Corial D500 PECVD

  • Высокопроизводительная установка плазмостимулированного осаждения для крупносерийного производства изделий специализированного применения (приборы силовой электроники, оптоэлектроника, МЭМС)
  • Изотермальный реактор с вакуумной камерой и оригинальным распылителем
  • Групповая загрузка: 104 x 2”, 25 x 4”, 9 x 6”, 4 x 8”  
  • Применяется для плазмостимулированного осаждения: aSi-H, SiO2, Si3N4, SiC, SiOCH, SiOF
  • Режимы осаждения: высокотемпературный — от 120°C до 325°C
  • Опционно поставляемый низкотемпературный реактор позволяет проводить осаждение при температуре порядка 20°C
  • Типовые скорости осаждения: SiO2 – более 320 нм/мин, Si3N4 – более 250 нм/мин, SiOCH – более 150 нм/мин
  • Опционно: система поддержания температуры подложки в диапазоне от 50°C до 150°C с однородностью температуры по подложке ±1 °C
  • Газовый шкаф с контроллерами массового расхода: максимально до 8 газовых линий
  • Форвакуумный безмасляный насос, турбомолекулярный насос; малое время откачки
  • Возможность проведения эффективной плазменной очистки реактора – реактор может работать в течение многих лет без потребности в ручной очистке
  • Возможность доукомплектования установки дополнительным механическим загрузочным устройством для увеличения производительности и снижения повреждений подложек

к списку