AIXTRON VP2400 HW MOCVD
- Установка мос-гидридной эпитаксии
- Применение: Материалы на основе SiC
- Планетарный реактор
- Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются — облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
- Загрузка: 7×3″, 6×4″
- Температура роста: 1550-1650°C