ОАО «Планар-СО»

ЭМ-2090

  • Установка механического полирования пластин
  • Назначение: для получения ультратонких пластин из кремния (Si), арсенид галлия (GaAs), германия (Ge) и других полупроводниковых материалов
  • Подложки: пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм
  • Загрузка-выгрузка пластины на предметный стол: специальным вакуумным захватом
  • Режим обработки пластин: в непрерывном автоматическом цикле
  • Этапы обработки пластин: двухстадийное шлифование и полирование плоскости пластины (пластина остаётся на вакуумной планшайбе (держателе) во время всех этапов)
  • Количество шпинделей: 2 шт.

ЭМ-2050

  • Установка механического утонения кремниевых пластин
  • Назначение: для механического утонения алмазным инструментом полупроводниковых пластин со структурами ИС и СБИС, защищенных с планарной стороны адгезионным носителем
  • Подложки: пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм
  • Загрузка-выгрузка пластины: вручную
  • Подача пластин в зону шлифовки и выход в исходное положение: автоматически
  • Шлифовка пластин: автоматически по заданной программе
  • Этапы обработки пластин: двухстадийное шлифование с последующей отмывкой и сушкой обработанных поверхностей

ЭМ-2165

  • Двухшпиндельный высокопроизводительный автомат разделения полупроводниковых пластин
  • Назначение: для прецизионного надрезания и сквозного разделения на кристаллы полупроводниковых пластин в спутниках рамочного типа с адгезионным носителем с последующей гидромеханической отмывкой и сушкой; сквозного разрезания стержней, капилляров и светодиодных матриц
  • Подложки: пластины ?76мм, ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм
  • Загрузка спутника с подложкой: вручную
  • Поиск скрайберной дорожки (реперных меток), выравнивание подложки: автоматически (системой машинного зрения)
  • Автоматический поворот подложки на нужный угол после окончания реза по одной из плоскостей для продолжения операции разделения

ЭМ-2115

  • Двухшпиндельный высокопроизводительный полуавтомат разделения подложек и полупроводниковых пластин
  • Назначение: для двухзаходного надрезания и сквозного разделения пластин и подложек на спутниках рамочного типа специальным микроабразивным инструментом; сквозного разрезания стержней, капилляров и светодиодных матриц
  • Подложки: пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм
  • Толщина обрабатываемых пластин: (200?1500) мкм
  • Загрузка спутника с подложкой: вручную
  • Размеры спутника: наружный ?294 мм, толщина 1,6 мм
  • Поиск скрайберной дорожки (реперных меток), выравнивание подложки: автоматически (системой машинного зрения)

ЭМ-2085В

  • Установка разделения сверхтонких пластин
  • Назначение: для прецизионного надрезания или сквозного разрезания полупроводниковых пластин и керамических подложек, закрепленных липкой пленкой на металлических или пластмассовых рамках; сквозного разрезания стержней, капилляров и светодиодных матриц
  • Подложки: пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм, ?200 мм
  • Толщина обрабатываемых пластин: (2?5) мм
  • Загрузка спутника с подложкой: вручную
  • Поиск скрайберной дорожки (реперных меток), выравнивание подложки: автоматически (системой машинного зрения)
  • Автоматический поворот подложки на нужный угол после окончания реза по одной из плоскостей для продолжения операции разделения

ЭМ-225

  • Полуавтоматическая установка резки полупроводниковых пластин
  • Назначение: для надрезания или сквозного разрезания полупроводниковых пластин (кремний, арсенид галлия, германий, теллурид висмута и др.) и керамических подложек, закрепленных липкой пленкой на металлических или пластмассовых рамках
  • Подложки: пластины ?76 мм, ?100 мм, ?150 мм
  • Минимальный размер разделяемых кристаллов: 3?3 мм
  • Устройства совмещения пластин
  • Контроль диаметра алмазного режущего диска с коррекцией глубины реза
  • Мощность электрошпинделя: 1,2 кВт