FHR Anlagenbau

FHR.Star.100-TetraCo (PVD)

  • Кластерная установка для создания в условиях вакуума тонкопленочных покрытий для НИОКР и пилотного производства.
  • Назначение: нанесение многослойных пленок для МЭМС и датчиков, функциональных покрытий для микро- и оптоэлектроники, силовых приборов
  • Реализуемые процессы: реактивное и инертное магнетронное распыление (режим постоянного тока); предварительная обработка (например, плазменное травление); соосаждение на вращающийся держатель подложки
  • Состав: загрузочный шлюз, транспортировочная камера, процессная камера

далее


FHR.Star.150-Co (PVD)

  • Кластерная установка для создания в условиях вакуума тонкопленочных покрытий для НИОКР и пилотного производства.
  • Назначение: нанесение многослойных пленок для МЭМС и датчиков, функциональных покрытий для микро- и оптоэлектроники, силовых приборов
  • Состав: загрузочный шлюз, транспортировочная камера, 2 процессные камеры (для высоко- и низкотемпературных процессов)
  • Подложки: до ø200 мм и толщиной (0,8÷5,0) мм

далее


FHR.Star.220 (PVD)

  • Универсальная кластерная установка для создания в условиях вакуума толстых и тонких пленочных покрытий для НИОКР и серийного производства.
  • Назначение: нанесение многослойных оптических пленок, функциональных покрытий для МЭМС и датчиков
  • Реализуемые процессы: реактивное и инертное магнетронное распыление (ВЧ-режим); предварительная обработка (например, плазменное травление)
  • Состав: загрузочный шлюз, транспортировочная камера с вакуумным манипулятором, процессная камера

далее


FHR.Star.300 (PVD/ALD)

  • Многоцелевая кластерная установка для создания в условиях вакуума тонкопленочных функциональных покрытий (проводящих, изолирующих, барьерных, адгезионных, оптических) на пластинах (подложках) в полупроводниковой промышленности, производстве МЭМС, солнечных элементов и датчиков, микроэлектронике, оптоэлектронике, оптике для промышленного производства
  • Назначение: нанесение высококачественных оптических пленок, функциональных покрытий для МЭМС, датчиков, силовых приборов на карбиде кремния
  • Камеры кассетной загрузки-разгрузки: 2
  • Транспортировочная камера свосемью портами и вакуумным манипулятором-перегрузчиком

далее


FHR ALD 100 (ALD)

  • Установка атомно-слоевого осаждения для НИОКР и пилотного производства  
  • Назначение:  для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiNx и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
  • Пластины: до ø100 мм
  • Нагрев подложки: до 600°C

далее


FHR ALD 150 (PEALD)

  • Установка плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения для НИОКР и пилотного производства 
  • Назначение: для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiNx и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
  • Подложки: пластины ø150 мм; объемные подложки: 20 мм, до 100 слоев
  • Загрузка по1 подложке в боксе с ламинарным потоком

далее


FHR ALD 300 НИОКР (ALD)

  • Двухреакторная установка атомно-слоевого осаждения для НИОКР
  • Назначение: для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiNx и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
  • Подложки: пластины ø150, 200, 300 мм
  • Ручная загрузка по одной пластине, зона загрузки – в чистой комнате

далее


FHR ALD 300 (ALD)

  • Двухреакторная установка атомно-слоевого осаждения для промышленного производства
  • Применяется для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiNx и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
  • Подложки ø300 мм
  • Система автоматической загрузки с азотным охлаждением и с 2 портами для стандартных кассет на 25 пластин

далее


FHR-Star300BOX (PVD)

  • Однокамерная установка магнетронного напыления металлов на различные поверхности
  • Объем загрузки: до 24 подложек размером 60×48 мм
  • Ручная загрузка-выгрузка подложек через дверь в фронтальной части установки
  • Рабочая камера из нержавеющей стали диаметром 800 мм

далее


FHR.Boxx.400-PVD (PVD)

  • Однокамерная установка магнетронного напыления для мелкосерийного производства
  • Назначение: нанесение оптических пленок на осветительные приборы, функциональных покрытий для МЭМС и датчиков, декоративных покрытий, многослойных покрытий
  • Реализуемые процессы: магнетронное напыление (постоянным током или ВЧ-режим); предварительная обработка (например, плазменное травление)
  • Подложки:  пластины до ø150 мм или подложки до 156 x 156 мм

далее


FHR.Micro.150-MonoEVA (PVD)

  • Лабораторная установка термического напыления
  • Назначение: термическое напыление Cu, Ga, In, Se и прочих материалов
  • Подложкодержатель с фиксаторами для подложек до ø150 мм
  • Ручная загрузка-выгрузка подложек

далее


FHR.Micro.150-DuoPVD (PVD)

  • Лабораторная установка магнетронного напыления с двумя источниками
  • Назначение: динамический процесс напыления при комнатной температуре проводящих материалов – Cr, Cu, Au, Ag и прочих металлов с использованием DC-источника; напыление непроводящих материалов –Al2O3, SiO2 при опционном использовании RF-источника
  • Процессная камера из алюминия
  • Вращающийся подложкодержатель для подложек размером до ø200 мм

далее


FHR.Micro.160-IBE-RIE (IBE)

  • Лабораторная установка ионно-лучевого и реактивно-ионного травления
  • Назначение: травление Cu, Si, Ga и прочих материалов
  • Возможность вращения и наклона подложкодержателя с подложками ø4”
  • Ручная загрузка-выгрузка подложек

далее


FHR.Micro.200-ALD

  • Установка термического и плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения Al2O3, TiO2 и прочих соединений
  • Подложкодержатель с фиксаторами для подложек до ø200 мм
  • Ручная загрузка-выгрузка подложек
  • Температура процесса: до 400°C

далее


FHR.Micro.200-PVD (PVD)

  • Лабораторная установка магнетронного напыления тонких пленок в вакууме для НИОКР и обучения
  • Подложки: до ø200 мм толщиной до 30мм (более 30 мм  – с использованием проставочных колец)
  • Ручная загрузка-выгрузка подложек
  • Модификации установки:

– DC модель: осаждение электропроводящих слоев (Al, нержавеющая сталь, Cr, Cu, Au, Ag и прочих);

– HF модель: осаждение электропроводящих или неэлектропроводящих слоев (Al2O3, SiO2, ZrxOy, Si3N4 и прочих)

далее

Scroll Up