ASMPulsar​​​ XP ALD

  • Технологический модуль атомно-слоевого осаждения для получения high-k диэлектрических материалов для затворов КМОП-транзисторов и других применений в серийном производстве. Может функционировать в составе кластерных установок Eagle XP platform (300мм),  Polygon 8300 platform (300мм), Polygon 8200 platform (200мм)
  • Назначение: осаждение подзатворных high-k диэлектриков (оксид гафния, силикат гафния); осаждение защитных слоев high-k диэлектриков для настройки рабочих функций металлических затворов; осаждение высокоскоростного оксида алюминия; осаждение конформных пассивирующих слоев; осаждение high-k диэлектриков для МЭМС
  • Процессные камеры (реакторы): 1
  • Робот-манипулятор для перемещения пластин
  • Пластины: ø200мм, ø300мм
  • Обработка по одной пластине в камере
  • Использование как жидких (TMA, HfCl4 и т.д.), так и твердых прекурсоров для создания слоев
  • Нагреватель подложкодержателя
  • Газовые линии с РРГ
  • Применяемые газы: Ar, N2, сжатый воздух и прочие
  • Вакуумная система: безмасляные форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 380В, 3ф, 50/60Гц  /  208В, 3ф, 50/60Гц

к списку

Scroll Up