• Установка вакуумного травления в удаленной плазме для серийного производства
• Назначение: плазмохимическое удаление полимеров, в т.ч. фоторезиста, с кремниевых пластин при производстве полупроводниковых изделий, чувствительных к наведенному заряду
• Подложки: полупроводниковые пластины ?100мм/ ?150мм/ ?200мм
• Подложкодержатель: столик ?100мм/ ?150мм/ ?200мм
• Загрузка: роботизированная кассетная
• Количество портов загрузки: 1 или 2
• Автоматическое определение размера пластин
• Производительность: ? 120 пл/ч

• Однопозиционная установка вакуумного травления в удаленной плазме для НИОКР и мелкосерийного производства
• Назначение: травления фоторезиста в удаленной плазме
• Подложки: полупроводниковые пластины ?100мм/ ?150мм
• Подложкодержатель: столик ?100мм/ ?150мм
• Загрузка: ручная через шлюзовую камеру
• Манипулятор для переноса пластины в технологическую область
• Производительность: ? 30 пл/ч
• Скорость травления: > 11мкм/мин

• Однопозиционная установка вакуумного плазмохимического травления материалов для НИОКР и мелкосерийного производства
• Назначение: для плазмохимического травления Si, poly-Si, SiO₂, Si₃N₄, GaAs, GaN, InP, Ni, Ti, WSi_x, Al₂O₃, TiO₂
• Подложки: полупроводниковые пластины ?100мм/ ?150мм
• Подложкодержатель: столик ?100мм/ ?150мм
• Загрузка: ручная через шлюзовую камеру
• Манипулятор для переноса пластины в технологическую область
• Производительность: ? 20 пл/ч
• Скорость травления: Si ? 3мкм/мин; poly-Si ? 0,5мкм/мин

• Высоковакуумная установка плазмохимического травления и осаждения материалов для нанесения оптических покрытий
• Назначение: для для ионно-плазменной очистки оптических поверхностей и нанесения углеродных алмазоподобных (DLC) и просветляющих покрытий (IR) методом плазмохимического осаждения (PECVD) в производстве прецизионных оптических деталей
• Подложки: плоские / выпуклые / вогнутые детали до ?500мм
• Материал подложек: германий, кремний
• Подготовка подложек: ионно-плазменная очистка
• Технология очистки: травление производится в диодной схеме емкостного реактора с возможностью варьирования энергии и состава атомов, бомбардирующих поверхность. Возможна обработка в восстановительной, нейтральной и в окислительной среде, удаляя или восстанавливая оксидный слой на поверхности подложек.
• Для увеличения равномерности травления при обработке обеспечивается вращение и охлаждение технологического столика
• Нанесение слоев: плазмохимическое осаждение алмазопобного покрытия

Выпускаются совместно с  GN tech (ООО «Джиэнтех)

• Установки плазменной обработки поверхности материалов для НИОКР
• Назначение: для плазменной очистки поверхностей ионами и химически; для плазменной активациии поверхностей; для плазмненного травления (снятие оксидных слоев, микроструктурирование полупроводников, удаление фоторезиста)
• Расположение: настольное
• Форма камеры: цилиндрическая / прямоугольная
• Объем камеры: (2?12) л
• Материалы камеры: кварцевое стекло / нержавеющая сталь / алюминий
• Тип плазмы: низкочастотная (НЧ) / высокочастотная (ВЧ)
• Частота генератора: 40 кГц / 80 кГц / 13,56 МГц

Выпускаются совместно с  GN tech (ООО «Джиэнтех)

• Установки плазменной обработки поверхности материалов для НИОКР
• Назначение: для плазменной очистки поверхностей ионами и химически; для плазменной активации поверхностей; для плазмненного травления (снятие оксидных слоев, микроструктурирование полупроводников, удаление фоторезиста)
• Расположение: настольное
• Форма камеры: цилиндрическая / прямоугольная
• Объем камеры: (5?24) л
• Материалы камеры: кварцевое стекло / нержавеющая сталь / алюминий
• Тип плазмы: низкочастотная (НЧ) / высокочастотная (ВЧ)
• Частота генератора: 40 кГц / 80 кГц / 13,56 МГц

Выпускаются совместно с  GN tech (ООО «Джиэнтех)

• Установки плазменной обработки поверхности материалов для НИОКР и мелкосерийного производства
• Назначение: для плазменной очистки поверхностей ионами и химически; для плазменной активации поверхностей; для плазмненного травления (снятие оксидных слоев, микроструктурирование полупроводников, удаление фоторезиста)
• Расположение: напольное
• Форма камеры: цилиндрическая / прямоугольная
• Объем камеры: (5?36) л
• Материалы камеры: кварцевое стекло / нержавеющая сталь / алюминий
• Тип плазмы: низкочастотная (НЧ) / высокочастотная (ВЧ)
• Частота генератора: 40 кГц / 80 кГц / 13,56 МГц

Выпускаются совместно с  GN tech (ООО «Джиэнтех)

• Установки плазменной обработки поверхности материалов для НИОКР и мелкосерийного производства
• Назначение: для плазменной очистки поверхностей ионами и химически; для плазменной активации поверхностей; для плазмненного травления (снятие оксидных слоев, микроструктурирование полупроводников, удаление фоторезиста)
• Расположение: напольное
• Форма камеры: прямоугольная
• Объем камеры: (48?100) л
• Материалы камеры: кварцевое стекло / нержавеющая сталь / алюминий
• Тип плазмы: низкочастотная (НЧ) / высокочастотная (ВЧ)
• Частота генератора: 40 кГц / 80 кГц / 13,56 МГц