ОАО «КБТЭМ-ОМО»

ЭМ-5189-02

  • Сканирующий лазерный генератор
  • Предназначен для изготовления металлизированных фотошаблонов при производстве СБИС и других изделий электронной техники, а также для формирования топологии на полупроводниковых подложках, обеспечивая совмещение с предыдущими слоями (безмасковая оптическая литография)
  • Размер минимального элемента 600нм
  • Время экспонирования области 100х100мм 60мин

далее


ЭМ-5289Б

  • Сканирующий лазерный генератор
  • Предназначен для изготовления металлизированных фотошаблонов при производстве СБИС и других изделий электронной техники, а также для формирования топологии на полупроводниковых подложках, обеспечивая совмещение с предыдущими слоями (безмасковая оптическая литография)
  • Размер минимального элемента 350нм
  • Время экспонирования области 100х100мм 120мин

далее


ЭМ-5109

  • Лазерный генератор изображений широкого применения
  • Предназначен для изготовления металлизированных фотошаблонов при производстве интегральных схем, полупроводниковых приборов, гибридных схем, фотоэлектрических преобразователей, ЖК-индикаторов, прецизионных печатных плат, фотошаблонов ГИС, специальных измерительных и тестовых шаблонов
  • Размеры наборного элемента 1…300мкм
  • Производительность (на регулярных структурах) 1,7 млн. эксп./ч

далее


ЭМ-5009М

  • Генератор изображений для изготовления эмульсионных фотошаблонов
  • Предназначен для изготовления эмульсионных фотошаблонов при производстве интегральных схем, полупроводниковых приборов, гибридных схем, ЖК-индикаторов
  • Размер наборного элемента 4…1500мкм
  • Производительность (на регулярных структурах) 0,2 млн. эксп./ч

далее


ЭМ-5186

  • Установка формирования двухсторонних знаков совмещения
  • Предназначена для нанесения знаков совмещения на нижнюю сторону пластины (подложки), совмещенных со знаками совмещения, сформированными предварительно на её верхней стороне.
  • Размер подложек Ø76мм; 100мм; 150мм; 200мм; 60х48мм
  • Толщина подложки 0.3 … 10.0мм

далее


ЭМ-5062М

  • Фотоповторитель
  • Предназначен для изготовления металлизированных эталонных и рабочих фотошаблонов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем методом проекционного переноса
  • Фотографическое разрешение на поле модуля 10х10мм (на структурах линия-промежуток) 1мкм
  • Производительность при времени экспонирования 0,5 с, количестве модулей 61, размере модуля 10х10 мм, на шаблонах 127х127 мм – 30 фотошаблонов/ч

далее


ЭМ-5084Б

  • Автоматическая установка совмещения и экспонирования
  • Предназначена для совмещения и помодульного экспонирования полупроводниковых пластин при производстве СБИС и других изделий электронной техники
  • Рабочая длина волны 404нм
  • Фотолитографическое разрешение 0.8 мкм

далее


ЭМ-5434М

  • Установка экспонирования для изготовления печатных плат высокой плотности соединений (Степпер)
  • Предназначен для выполнения технологической операции литографии в производстве печатных плат (IC Substrate) для технологии сборки микросхем методом Flip Chip (BGA/CSP)Фотографическое разрешение на поле модуля 10х10мм (на структурах линия-промежуток) 1мкм
  • Разрешение объектива L/S:      8 мкм
  • Рабочее поле объектива:          70×250мм; 85×228мм

далее


ЭМ-5634

  • CCD-Степпер
  • Предназначен для выполнения фотолитографии в производстве интегральных микросхем с большой площадью кристалла.
  • Диаметр пластин 100мм,150мм
  • Размер фотошаблона 152×152 (6″х6″) мм

далее


ЭМ-5026АМ

  • Установка совмещения и экспонирования
  • Предназначена для совмещения изображений фотошаблона и пластины (подложки) и переноса изображения с фотошаблона на пластину (подложку) контактным (в зазоре) экспонированием фоторезистивного слоя пластины.
  • Диапазоны рабочих длин волн 225-260 нм; 280-335 нм;350-450 нм
  • Фотолитографическое разрешение    0.4 … 0.7мкм

далее


ЭМ-5096

  • Установка совмещения и экспонирования
  • Предназначена для совмещения изображения фотошаблона и пластины (подложки) и переноса изображений с фотошаблона на пластину контактным (в зазоре) экспонированием фоторезистивного слоя пластин (подложки)
  • Диапазоны рабочих длин волн 225-260нм; 280-335нм; 350-450нм
  • Фотолитографическое разрешение 0.4 … 0.6мкм

далее


ЭМ-5026М1

  • Установка совмещения и экспонирования
  • Предназначена для совмещения изображения фотошаблона и пластины (подложки) и переноса изображения с фотошаблона на пластину контактным (в зазоре) экспонированием фоторезистивного слоя пластины (подложки).
  • Диапазоны рабочих длин волн 225-260нм; 280-335нм; 350-450нм
  • Фотолитографическое разрешение 0.4 … 0.6мкм

далее


ЭМ-5026Б

  • Установка двухстороннего совмещения и экспонирования
  • Предназначена для контактного (в зазоре) способа экспонирования верхней стороны полупроводниковой пластины или подложки, совмещая изображение на фотошаблоне с изображением на нижней (обратной) стороне пластины или подложки.
  • Диапазоны рабочих длин волн 225-260нм; 280-335нм; 350-450нм
  • Фотолитографическое разрешение 0.4 … 1.0мкм

далее

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.