Applied Materials

Applied Materials AMAT VIISta 3000XP/HP 200/300мм (Varian)

Автоматическая установка высокоэнергетической ионной имплантации с высокой угловой точностью для серийного производства
Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для КМОП-структур при производстве ИС, транзисторов, солнечных элементов и прочих
Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
Роботизированная загрузка, буферная станция
Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
Максимальная производительность: до 250 пластин в час (200 мм); до 400 пластин в час (300 мм)
Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом

Показать больше

Диапазон энергий: 5кэВ÷3МэВ (XP) / 10кэВ÷3,75МэВ (HP)
Диапазон доз: (5·10¹⁰÷1·10¹⁶) 1/см²
Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
Комплект контроллеров дозы
Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, Ar, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция: (21÷24) м³/мин (модификация 200 мм)
Охлаждающая вода: (16÷19)°С (модификация 200 мм)
Система подачи ДИ-воды
Чиллер
Система управления с ИБП: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
Многоуровневая система безопасности, защищенная паролем
Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные и мембранные форвакуумные насосы
Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 60 A (модификация 200 мм); 208В, 3ф, 60 Гц (модификация 300 мм)

Показать меньше

Applied Materials AMAT VIISta 900 3D 300мм (Varian)

Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации с высокой угловой точностью луча и высокой точностью формы луча для серийного производства
Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для изготовления высокопроизводительных плавниковых полевых транзисторов (FinFET) и объемных логических приборов (3D NAND) высокой плотности, а также для легирования фотодиодов и логических слоев КМОП формирователей сигналов изображения
Загрузка в FOUP-контейнерах
4 загрузочных порта
Роботизированная загрузка, буферная станция
Пластины: ø 300 мм
Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
Диапазон энергий: 2кэВ÷900 кэВ

Показать больше

Технология горячей имплантации (450°С)
Архитектура с 3-мя магнитами (технология SuperScan 3)
Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, Ar, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция
Охлаждающая вода
Чиллер
Система управления: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф

Показать меньше

Applied Materials AMAT VIISta 900XP 200/300мм (Varian)

Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации с повторяемым и точным контролем угла имплантата для крупносерийного производства
Назначение: прецизионное внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин
Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
Роботизированная загрузка, буферная станция
Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
Максимальная производительность: до 500 пластин в час
Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом

Показать больше

Диапазон энергий: 2кэВ÷900 кэВ
Диапазон доз: (1·10¹¹÷1·10¹⁶) 1/см²
Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
Система позиционирования Varian (VPS)
Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
Архитектура с 2-мя магнитами
Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, Ar, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция
Охлаждающая вода
Чиллер
Система управления с ИБП: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 60 A
Размеры: 6,2 × 3,0 м (модификация 200 мм)

Показать меньше

Applied Materials AMAT VIISta 810XP 200/300мм (Varian)

Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации для серийного производства
Назначение: прецезионное внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин
Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
Роботизированная загрузка, буферная станция
Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
Максимальная производительность: до 500 пластин в час
Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом

Показать больше

Диапазон доз: (1·10¹¹÷1·10¹⁶) 1/см²
Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, Ar, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Испаритель с дозирующей системой
Вытяжная вентиляция: (13÷16) м³/мин (модификация 200 мм)
Охлаждающая вода: (16÷19)°С (модификация 200 мм)
Система подачи ДИ-воды с нагревателем
Криокомпрессоры
Система управления: компьютерная (VCS), с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
Многоуровневая система безопасности, защищенная паролем
Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 35кВA + 400В, 1ф (модификация 200 мм); 208В, 3ф, 60 Гц (модификация 300 мм)
Размеры: 6,77 × 3,012 × 2,746 м (модификация 200 мм)
Вес: около 20800 кг (модификация 200 мм)

Показать меньше

Applied Materials AMAT VIISta HCP/HCS 200/300мм (Varian)

Автоматическая установка высокотоковой ионной имплантации с высокой угловой управляемостью и точностью для серийного производства
Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для КМОП-структур при производстве модулей памяти, логических ИС, транзисторов, и прочих с производственной топологией 65 нм и исследовательской топологией 45 и 32 нм
Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
Роботизированная загрузка, буферная станция
Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
Максимальная производительность: до 350 пластин в час (300 мм)
Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом

Показать больше

Диапазон энергий: 200эВ÷60кэВ
Диапазон доз: (1·10¹³÷5·10¹⁶) 1/см²
Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
Использование источника косвенно нагретого ø12” катода (IHC)
Архитектура с 2-мя магнитами
Газовая система: газовый шкаф, 6 (7 – HCS) линий с РРГ
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, Ar, N₂ и другие (GeF₄, CO, CO₂ – для HCS)
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция: 68 л/мин (HCS)
Охлаждающая вода: (16÷21)°С, 68 л/мин (HCS)
Чиллер
Система управления: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 175 A (HCS)
Вес: 20609 кг (HCS)

Показать меньше

Applied Materials AMAT VIISta PLAD 200/300мм (Varian)

