GEMINI 3E CVD

  • Установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
  • Двухкамерный эпитаксиальный реактор
  • Единая система управления для управления параллельной работой реакторов.
  • Размер обрабатываемых пластин: 4″, 5″, 6″
  • Линия подачи отрегулирована на подачу газа-носителя кремния и две линии подачи легирующей смеси
  • Газы и легирующие смеси: N2, H2, SiHCl3, PH3, HCl
  • Типовая температура роста: 1150°C
  • Потребляемая мощность при 1550°C: 28,5кВт
  • ВЧ генератор индукционного нагревателя: 380 В, 3 фазы, 152 кВА
  • Скруббер: 220 В, 1 фаза, 9 кВА
  • Установка: 220 В, 1 фаза, 40A, 8.8 кВА
  • Водяная система охлаждения

к списку

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.