KX 170 MCZ

  • Установка предназначена для выращивания монокристаллов, применяемых в микроэлектронике
  • Диаметр выращиваемого кристалла: 200-250 мм
  • Источник нагрева: сверхпроводящая индукционная система 
  • Диаметр рабочей камеры: 1040 мм
  • Высота приёмной камеры: 2800 мм
  • Скорость роста: от 0,01 до 127 мм/ч
  • Скорость вращения затравки (реверсивная): 0-30 об/мин
  • Скорость вращения тигля (реверсивная): 0-12 об/мин
  • Загрузочные параметры кремния  для тигля (ØхH):

– 560х343мм – 150кг

– 611х483мм – 200кг

  • Система KrystalVision TM для контроля диаметра и контроля уровня расплава
  • Система Kayex (KICCS TM) для аппаратного и программного управления процессами

к списку

Scroll Up