт.
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Ламповый нагрев
  • Электроэнергия: 50 Гц, ?4,5 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

МВУ ТМ МАГНА 06

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения пленок металлов и резистивных материалов на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60?48 мм; пластины ?100 мм, ?150 мм
  • Групповая обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке ?100 мм – 4 шт., ?150 мм – 2 шт.; при двусторонней обработке 60?48 мм – 6 шт.
  • Периодический поворот подложкодержателя на 90°
  • Ионная очистка в плазме разряда
  • Тип и количество МРУ в установке: 1 шт. постоянного тока или 1 шт. ВЧ
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Ламповый нагрев
  • Электроэнергия: 50 Гц, ?4,5 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

МВУ ТМ МАГНА 07, 08

  • НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения пленок металлов и резистивных материалов на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60?48 мм; пластины ?100 мм, ?150 мм
  • Групповая обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке ?100 мм – 4 шт., ?150 мм – 2 шт.; при двусторонней обработке 60?48 мм – 6 шт.
  • Ионная очистка в плазме разряда
  • Тип и количество МРУ в установке: постоянного тока – 3 шт. (Магна 07);  постоянного тока – 2 шт., ВЧ – 1 шт. (Магна 08)
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Ламповый нагрев
  • Электроэнергия: 50 Гц, ?4,5 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

МВУ ТМ МАГНА 09

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для многослойного нанесения пленок металлов и резистивных материалов на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60?48 мм; пластины ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм
  • Загрузка: шлюзовая камера для загрузки/выгрузки подложек
  • Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе механизмов горизонтального перемещения
  • Индивидуальная односторонняя обработка подложек: ?100 мм – 1 шт., ?150 мм – 1 шт., ?200 мм – 1 шт.; 60?48 мм – 5 шт.
  • Стол вращения подложкодержателя с ВЧ очисткой
  • Предварительный нагрев подложек и их очистка в плазме ВЧ разряда перед нанесением

МВУ ТМ МАГНА 10

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для двустороннего нанесения многокомпонентных и многослойных тонких плёнок металлов и диэлектриков на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60?48 мм; пластины ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм
  • Загрузка: шлюзовая камера для загрузки/выгрузки подложек
  • Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе механизмов горизонтального перемещения
  • Индивидуальная односторонняя обработка подложек ?100 мм – 1 шт., ?150 мм – 1 шт., ?200 мм – 1 шт. или двухсторонняя 60?48 мм – 5 шт.
  • Вращающийся подложкодержатель
  • Предварительный нагрев подложек и их очистка с помощью источника ионов

МВУ ТМ МАГНА 11, 12

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (магнетронного распыления) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения металлов, резистивных материалов и диэлектриков на подложки (пластины) методом магнетронного распыления
  • Подложки: 60х48мм; пластины ?100 мм, ?150 мм
  • Обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке  ?100 мм – 4 шт., ?150 мм – 2 шт. (на другом держателе) или при двухсторонней обработке 60?48 мм – 6 шт.
  • Периодический поворот подложкодержателя на 90°
  • Ламповый нагрев
  • Тип и количество МРУ в установке: постоянного тока – 2 шт. (Магна 11);  постоянного тока – 1шт., ВЧ – 1 шт. (Магна 12)
  • Количество ионных источников – 1 шт.
  • Применяемые газы: Ar, O2, сжатый воздух и др.
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (ТМН300) и безмасляный форвакуумный насосы
  • Микропроцессорная система управления
  • Электроэнергия: 50 Гц, ?4,5 кВт
  • Занимаемая площадь: ~2,5м2

МВУ ТМ МАГНА ТИС 02

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (методами магнетронного распыления и термического испарения) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения пленок металлов, резистивных материалов и диэлектриков на подложки (пластины) методом магнетронного напыления и термического испарения
  • Подложки: 60?48 мм; пластины ?100 мм, ?150 мм
  • Обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке  ?100 мм – 4 шт., ?150 мм – 2 шт. (на другом держателе) или при двухсторонней обработке 60?48 мм – 6 шт.
  • Периодический поворот подложкодержателя на 90°
  • Планетарный механизм вращения подложек
  • Ионно – плазменная очистка и нагрев подложек перед нанесением покрытия
  • Тип и количество МРУ в установке: постоянного тока или ВЧ – 2 шт.

МВУ ТМ ТИС 02

  • Малогабаритная установка вакуумного напыления (методом термического испарения) для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для нанесения пленок на подложки (пластины) методом термического испарения
  • Подложки: 60?48 мм; пластины ?100 мм, ?150 мм
  • Обработка подложек в одном технологическом цикле: при односторонней обработке  ?100 мм – 4 шт., ?150 мм – 2 шт. (на другом держателе) или при двухсторонней обработке 60?48 мм – 6 шт.
  • Периодический поворот подложкодержателя на 90°
  • Планетарный механизм вращения подложек
  • Ионно – плазменная очистка и нагрев подложек перед нанесением покрытия
  • Термический испаритель мощностью не более 900Вт: 1шт.