Corial 360IL

  • Установка травления индуктивно-связанной плазмой /  реактивно-ионного травления для специального полупроводникового производства: оптоэлектроники, МЭМС, приборов силовой электроники и прочих
  • Загрузка через вакуумный загрузочный шлюз с устройством перемещения:  до 23 x 2”, до 7 x 4”, до 3 x 6”
  • Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
  • Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO2, Si3N4, Si); полупроводниковых соединений А3В5 (GaN, AlGaN, GaP), сапфира
  • Производительность установки: более 8 сапфировых подложек диаметром 4” в час
  • Большой подложкодержатель (электрод), гелиевое охлаждение обратной стороны обеспечивает поддержание температуры от -50°C в течение процесса травления
  • Газовый шкаф с контроллерами массового расхода: максимально до 8 газовых линий
  • Источники плазмы: RF – до 1000Вт, 13,56 МГц; ICP – до 2000Вт, 2 МГц
  • Скорость травления: GaAs – 500 нм/мин, сапфир – 75 нм/мин, GaN – 200 нм/мин
  • Форвакуумный безмасляный насос, турбомолекулярный насос  , короткий цикл откачки
  • Температура стенки реактора > 250°C
  • Промышленный компьютер для управления процессом

к списку