АО «НИИТМ»

ПЛАЗМА ТМ 300

  • Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
  • Назначение: для группового плазмохимического травления диэлектрических (SiO?, Si?N? и другие), металлических (Al, Cr и другие), полупроводниковых и полимерных слоев на пластинах
  • Подложки: пластины до ?300мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек из кассеты в кассету
  • Тип загрузки пластин: FOUP контейнер
  • Система переноса носителя подложек из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Температура нагрева стенок реактора: до 60°С

ПЛАЗМА ТМ 200-01

  • Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
  • Назначение: для плазмохимического травления поликристаллического кремния и нитрида кремния (мелкощелевая изоляция в кремнии)
  • Подложки: пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм, ?200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
  • Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
  • Система переноса пластин на основе манипулятора
  • Камера рабочая алюминиевая, цельнометаллическая с моторизованным подъемом колпака и нагревом стенок

ПЛАЗМА ТМ 200-02

  • Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
  • Назначение: для индивидуального или группового глубокого плазмохимического анизотропного ICP травления кремния в производстве МЭМС, НЭМС, сборок 2,5D и 3D, а также сквозных высокоаспектных отверстий и др. на базе Bosch-процесса
  • Режимы работы: ручной, автоматический
  • Подложки: 60х48мм; пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм, ?200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
  • Объем загрузки: 60х48мм – 7 шт.; ?76мм – 4 шт.; ?100мм, ?150мм, ?200мм – 1 шт.
  • Система переноса носителя из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора

ПЛАЗМА ТМ 200-03

  • Установка плазмохимического травления для мелкосерийного производства
  • Назначение: для высокоселективных процессов плазмохимического удаления фоторезистивной маски и травления органических полимеров
  • Подложки: пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм, ?200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
  • Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
  • Система переноса носителя из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Температура нагрева рабочий стола: до 250°С

ПЛАЗМА ТМ 200-04

  • Установка атомно-слоевого травления с ICP плазмой для мелкосерийного производства
  • Назначение: для атомно-слоевого травления оксида кремния, кремния и очистки поверхности
  • Подложки: пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм, ?200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек
  • Камера рабочая алюминиевая
  • Система прогрева стенок реактора: встроенными нагревателями
  • Температура нагрева стенок реактора: до 60°С

ПЛАЗМА ТМ 7

  • Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для индивидуального травления диэлектрических слоев и полупроводниковых материалов методом реактивно-ионного травления
  • Подложки: пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм
  • Загрузка: из кассеты в кассету
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин из кассеты в кассету
  • Система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Регулирование и автоматическое поддержание мощности ВЧ рабочего стола: (50?400)Вт

ПЛАЗМА ТМ 8

  • Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для индивидуального реактивно-ионного травления алюминиевой металлизации в хлорсодержащей плазме, а также тонких металлических слоев (Au, Pt, Ti, и др.), диэлектрических слоев (SiO2, SiN и др.), кремниевых слоев (Si, a-Si, поли-Si), материалов группы А3B5 (GaAs, InP, GaN, и др.)
  • Подложки: пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм
  • Загрузка: из кассеты в кассету
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин из кассеты в кассету
  • Система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Внутренний диаметр камеры: 300мм

ПЛАЗМА ТМ 09

  • Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для индивидуального и группового плазмохимического селективного (реактивно-ионного, анизотропного) травления кварца, пирекса, алмазных пленок, карбида кремния и других труднотравимых диэлектрических и полупроводниковых слоев
  • Подложки: 60х48мм; пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм
  • Загрузка: ручная
  • Объем загрузки: 60х48мм – 3шт; пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм – по 1 шт.
  • Регулирование и автоматическое поддержание мощности ВЧ рабочего стола: (400?600)Вт
  • Измерение напряжения на ВЧ рабочем столе: (0?1000)В

МВУ ТМ ПЛАЗМА 03

  • Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для индивидуального плазмохимического селективного (реактивно-ионного, анизотропного) травления диэлектрических и металлических слоев
  • Подложки: пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм
  • Загрузка: ручная
  • Объем загрузки: пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм – по 1 шт.
  • ВЧ источник IСР: 13,56 МГц, до 1000 Вт
  • ВЧ генератор стола-подложкодержателя: 13,56 МГц, до 600 Вт

ПЛАЗМА ТМ 4

  • Установка плазмохимического травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для группового плазмохимического удаления фоторезиста и очистки органических примесей на пластинах, а также стерилизации медицинских, в том числе термолабильных инструментов, приспособлений, ёмкостей, посуды и т.д.
  • Загрузка: ручная
  • Подложки: пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм
  • Объем загрузки: до 20 пластин в кварцевой лодочке
  • Поддержание стабильного ВЧ разряда при (10?100)Па
  • Рабочие газы: N2, O2 и пр.
  • Микропроцессорная система управления
  • Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
  • Электроэнергия: 380/220В, 3ф, 50гц, ?4,5  кВт

ИЗОФАЗ ТМ 300

  • Установка плазмохимического осаждения для серийного производства
  • Назначение: для группового низкотемпературного плазмохимического осаждения диэлектрических слоев оксида или нитрида кремния из газовой фазы
  • Подложки: пластины до ?300мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек из кассеты в кассету
  • Тип загрузки пластин: FOUP контейнер
  • Система переноса носителя подложек из шлюзовой камеры в реактор на основе манипулятора
  • Температура нагрева стенок реактора: до 60°С

ИЗОФАЗ ТМ 200-01

  • Установка атомно-слоевого осаждения с ICP плазмой для мелкосерийного производства
  • Назначение: для атомно-слоевого осаждения свертонких пленок (в т.ч. Al2O3)
  • Подложки: пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм, ?200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
  • Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
  • Система переноса пластин на основе манипулятора
  • Осаждение в термическом режиме с удаленным ICP источником плазмы

ИЗОФАЗ ТМ 200-02

  • Установка плазмохимического осаждения для мелкосерийного производства
  • Назначение: для плазмохимического осаждения диэлектрических слоев с ICP источником плазмы для формирования щелевой и межслойной изоляции, в том числе на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений
  • Подложки: пластины ?76мм, ?100мм, ?150мм, ?200мм
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек или пластин
  • Варианты загрузки пластин: SMIF контейнер, из кассеты в кассету, шлюзовая
  • Система переноса пластин на основе манипулятора
  • Температура нагрева подложкодержателя: (200?300)°С