Applied Materials

Applied Materials AMAT VIISta 3000XP/HP 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка высокоэнергетической ионной имплантации с высокой угловой точностью для серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для КМОП-структур при производстве ИС, транзисторов, солнечных элементов и прочих
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ? 200 мм или ? 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Максимальная производительность: до 250 пластин в час (200 мм); до 400 пластин в час (300 мм)
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом

Applied Materials AMAT VIISta 900 3D 300мм (Varian)

  • Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации с высокой угловой точностью луча и высокой точностью формы луча для серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для изготовления высокопроизводительных плавниковых полевых транзисторов (FinFET) и объемных логических приборов (3D NAND) высокой плотности, а также для легирования фотодиодов и логических слоев КМОП формирователей сигналов изображения
  • Загрузка в FOUP-контейнерах
  • 4 загрузочных порта
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ? 300 мм
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон энергий: 2кэВ?900 кэВ

Applied Materials AMAT VIISta 900XP 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации с повторяемым и точным контролем угла имплантата для крупносерийного производства
  • Назначение: прецизионное внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ? 200 мм или ? 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Максимальная производительность: до 500 пластин в час
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом

Applied Materials AMAT VIISta 810XP 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации для серийного производства
  • Назначение: прецезионное внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ? 200 мм или ? 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Максимальная производительность: до 500 пластин в час
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом

Applied Materials AMAT VIISta HCP/HCS 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка высокотоковой ионной имплантации с высокой угловой управляемостью и точностью для серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для КМОП-структур при производстве модулей памяти, логических ИС, транзисторов, и прочих с производственной топологией 65 нм и исследовательской топологией 45 и 32 нм
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ? 200 мм или ? 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Максимальная производительность: до 350 пластин в час (300 мм)
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом

Applied Materials AMAT VIISta PLAD 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка высокодозовой ионной имплантации с низким энергопотреблением с использованием высокочастотной плазмы для серийного производства
  • Назначение: высокодозовое легирование трехмерных структур КМОП-устройств, таких как области исток-сток плавниковых транзисторов; имплантация высоких доз бора при энергиях в несколько кэВ для противодействия легированию n + поли-Si при формирования электродов затвора, легированных p +, в устройствах динамической памяти с произвольным доступом; имплантация высоких доз нелегирующих ионов для местного увеличения или уменьшения скорости плазменного травления и других приложений модификации материалов
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Станция ориентации и центрирования
  • Пластины: ? 200 мм или ? 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Две процессные камеры: левая и правая

Applied Materials AMAT VIISta Trident 300мм (Varian)

  • Автоматическая установка высокотоковой ионной имплантации с точным контролем дозы и угла для серийного производства
  • Назначение: высокодозовое легирование трехмерных структур КМОП-устройств, таких как области исток-сток плавниковых транзисторов и прочие в процессах с топологией до 20-нм
  • Встроенная криогенная технология имплантации при температуре до – 100 °C для создания встроенных ячеек статических ОЗУ для кэш-памяти
  • Загрузка в FOUP-контейнерах
  • Четыре загрузочных порта
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ? 300 мм
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом

Applied Materials AMAT VIISta 80HP (Varian) 300мм

  • Автоматическая высокопроизводительная установка высокотоковой ионной имплантации с высокой угловой точностью для серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для КМОП-структур при производстве модулей памяти, логических ИС, транзисторов, ультрамелких переходов (USJ)  и прочих с производственной топологией менее 90 нм
  • Загрузка FOUP-контейнерах
  • Четыре загрузочных порта
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ? 300 мм
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон энергий: 200эВ?80кэВ

Applied Materials AMAT Quantum/Quantum X/Quantum X Plus 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка высокотоковой ионной имплантации для серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ? 200 мм или ? 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон энергий: 200эВ?80кэВ