Автоматическая установка высокодозовой ионной имплантации с низким энергопотреблением с использованием высокочастотной плазмы для серийного производства
Назначение: высокодозовое легирование трехмерных структур КМОП-устройств, таких как области исток-сток плавниковых транзисторов; имплантация высоких доз бора при энергиях в несколько кэВ для противодействия легированию n + поли-Si при формирования электродов затвора, легированных p +, в устройствах динамической памяти с произвольным доступом; имплантация высоких доз нелегирующих ионов для местного увеличения или уменьшения скорости плазменного травления и других приложений модификации материалов
Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
Роботизированная загрузка, буферная станция
Станция ориентации и центрирования
Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
Две процессные камеры: левая и правая

Показать больше

Вращающийся газоохлаждаемый (Не) подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
Напряжение смещения на подложкодержателе: (0,1÷10) кВ
Диапазон доз: до >1·10¹⁶ 1/см²
Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
Параметры плазменного источника питания: длительность импульса – 200 мкс при 10 кВ, частота импульсов – до 10 кГц при 10 кВ
Использование ø12” источника имплантации
Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ для токсичных и инертных газов
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, B₂F₆, CH₄, Ar, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция
Охлаждающая вода
Система рециркуляции деионизированной воды
Чиллер
Система управления: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 175 A

Показать меньше

Applied Materials AMAT VIISta Trident 300мм (Varian)

Автоматическая установка высокотоковой ионной имплантации с точным контролем дозы и угла для серийного производства
Назначение: высокодозовое легирование трехмерных структур КМОП-устройств, таких как области исток-сток плавниковых транзисторов и прочие в процессах с топологией до 20-нм
Встроенная криогенная технология имплантации при температуре до – 100 °C для создания встроенных ячеек статических ОЗУ для кэш-памяти
Загрузка в FOUP-контейнерах
Четыре загрузочных порта
Роботизированная загрузка, буферная станция
Пластины: ø 300 мм
Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом

Показать больше

Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
Использование источника косвенно нагретого ø12” катода (IHC)
Архитектура плоского луча с 2-мя магнитами
Газовая система: газовый шкаф, линиb с РРГ
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, Ar, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция
Охлаждающая вода
Встроенная станция охлаждения пластин
Система управления: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф

Показать меньше

Applied Materials AMAT VIISta 80HP (Varian) 300мм

Автоматическая высокопроизводительная установка высокотоковой ионной имплантации с высокой угловой точностью для серийного производства
Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для КМОП-структур при производстве модулей памяти, логических ИС, транзисторов, ультрамелких переходов (USJ) и прочих с производственной топологией менее 90 нм
Загрузка FOUP-контейнерах
Четыре загрузочных порта
Роботизированная загрузка, буферная станция
Пластины: ø 300 мм
Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
Диапазон энергий: 200эВ÷80кэВ

Показать больше

Диапазон доз: (2·10¹²÷1·10¹⁶) 1/см²
Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
Архитектура широкого луча с 2-мя магнитами
Автоматически регулирующаяся система Varian Positioning System (VPS) обеспечивает точность угла луча при имплантации
Газовая система: газовый шкаф, до 7-ми линий с РРГ
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, SiF₄, CO₂ , Ar, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция
Охлаждающая вода
Криокомпрессоры
Система управления: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 175 A

Показать меньше

Applied Materials AMAT Quantum/Quantum X/Quantum X Plus 200/300мм (Varian)

Автоматическая установка высокотоковой ионной имплантации для серийного производства
Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин
Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
Роботизированная загрузка, буферная станция
Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
Диапазон энергий: 200эВ÷80кэВ

Показать больше

Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
Архитектура с 2-мя магнитами
Газовая система: газовый шкаф, до 8-ми линий с РРГ
Применяемые газы: AsH₃, PH₃, BF₃, SiF₄, Xe, GeF₄, CO₂ , Ar, He, N₂ и другие
Очищенный сухой сжатый воздух
Вытяжная вентиляция
Охлаждающая вода, система теплообмена
Криокомпрессоры
Система управления: компьютерная
Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
Электроэнергия: 208/120В, 50/60Гц, 3ф, 25 кВA (Quantum X), 125А (Quantum X Plus)
Размеры: 5,885 × 2,715 × 2,502 м (Quantum)
Вес: 10615 кг (Quantum)

Показать меньше

Обратная связь

Applied Materials

Applied Materials AMAT VIISta 3000XP/HP 200/300мм (Varian)

Applied Materials AMAT VIISta 900 3D 300мм (Varian)

Applied Materials AMAT VIISta 900XP 200/300мм (Varian)

Applied Materials AMAT VIISta 810XP 200/300мм (Varian)

Applied Materials AMAT VIISta HCP/HCS 200/300мм (Varian)

Applied Materials AMAT VIISta PLAD 200/300мм (Varian)

Applied Materials AMAT VIISta Trident 300мм (Varian)

Applied Materials AMAT VIISta 80HP (Varian) 300мм

Applied Materials AMAT Quantum/Quantum X/Quantum X Plus 200/300мм (Varian)

Презентации

Инженерное оборудование

Технологическое оборудование