PVA TEPLA SiGe-Epitaxie Typ Delta

Установка низкого давления/низкой температуры предназначена для обработки SiGe или SiGe:C на кремниевых полупроводниковых пластинах диаметром 200 и 300 мм по методу Chemical Vapor Deposition (CVD). Модульная система с вертикально расположенным реактором предназначена для поочередной обработки кассет. Уникальные преимущества, отличающие эту установку от систем, работающих по другим методам, заключаются в универсальности применения (SiGe/SiGe:C/Si для технологии flash epi), высокой производительности (примерно 50 пластин в час), большом выходе готовой продукции, а также возможности селективного нанесения слоев. Эта установка, как и другая продукция CGS, изготовлена из высококачественных материалов с высочайшим качеством обработки

 

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.