Applied Materials

Applied Materials AMAT VIISta 3000XP/HP 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка высокоэнергетической ионной имплантации с высокой угловой точностью для серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для КМОП-структур при производстве ИС, транзисторов, солнечных элементов и прочих
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Максимальная производительность: до 250 пластин в час (200 мм); до 400 пластин в час (300 мм)
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон энергий: 5кэВ÷3МэВ (XP) / 10кэВ÷3,75МэВ (HP)
  • Диапазон доз: (5·1010÷1·1016) 1/см2
  • Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
  • Комплект контроллеров дозы
  • Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
  • Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, Ar, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция: (21÷24) м3/мин (модификация 200 мм)
  • Охлаждающая вода: (16÷19)°С (модификация 200 мм)
  • Система подачи ДИ-воды
  • Чиллер
  • Система управления с ИБП: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
  • Многоуровневая система безопасности, защищенная паролем
  • Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные и мембранные форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 60 A (модификация 200 мм); 208В, 3ф, 60 Гц (модификация 300 мм)

Applied Materials AMAT VIISta 900 3D 300мм (Varian)

  • Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации с высокой угловой точностью луча и высокой точностью формы луча для серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для изготовления высокопроизводительных плавниковых полевых транзисторов (FinFET) и объемных логических приборов (3D NAND) высокой плотности, а также для легирования фотодиодов и логических слоев КМОП формирователей сигналов изображения
  • Загрузка в FOUP-контейнерах
  • 4 загрузочных порта
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ø 300 мм
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон энергий: 2кэВ÷900 кэВ
  • Технология горячей имплантации (450°С)
  • Архитектура с 3-мя магнитами (технология SuperScan 3)
  • Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
  • Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, Ar, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Охлаждающая вода
  • Чиллер
  • Система управления: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
  • Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф

Applied Materials AMAT VIISta 900XP 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации с повторяемым и точным контролем угла имплантата для крупносерийного производства
  • Назначение: прецизионное внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Максимальная производительность: до 500 пластин в час
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон энергий: 2кэВ÷900 кэВ
  • Диапазон доз: (1·1011÷1·1016) 1/см2
  • Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
  • Система позиционирования Varian (VPS)
  • Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
  • Архитектура с 2-мя магнитами
  • Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, Ar, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Охлаждающая вода
  • Чиллер
  • Система управления с ИБП: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
  • Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 60 A
  • Размеры: 6,2 × 3,0 м (модификация 200 мм)

Applied Materials AMAT VIISta 810XP 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка среднетоковой ионной имплантации для серийного производства
  • Назначение: прецезионное внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Максимальная производительность: до 500 пластин в час
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон доз: (1·1011÷1·1016) 1/см2
  • Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
  • Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
  • Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, Ar, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Испаритель с дозирующей системой
  • Вытяжная вентиляция: (13÷16) м3/мин (модификация 200 мм)
  • Охлаждающая вода: (16÷19)°С (модификация 200 мм)
  • Система подачи ДИ-воды с нагревателем
  • Криокомпрессоры
  • Система управления: компьютерная (VCS), с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
  • Многоуровневая система безопасности, защищенная паролем
  • Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 35кВA + 400В, 1ф (модификация 200 мм); 208В, 3ф, 60 Гц (модификация 300 мм)
  • Размеры: 6,77 × 3,012 × 2,746 м (модификация 200 мм)
  • Вес: около 20800 кг (модификация 200 мм)

Applied Materials AMAT VIISta HCP/HCS 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка высокотоковой ионной имплантации с высокой угловой управляемостью и точностью для серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для КМОП-структур при производстве модулей памяти, логических ИС, транзисторов, и прочих с производственной топологией 65 нм и исследовательской топологией 45 и 32 нм
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Максимальная производительность: до 350 пластин в час (300 мм)
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон энергий: 200эВ÷60кэВ
  • Диапазон доз: (1·1013÷5·1016) 1/см2
  • Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
  • Использование источника косвенно нагретого ø12” катода (IHC)
  • Архитектура с 2-мя магнитами
  • Газовая система: газовый шкаф, 6 (7 –  HCS) линий с РРГ
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, Ar, N2 и другие (GeF4, CO, CO2 –  для HCS)
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция: 68 л/мин (HCS)
  • Охлаждающая вода: (16÷21)°С, 68 л/мин (HCS)
  • Чиллер
  • Система управления: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
  • Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 175 A (HCS)
  • Вес: 20609 кг (HCS)

