Lam Research

Lam Research LAM (Novellus) ALTUS DirectFill (ALD/CVD)

  • Автоматическая установка атомно-слоевого осаждения нитрида вольфрама/вольфрама  (с возможностью плазмохимического осаждения) с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
  • Назначение: осаждение вольфрамовых слоев с низким содержанием фтора (LFW) с использованием технология Lam PNL® (Pulsed Nucleation Layer) при производстве устройств 3D NAND и DRAM, а также для устройств с металлическим затвором / металлическим контактом в логических приборах.
  • До 4-х модулей; до12-ти пьедесталов
  • Загрузка в контейнерах

далее


Lam Research LAM Striker (ALD)

  • Автоматическая установка атомно-слоевого осаждения с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
  • Назначение: осаждение тонких диэлектрических слоев (разделители изображений и фотошаблоны, однородные слои, слои для ограничения травления, заполняющий зазоры диэлектрик, герметизирующие слои, оптические пленки) для логических устройств, схем памяти, устройств отображения информации
  • До 4-х процессных модулей
  • Загрузка в контейнерах

далее


Lam Research LAM (Novellus) Kiyo F Series (ALE/RIE)

  • Автоматическая установка плазмоактивированного атомно-слоевого травления с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
  • Назначение: травление проводников при производстве схем памяти 3D NAND и DRAM, также возможно травление кремния (Si), германия (Ge), углерода (C), вольфрама (W), оксида кремния (SiO2); травление соединений А3В5 (GaN и пр.) при производстве транзисторов с высокой подвижностью электронов для высокочастотных устройств связи, светодиодов и детекторов ультрафиолета
  • Применение технологии MMP (комбинированный режим пульсирования)
  • До 4-х процессных камер.
  • Варианты загрузки: в FOUP-контейнерах либо в SMIF-контейнерах

далее


Lam Research LAM (Novellus) Flex (ALE/RIE)

  • Автоматическая установка плазмоактивированного атомно-слоевого травления с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
  • Назначение: травление диэлектриков (в т.ч. SiO2) при производстве  логических устройств до 10 нм и ниже
  • До 4-х процессных камер
  • Варианты загрузки: в FOUP-контейнерах либо в SMIF-контейнерах

далее


Lam Research LAM (Novellus) INOVA Next  (PVD 300мм)

  • Автоматическая установка физического осаждения из газовой фазы с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
  • Назначение: осаждение слоев титана/нитрида титана (Ti/TiN),  осаждение алюминия (Al) для стековой металлизации; осаждение танталового (Ta) барьера / осаждение меди (Cu)
  • До 7-ми процессных камер. Варианты: Inova NexT, Inflection FFWA Module
  • Варианты загрузки: в FOUP-контейнерах либо в SMIF-контейнерах, либо кассетная загрузка (25 пластин в кассете)

далее


Lam Research LAM (Novellus) INOVA 200 мм(PVD)

  • Автоматическая установка физического осаждения из газовой фазы с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
  • Назначение: осаждение танталового (Ta) барьера / осаждение зародышей кристаллизации меди (Cu)
  • До 4 процессных камер.
  • Загрузка в SMIF-контейнерах (LPT2000)

далее

Scroll Up