Trion Technology Phantom III (RIE/RIE+ICP)

  • Компактная автоматическая установка реактивно-ионного травления/травления индуктивно-связанной плазмой фторсодержащими газами и кислородом для НИОКР
  • Назначение: изотропное или анизотропное травление диэлектриков  (SiO2, Si3N4, SiOxNу); анализ отказов ИС;  травление кремния (Si), соединений кремния (SiC), кварца, металлов (Ta, W, Ir, Mo, Nb), соединений металлов (TaN, TiW, TiN, InSb), полимеров (полиимид, фоторезисты, эпоксидные компаунды), графит (С) и прочие
  • Ручная система загрузки
  • Пластины: от ø2″ до ø300мм, части пластин, интегральные схемы, чипы
  • Источник плазмы: RIE – 600Вт, 13,56МГц, с автоматическим согласованием сопротивления
  • Алюминиевые анодированные электроды: нижний электрод: ø200мм либо ø300мм (зависит от варианта установки)
  • Газовая система: до 8 газовых линий с РРГ, продувочный азот
  • Применяемые газы: O2, Ar, CHF3, CF4, SF6, He, N2 и прочие
  • Подача газов в реактор: через кольцевой распределитель либо через душевой распылитель
  • Вакуумная система: турбомолекулярный насос 300 л/с (вариант) и форвакуумный насос 765 л/мин
  • Система управления: компьютерная, с сенсорным экраном; наличие библиотеки процессов; система аварийного отключения; автоматическая система управления давлением
  • Опционно: различные варианты насосных систем; внешние чиллер или нагреватель / чиллер для оперативного управления температурой подложкодержателя (-20÷150)°С; система измерения и оповещение об окончании процесса по лазерному интерферометру / оптическому эмиссионному спектрометру; источник ICP-плазмы – 600Вт либо 1250Вт, 13,56МГц, с автоматическим согласованием сопротивления; электростатический прижим пластины при гелиевом охлаждении

к списку

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.