Applied Materials AMAT VIISta PLAD 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка высокодозовой ионной имплантации с низким энергопотреблением с использованием высокочастотной плазмы для серийного производства
  • Назначение: высокодозовое легирование трехмерных структур КМОП-устройств, таких как области исток-сток плавниковых транзисторов; имплантация высоких доз бора при энергиях в несколько кэВ для противодействия легированию n + поли-Si при формирования электродов затвора, легированных p +, в устройствах динамической памяти с произвольным доступом; имплантация высоких доз нелегирующих ионов для местного увеличения или уменьшения скорости плазменного травления и других приложений модификации материалов
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Станция ориентации и центрирования
  • Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Две процессные камеры: левая и правая
  • Вращающийся газоохлаждаемый (Не) подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Напряжение смещения на подложкодержателе: (0,1÷10) кВ
  • Диапазон доз: до >1·1016 1/см2
  • Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
  • Параметры плазменного источника питания: длительность импульса –  200 мкс при 10 кВ, частота импульсов –  до 10 кГц при 10 кВ
  • Использование ø12” источника имплантации
  • Газовая система: газовый шкаф, линии с РРГ для токсичных и инертных газов
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, B2F6, CH4, Ar, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Охлаждающая вода
  • Система рециркуляции деионизированной воды
  • Чиллер
  • Система управления: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
  • Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 175 A

Applied Materials AMAT VIISta Trident 300мм (Varian)

  • Автоматическая установка высокотоковой ионной имплантации с точным контролем дозы и угла для серийного производства
  • Назначение: высокодозовое легирование трехмерных структур КМОП-устройств, таких как области исток-сток плавниковых транзисторов и прочие в процессах с топологией до 20-нм
  • Встроенная криогенная технология имплантации при температуре до – 100 °C для создания встроенных ячеек статических ОЗУ для кэш-памяти
  • Загрузка в FOUP-контейнерах
  • Четыре загрузочных порта
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ø 300 мм
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
  • Использование источника косвенно нагретого ø12” катода (IHC)
  • Архитектура плоского луча с 2-мя магнитами
  • Газовая система: газовый шкаф, линиb с РРГ
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, Ar, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Охлаждающая вода
  • Встроенная станция охлаждения пластин
  • Система управления: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
  • Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф

Applied Materials AMAT VIISta 80HP (Varian) 300мм

  • Автоматическая высокопроизводительная установка высокотоковой ионной имплантации с высокой угловой точностью для серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин для КМОП-структур при производстве модулей памяти, логических ИС, транзисторов, ультрамелких переходов (USJ)  и прочих с производственной топологией менее 90 нм
  • Загрузка FOUP-контейнерах
  • Четыре загрузочных порта
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ø 300 мм
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон энергий: 200эВ÷80кэВ
  • Диапазон доз: (2·1012÷1·1016) 1/см2
  • Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
  • Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
  • Архитектура широкого луча с 2-мя магнитами
  • Автоматически регулирующаяся система Varian Positioning System (VPS) обеспечивает точность угла луча при имплантации
  • Газовая система: газовый шкаф, до 7-ми линий с РРГ
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, SiF4, CO2 , Ar, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Охлаждающая вода
  • Криокомпрессоры
  • Система управления: компьютерная, с автоматической настройкой рецептов, системная диагностика
  • Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208В, 50/60Гц, 3ф, 175 A

Applied Materials AMAT Quantum/Quantum X/Quantum X Plus 200/300мм (Varian)

  • Автоматическая установка высокотоковой ионной имплантации для серийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин
  • Загрузка в SMIF или FOUP-контейнерах (в зависимости от модификации)
  • 2-4 загрузочных порта (в зависимости от модификации)
  • Роботизированная загрузка, буферная станция
  • Пластины: ø 200 мм или ø 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Вращающийся газоохлаждаемый подложкодержатель для одной пластины с электростатическим прижимом
  • Диапазон энергий: 200эВ÷80кэВ
  • Диапазон углов имплантации: (0÷60)°
  • Использование источника косвенно нагретого катода (IHC)
  • Архитектура с 2-мя магнитами
  • Газовая система: газовый шкаф, до 8-ми линий с РРГ
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, SiF4, Xe, GeF4, CO2 , Ar, He, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Охлаждающая вода, система теплообмена
  • Криокомпрессоры
  • Система управления: компьютерная
  • Автоматизированная вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, безмасляные форвакуумные насосы
  • Электроэнергия: 208/120В, 50/60Гц, 3ф, 25 кВA (Quantum X), 125А (Quantum X Plus)
  • Размеры: 5,885 × 2,715 × 2,502 м (Quantum)
  • Вес: 10615 кг (Quantum)